跳转到主要内容

  • 硅晶片的尺寸约为直径为8英寸。也用来参考a工具设计用于加工这种尺寸的晶圆。
  • 硅晶片的尺寸大约12英寸直径。也用来参考a工具设计用于加工这种尺寸的晶圆。
  • 替代术语UHD数字视频格式。
回到顶部

一个

  • 从液体或气体中除去有毒或其他有害物质的过程。实例包括从中除去铜颗粒CMP泥浆或将液体或气体有毒流出物转化为安全形式进行处置。
  • 半导体中接受电子的杂质。硼是用于掺杂硅的主要受体离子注入的过程。
  • 一种存储单元,用来临时存储生产线上的在制品。
  • 离子注入,将原子引入晶体管的一部分以改变其材料特性的过程;在最常见的应用中,掺杂剂原子变得电活性,即电荷载体生成,并增加注入区域的电导率。
  • 当植入掺杂剂原子时,硅晶体晶格中断,或amorphized. 随后使用rtp.,在此过程中,掺杂离子占据晶格中的取代位并产生电荷载体被建造。
  • 一种使用电致发光阵列的显示器类型OLED像素控制的薄膜晶体管
  • AMOLED显示屏的每个像素都能直接发光液晶显示器当整个显示器由背光照射并且通过背后照射并且通过控制每个像素处的液晶偏振的薄膜晶体管选择性地允许。
  • 与TFT-LCD相比,AMOLED显示器的关键效益是,因为“OFF”像素消耗没有功率,总功耗显着降低。
  • 一种二元拍卖掩模使用不透明的MOSI层作为光吸收层。将极薄的Cr层放在顶部并用作a硬掩模用于蚀刻工艺。也称为不透明的MoSi-on-glass(OMOG)光掩模。
  • 一部薄膜沉积材料一次沉积材料的施加一部分单层材料。
  • 一种PSM这具有蚀刻到不同深度的石英衬底的区域,以便在透射光中引入180度相移,以改善晶片上投影图像的分辨率。
  • 铝在晶体管和其他电路元件之间连接的微芯片中的路径。
  • 没有晶体结构的一种沉积的硅。
  • 光伏,非晶硅是一个重要的薄膜技术。
  • 液晶显示器在制造业中,非晶硅应用最为广泛背板类型。
  • 离子注入,一种用于分析离子种类并根据原子量选择所需离子的磁铁。
  • 单位长度;一百亿米。
  • 一种高温处理步骤,用于修复晶圆片晶体结构中的缺陷或诱导相变。
  • 自动视觉打印检测,相机自动扫描印刷基板以进行质量控制和缺陷检测。
  • 离子注入,导向离子束的开口,该开口定义了前进的光束的形状和尺寸。
  • 沉积在金属或多晶硅顶部的光吸收层(通常是氮化钛),以改善光刻演出
  • 自动清洁功能通过安装在梭子和打印头上的织物垫的同时移动清洁打印屏幕的底部,从而更换操作员执行的传统程序。
  • 电路特性的深度与宽度之比,如a通过联系
  • 一种PSM这允许少量的光通过某些区域传输,从而干扰来自掩模透明部分的光,目的是再次提高晶圆上的对比度。
  • 在光伏组件制造中,通过将组件置于较高的温度和压力下,高压釜用于去除滞留的空气,并改善复合膜和玻璃基板之间的附着力。
  • 任何具有运载转移机器人的设备,可移动盒式磁带,豆荚或FOUPS.进出固定设备。
  • 一种采用的技术晶圆检测系统根据缺陷的物理和光学性质,将缺陷分为若干类。
回到顶部

B

  • 金属层,覆盖太阳能的整个后表面光伏作为导体。
  • 还用于指代高级单元设计,如EWT公司电池的两个端子位于晶片的背面,从而增加电池的光聚光区域并因此提高转换效率。
  • 薄膜太阳能组件的底层,提供刚性和电绝缘。电流通过接线盒这通过后玻璃中的孔连接到电路上。
  • 在真空泵工艺期间加热加速真空系统表面的脱气的技术。用于减少达到UHV压力所需的时间。
  • 除了制造运行太阳能光伏发电系统的太阳能模块之外,组件还包括安装结构,电缆,逆变器,陆地和维护。
  • 设计用于防止在阻挡层上方和下方的层混合层的物理层。
  • 同时处理多个晶圆片的处理顺序,相对于单晶圆片(串行)处理。
  • 离子注入离子束中任何不需要的物质或离子电荷。
  • 离子注入机的终端站中的扫描电流定义为光束中物种的数量,速度和电荷的乘积。
  • 这一系列的工艺步骤在晶体管制作完成后经过晶圆,再经过电气测试。也被称为半导体制造的后端。后端也指晶圆制作完成后的芯片制造部分,即切片、封装和测试。
  • 一个光罩覆盖着用光吸收膜,通常是铬定义的图案。光学上,这是最简单的光掩模类型,缺乏相移特征PSMAPSM.类型。另请参阅先进的二元掩模
  • 在存储设备的基板的给定区域内,存储单元的排列紧密程度的一种度量。
  • 一般来说,更高的比特密度是可取的,因为它有助于提高性能和降低每比特的成本。
  • 通常以每平方英寸的比特测量。
  • 通过信息写入/读取/读取/从内存单元格中的线路。
  • 光伏材料用于取代常规建筑材料的建筑物包围,如屋顶,天窗或外墙。
  • 为了减少污染而穿的鞋套洁净室
  • 使用的参数沉积描述与晶圆顶面相比,工艺在电路特征底部沉积材料的能力,或.它定义为磁场上的膜厚度的比例除以给定特征底部的膜厚度。
  • 掺杂SiO制造的非晶绝缘材料2用硼和磷来改善防潮性和回流特性。
  • 一个缺陷检查收集缺陷反射光的技术,产生一个缺陷在白色背景下显得很暗的图像。一般来说,布莱特菲尔德系统更为敏感,但速度比其他系统慢黑暗场检查。亮场检测通常用于发现晶体管制造过程中的图形缺陷。
  • 人员穿着的全身服装洁净室减少颗粒物和污染物排放到空气中。
  • 在薄膜光伏组件中,从单个太阳能电池收集能量的相对较大的导电带。
回到顶部

C

  • 材料可以存储电荷的程度。
  • 用于临时存储电荷的电气部件。它由两个导电表面组成,由非导通隔开介质
  • 电子或者通过导电或半导体材料携带电荷。
  • 一种度量,通常用厘米表示2/V·s,表示载流子(电子或)可以响应于应用的电场通过半导体。材料的电导率与迁移率成比例,乘以载体的浓度。在半导体器件中非常希望高迁移率,因为它通过更快的晶体管切换导致更高的设备性能。
  • 一种金属或塑料开口容器,用于将晶圆片(通常为25片)运输到工具或从工具中运输出来。磁带可以保护晶圆不受直接处理造成的损坏。
  • 一种薄膜太阳能电池,使用镉碲化合物作为光转换活性层。
  • 用于蚀刻的参数以描述精度蚀刻的过程。CDU定义为重复特征的大小与其标称值的变化(CD)在横跨基质

计算流体动力学,使用数值方法和算法来解决和分析涉及流体流动的问题的流体力学分支,

  • 在一个FET.,通道是电子在通道之间流动的半导体区域来源流走终端,由施加到的电压控制
  • 离子注入,当光束中的一些离子撞击单晶硅原子晶格结构之间的晶片,并比其他离子穿透更深时,就会发生沟道效应。沟槽是不可取的,因为种植体的深度不能精确计算或控制。通过倾斜或旋转晶圆片,在其表面覆盖一层屏氧化物,或预非晶化硅,可以减少沟道形成。
  • 一个原子粒子失去一个电子给一个电离的原子。
  • 二硒化铜铟:一种使用铜、铟、硒化合物的薄膜太阳能电池材料。第四种元素镓也可以添加到化合物(CIGS)中以达到更高的浓度效率
  • 工厂中的一个区域,在这里空气被调节以除去可能妨碍半导体器件正常工作的空气颗粒。
  • 一个Mos.由配对的P-组成的装置通道和n沟道晶体管。
  • 也用于指用于构建以CMOS晶体管为特征的集成电路的制造工艺家族。
  • 使用磨料,化学活性浆料的过程在部分加工的晶片上物理地磨损微观地形特征,使得随后的工艺可以从平坦表面开始。也称为化学机械抛光。
  • 一个离子注入将两种物质植入材料的同一区域以改善掺杂区域的电性能的技术,通常用于改善晶体管的性能。
  • 例如,可以共植入非掺杂剂原子,例如氟或氮气掺杂剂如硼生产超浅PMOS.晶体管渠道改善了掺杂剂激活从掺杂区域到未掺杂区域有一个非常尖锐的转变。
  • 所述封装的底面与所述印刷电路板的着陆面平行
  • 液晶平板显示器的一层,它被分成红、绿、蓝的透明区域,每一个区域都覆盖着一个晶体管,这个晶体管被开关到一个全颜色范围。
  • 使用计算机系统和软件帮助创建,修改或分析2D或3D设计。
  • 一种利用计算机控制整个生产过程的制造方法,允许各个步骤交换信息和采取行动。
  • 包含移动电荷载体的材料,例如电子或离子。
  • 芯片上的一种特征,在第一个互联层和晶体管。这个区域经常充满钨。
  • 在雷克里等离子体产生是指保持恒定频率和振幅的波形,而不是在100-1000Hz频率范围内调制电源(通常在两个不同振幅之间)的“脉冲”传输。
  • 一个互联采用铜作为导电材料的结构,与铝互连相比,提高了设备速度并降低了功耗。
  • 一个兴奋剂沉积包含所需材料的保形层的过程掺杂剂物种,然后使用一个热过程来驱动掺杂剂到一个控制的深度在底层电路结构。CPD提供了一种方法来添加复杂的三维结构。兴奋剂传统上是由离子注入轰击晶片,掺杂剂离子以高速移动。然而,这种视线轰炸过程不能提供3D结构的均匀掺杂。更重要的是,快速移动的离子可以损坏尖端芯片中的超薄半导体层。CPD旨在解决这两个问题。
  • 光刻,CD是要图案化的最小特征尺寸晶圆.在其他半导体过程中,CD是在跨越几个点处发现的特征的大小基质用于描述给定过程的准确性或其他特征。
  • 信号在电路元件中产生的不良影响,如互联线路,影响另一个附近电路中的信号。在半导体中,耦合通常是一个结果寄生电容在两个电路之间。
  • 将材料的温度降低到-100°C或更低。
  • 一种次级真空泵,通过低温冷冻和吸收它们来捕获气体分子。低温泵能够产生非常高的真空,但必须定期再生,即允许返回环境温度以解吸和泵送捕获的气体物种。
  • 具有以有序的周期阵列排列的原子的材料。
  • 在晶体结构中使用纯硅衬底的太阳能电池技术的总称。
  • 通过曝光来沉积薄膜的一种方法基质一种或多种挥发性前体,在基质表面反应和/或分解。
  • 晶片通过制造过程的特定部分处理晶片所需的时间量。
回到顶部

D

  • 一种用于离子注入通过故意破坏硅晶体结构来控制半导体器件的电特性。
  • 特别是,损伤工程通过调节离子来控制掺杂剂扩散的深度剂量费率,雇用低温注入和/或使用co-implant物种。
  • 在制造具有非常小的几何形状的晶体管中,损坏工程用于实现性能增强技术源排水扩展硅化粉应变工程
  • 一种创建铜金属互连的方法,通过在层间介质使用ecd.然后使用CMP除去多余的铜。
  • 一种无反射、无能量吸收的无机材料介质层沉积在金属或多晶硅的顶部以改善光刻演出
  • 一个缺陷检查使用探测器收集散射光以使缺陷的技术显得明亮于黑暗的背景。通常用于在晶片期间找到颗粒互联制造。与Brightfield.检查。
  • 紫外光光谱中波长低于300nm的部分。
  • 缺陷位于图案化晶片上的过程。创建并传递给A缺陷位置列表DR-SEM审查和分类。
  • 一种扫描电子显微镜用于对晶片制造过程中的缺陷类型进行分类,并确定这些缺陷是否会影响芯片产量。
  • 在衬底上沉积一薄层绝缘或导电材料的过程。
  • 概述集成电路设计和布局的几何和连通性限制的规则。
  • 在半导体制造中,可在其上制造功能电路的硅片区域。在每个晶圆片上制造数百个相同的模具(另一种复数形式是die and dice)。
  • 一个绝缘体
  • 也更具体地用来指可被应用电场极化的绝缘体。半导体加工中常用的两种介质是二氧化硅(SiO)2)和氮化硅(Si3.N4)。
  • 间歇式离子注入机上的大锥形轮,用于在注入过程中保持晶圆离子注入. 晶圆安装在磁盘的每个“轮辐”的末端。当圆盘旋转时,每个晶圆依次通过离子束,离子束被径向扫描以产生均匀的磁场剂量跨越每个晶圆。
  • 以受控量添加到材料中的杂质,以便改变一些内在特性,例如电阻率或熔点。向半导体添加掺杂剂产生主要负阴性的材料(n型)或正面(p型)载流子,视掺杂种类而定。
  • 粘稠的液体或悬浮液掺杂剂材料。
  • 引入杂质,或者掺杂剂.进入材料的晶格以改变其电性能。创建n型区域,砷(AS),arsine(灰烬3.),膦(pH3.)锑(Sb)是常用的。对于p型区域,典型掺杂剂是硼(b),硼二氟化硼(bf2)和三氟化硼(BF3.)。
  • 总金额掺杂剂在离子/ cm中测量2需要赋予注入晶圆所需的电气特性。
  • 一种精密电流测量装置,用于计算植入晶片中的离子总数。该功能有时与均匀监测相结合。
  • 一类图案化技术,其目的是使在特定光刻的分辨率极限下在晶圆上产生的电路特征密度加倍步进电机
  • 太阳能使用的技术光伏在多个精确对齐的丝网印刷操作中建立接触线或其他结构的制造。
  • 双印刷的应用实例包括制造更窄、更高的接触线和选择性发射器单元格类型。
  • 一种使用感应耦合产生氮等离子体并将氮纳入超薄栅极氧化物的顶表面层以增加栅极介质的介电常数的方法。
  • 一种ICP等离子体源主要用于分离等离子体密度和离子能量的蚀刻应用,导致高蚀刻速率和对基板的最小血浆损坏。
  • 输出端子FET.
  • 一种易失性计算机存储器,每个位都存储在一个单独的电容器中。因为电容器随着时间的推移会自我放电,每一位的状态必须每秒刷新大约15次,因此有了“动态”这个术语。与“静态”闪存
  • DRAM提供了任何类型的内存中最快的编程,使它非常适合直接连接到微处理器作为主存使用。
  • 一个波纹的旨在形成和填充两个特征的过程,即一次铜,例如上覆通过可以填充单个铜沉积步骤。
回到顶部

E

  • 包含树脂组分的复合材料,使得粘附和导电颗粒悬浮在其实现导电性。当树脂组分固化时,导电颗粒彼此接触,使导电性能够。
  • 在太阳能光伏技术中,入射太阳能中被转换成电能的部分。
  • 由导电电子和扩散金属原子之间的动量转移引起的导体中离子运动引起的材料运动。
  • 从化学溶液中除去金属并沉积在带电表面上的沉积过程。也称为电化学电镀、电镀或电沉积。
  • 用于与电路的非金属部分接触的电导体(例如,a半导体)。
  • 电解的通过电解的方式进行的,电解是通过电流将液体分离成不同化学成分的过程。
  • 由多个源产生在相同频谱处的电磁波产生的效果。
  • 一种稳定的亚原子粒子,带有负电荷,作为电的载体。
  • 离子注入,位于晶圆附近的终端站中的一种电子源,用于中和可能损坏敏感电路特性的正电荷注入离子产生的不良电荷。
  • 通过电子(或质子相同的电荷尺寸)所获得的能量通过一伏的电压差。在离子注入, eV被用作粒子动量的量度。一个动量大的粒子比动量小的粒子更能穿透半导体晶格。
  • 一个静态电压场,其中没有电流流动。在离子注入,它是指使用电压弯曲或聚焦离子束。
  • 相对于置于其上的晶圆保持高电压的金属基板,以便静电力将晶圆夹在其上。
  • 一种先进的背面联系光伏电池。在发射极通过电池结构中,连续发射器通过小于100μm(微米)的数千个激光钻孔,直径为电池的电流。通过消除前触点,EWT增强了光吸收并提高了电池效率。
  • 此外,被称为范围末端位错环,提高采收率缺陷是在硅晶体晶格中发现的直接在界面之间amorphized和晶体管的晶体区域通道离子注入
  • 可以使用EOR缺陷使用低温注入
  • 一个梁线用于某些变量的元素离子植入机这同时将离子束同时减速到最终能量,并滤除离子束以去除可以“涂抹”晶体管的不需要的高能元件通道,导致漏电流增加并降低性能。
  • 用于比较门的性能的数字介质通过表示氧化硅膜需要多厚的材料,以产生与所使用的介电材料相同的效果。
  • 用于比较高k介质MOS门和SiO2基MOS门性能的数字。它显示了获得与具有较高介电常数k的较厚SiO2电介质的栅极电容相同的栅极电容所需的SiO2栅极氧化物的厚度[例如,使用具有k=39(SiO2的k为3.9)的10 nm厚电介质将产生1 nm的EOT]。
  • 沉积或生长的方法,沉积的薄膜的单晶膜具有与基材的晶格结构和定向相同的晶格结构和取向。这使得能够为构建半导体器件的高纯度起点。
  • 一个空气污染指数监控处理工具以提供可视化和统计报告工具以识别瓶颈和提高工厂性能的技术。
  • 通过化学反应或物理轰击在特定区域中除去材料的方法。该方法可以使用液相(湿)蚀刻剂或真空(干燥)在真空(干燥)进行,以产生血浆​​产生气相反应物。
  • 在此期间拆除材料的速率蚀刻处理通常以å/ s或nm / s表示。
  • 用来限制的薄膜层蚀刻深度并保护底层材料。选择ESL以抵抗被使用的蚀刻化学物质。
  • 一个光刻技术使用13.5nm EUV照明。它代表了重要的偏离杜夫因为所有光学元件必须采用反射模式,并且整个光学系统必须保持真空。
  • 偏离为流程指定的参数。
  • 离子注入,所述提取电极用于从源中提取正电荷离子。从源出来的离子顺流而下结合形成用于植入的束掺杂剂进入硅晶片。
回到顶部

F

  • 半导体制造厂的通用名称,用于制造集成电路的工厂。
  • 也称为嵌入式晶片级球网格阵列。一种芯片封装方案,其中不在硅晶片上产生包装,而是在由模塑材料(例如环氧树脂)制成的人造晶片上。芯片之间的距离通常大于硅晶片。围绕芯片产生互连,并且电连接由芯片焊盘进行到互连。可以在任意距离(扇出设计)上在包装上创建任何数量的额外互连,使得该方案非常适用于空间敏感的应用,其中芯片区域不足以将所需数量的互连放置在合适的距离中.
  • 一个空气污染指数使用过程状态模型推断出故障状况的发生和位置的技术,并诊断故障原因。
  • 集成电路制造的第一部分包括晶体管制造。Feol通常涵盖一切(但不包括)沉积联系人和金属互联层。术语前端有时用于将整个过程引用到完成的晶片。
  • 一种依靠电场控制半导体材料中载流子流动的晶体管。
  • 安装在半导体处理系统前面的一种超净外壳,用于将晶圆传送到洁净室环境和系统内部。
  • 用于使用的术语沉积应用于描述晶片的顶表面,如不同于电路特征的表面,例如低于顶表面的沟槽和通孔。
  • finFET是一种FET.在哪个导电通道它的三面被一个薄的硅“鳍”包围,硅“鳍”形成了晶体管的栅极。尽管从技术上讲,该术语仅指具有两个栅极的设计,但该术语通常用于描述任何多栅极晶体管结构,而与栅极的数量无关。
  • finFET的主要设计目标是在晶体管处于“关”状态时减少电流泄漏。
  • 与...不同,不需要保留数据的一种非易失性存储技术动态随机存取记忆体. “flash”这个名字来源于这样一个事实,即内存被擦除并被编程成大块,每次从几百位到几千位。由于无法寻址单个位,直接连接到微处理器的速度太慢,但flash的机械健壮性和低成本使其成为移动设备中大容量存储的理想选择。
  • 任何消费者显示设备,如液晶显示器AMOLED与平坦表面相比,与阴极射线管的弯曲前部相反。
  • 是将半导体器件(例如IC芯片和微机电系统)(MEMS)互连的方法,以将已经沉积在芯片垫上的焊料凸块的外部电路。
  • 一种物理性质在空间中的流动,经常也随时间变化。
  • 在LED技术中,为了产生指定的光输出,所需的LED端子两端的电压。它也是下面的电压,LED不会产生任何光线。
  • 具有固定盒式磁带的容器,具有前开口界面,用于自动化材料处理系统(amhs.)。由于FOUP的内部与环境Fab环境中分离,因此可以减少晶片上的粒子计数。
  • 通过掺杂SiO制造的非晶绝缘材料(k =约3.5)2氟通常用于铜互连层之间。又称氟硅酸盐玻璃。
回到顶部

G

  • 一个术语,缺少一代,用于FPD.制造用于描述玻璃的尺寸基质
  • 每一代都比前一代大大约80%。
一代 典型尺寸(mm) 面积(平方米) 介绍

Gen 2.

400 x 500.

0.2

1993年

创3.

620 x 750.

0.5

1995年

4.

730 x 920.

0.7

2000

生命5.

1000 x 1200个
1,200 x 1,300

1.2
1.6

2002

第5.5代

1,300 x 1,500

2

2004

格纳6.

1,500 x 1,850

2.8

2003

创7.

1,870 x 2,200

4.1

2004

第7.5代

1950 x 2250毫米

4.4

2005

8.

2160 x 2460毫米

5.3

2006

第8.5代

2,200 x 2,500.

5.7

2007

Gen 10.

2880 x 3130

9.0

2008

  • 一种手段,包括洗手和手套,头部覆盖物,面具,鞋覆盖物和其他专业服装进入洁净室之前的手套。
  • 紧邻洁净室的支持区或服务区,服务人员无需进入洁净室即可进行日常维护。
  • 一个缺陷检查利用探测器收集中高角度散射光,使缺陷在黑暗背景下显得明亮的技术。通常用于寻找超出光学分辨率的小图案缺陷。与Brightfield.检查。
回到顶部

H

  • 一个面具它比光刻胶更耐腐蚀,用于更高的腐蚀选择性需要比使用光刻胶可以实现。
  • 一种等离子体,具有高浓度的自由电子和高浓度的离子。
  • 一种等离子体增强型CVD.在高真空和高等离子体激发电压下进行,以提高填充小的高长宽比结构的能力。
  • 一个班的发光二极管产生足够的光用于照明应用。应用包括LCD显示器的背光,室内照明和汽车外灯。LED到底要多亮才算“高亮度”还没有很好的定义。最简单的定义是过于明亮而不能直接看。
  • 将人连接到机器、系统或设备的用户界面或仪表板,通常用于工业过程中,以直观地显示数据、跟踪生产时间、趋势和标签、监视机器输入和输出以及加载更多信息。
  • 在半导体中,空穴是指晶格中电子的缺失。它可以被认为是电子的对立面,带着与电子大小完全相同的正电荷。如果在电场中,一个电子向这个空穴移动,那么空穴实际上是向相反的方向移动的。
  • 与半导体制造中使用的设备通信的智能工厂系统。在半导体中,秒/宝石使用协议。
  • 一个很容易失败的领域
回到顶部

  • 一种等离子体源,其中通过电磁感应产生的电流供应的等离子体源,即,通过从真空外壳外部施加的时变磁场来产生的电流。
  • 一种半导体材料,用来形成通道高性能薄膜晶体管对于活动层液晶显示器s。相比非晶硅IGZO具有更高的电子迁移率,可以使晶体管切换更快,从而实现更高分辨率的显示器和更快的刷新率。
  • 一个光刻通过诸如水的液体介质取代最终透镜和晶片表面之间的通常气隙的分辨率增强技术。
  • 离子注入,离子束与晶片表面之间的入射角。

在半导体制造工艺流程的每一步之后,对晶圆进行检查,以检测各种类型的缺陷(如划痕、颗粒、损坏的特征)。

  • 非导电材料用于将器件或芯片的电气活性区域彼此隔离。一些常用的绝缘体是二氧化硅,氮化硅,BPSG.,和巴黎圣日尔曼
  • 一种电子器件,由许多元素一起制作在一个硅衬底上。
  • 集成电路中的接线,用于将晶体管彼此连接并连接到外部连接。
  • IC金属层之间使用的薄膜用于绝缘。
  • 相邻金属线之间使用的绝缘膜。
  • 一层硅或一些其他合适的材料用作一个插座或连接到另一个插座或连接之间的电接口布线,以将连接与更宽的间距传播到更宽的间距或与与不同连接的连接进行重新地。
  • 把太阳能电池板的直流电转换成与电网电兼容的交流电的装置。
  • 由一个或多个电子的丢失或颗粒形成的带电原子或原子群
  • 离子的一种处理技术掺杂剂化学物质(硼、砷等)在强电场中加速穿透晶圆表面,从而改变材料的电特性。
  • 一种工具,用于将选定的掺杂原子均匀地注入基底,达到所需浓度的规定深度。这种技术被称为离子注入
  • 离子注入,一种通过负偏置放电排出正离子的集合提取电极.然后可以在a中加速所得到的离子梁线朝向目标晶圆。
  • 从电中性原子或分子中加入或去除更多电子的过程。一旦颗粒被电离,可以使用磁性或静电场加速,转向和以其他方式操纵,如梁线
  • 普通的TCO材料。
回到顶部

J

  • 两种不同半导体区域之间的界面掺杂剂类型。通常是指P-N结,电导率类型的变化p型n型
  • 在太阳能组件中,一种为组件的输出提供连接点的环境外壳。
回到顶部

K

  • 也称为介电常数,通常由希腊字母Kappa(κ)表示。材料浓缩电量的程度的表达。
  • 在电子学中,它是指材料相对于二氧化硅的电容。
  • 高k值可以产生晶体管在不增加不良泄漏的前提下,使其变小。
  • 低k值在绝缘材料中是理想的,例如用于分离的绝缘材料互连因为它减少了浪费能量作为热量的电荷积聚,因此降低了设备的整体功耗。另外,低k值允许更快的信号传播,从而更快的开关速度。
  • 切割过程中材料损失的量。在硅片生产中,切损是指硅片加工过程中所消耗的硅量,对硅片的成本、边缘质量和表面光洁度起着至关重要的作用。
回到顶部

l

lab
  • 化学中的一个术语,用于指不断发生或可能发生变化的事物。例如,如果一个分子在一个特定的构象中存在很短的寿命,在采用低能构象之前,前一种分子结构被称为“高不稳定性”。在半导体中,它可以指阿尔德易与晶圆表面材料发生反应的前体化学物质。
  • 一种使用激光器烧蚀薄膜PV电池表面的技术,以便限定互连图案。
  • 结晶固体中原子的有序排列。
  • 当电流流过它时发光的半导体器件。LED由p-n组成交界处当一对载流子重新组合时就会发出光子。
  • 主要用于光掩模蚀刻测量蚀刻过程的精度。线性度被定义为偏离目标的范围CD在指定的特征尺寸范围内。
  • 一种使用一系列背光的平板显示器薄膜晶体管称为背板控制每个像素。
  • 液晶显示器的工作原理是单独控制每个晶体管,允许或阻止背光。然后白光通过一组彩色滤光片组合成最终的全彩图像。
  • 当像素晶体管截止时,液晶材料旋转偏振光通过90°,允许其通过第二偏振器。
  • 当晶体管通电时,液晶分子以这样的方式对准,使得光不再旋转,因此光被第二偏振器阻挡。
  • 任何提高图像分辨率、保真度或其他方面的技术光刻的过程。
  • 将图案或图像从一个介质转移到另一个介质,例如来自光罩使用a的晶圆步进电机
  • 用于在大气压力之间转移晶片或晶片的腔室FI.并采用真空环境进行加工。
  • 一批同时处理的相同特性的晶圆。批量通常保持在一起FOUPS.
  • 一个CVD.在低于大气压的环境中进行的过程。
  • 一个芯片上有3000到10万个晶体管。第一个大规模集成电路芯片是在20世纪70年代中期生产的。
  • 用于创建多晶硅使用两步过程的电影。第一步将前体膜沉积在400-450°下使用aPECVD.工艺,低于600-1000°LPCVD.半导体制造中常用的工艺。第二步使用退火将前驱体转化为多晶硅的过程。
  • LTPS薄膜通常用于AMOLED和超高分辨率液晶显示器显示。
  • 在LED技术中,测量LED如何将能量转换为电磁辐射。通常在每个瓦特(LM / W)的流明中表达。
回到顶部

  • 一种材料(通常为铁磁性)在外加磁场中改变其电阻值的特性。这种效应被用作磁随机存取存储器结构中的数据存储机制。
  • 刻蚀层一种有图案的材料层,用于防止直接在其下面的材料被刻蚀也是的缩写Photomask.
  • Varian植入机中的质量分析磁体位于来源以及工艺室,以偏转和过滤离子,因此只有选定的离子进入工艺室。这确保了只需要掺杂剂到达晶圆。
  • 一种计算机控制系统,该系统管理在制造环境中的进步材料中运输和存储的运输和存储。
  • 一个班的离子植入机专为最大而设计剂量均匀性。光束电流范围为1μA至5mA,在5-600keV的能量下。中等电流植入机通常具有植入的能力掺杂剂植入角度降低到距晶圆表面30°,允许掺杂剂部分注入到晶圆表面现有结构之下。
  • 非常小的机械或机电装置,例如使用改进的半导体器件制造技术制造的传感器和致动器。
  • 一种软件控制系统,用于管理和监控制造环境中的在制品。
  • CVD.周围性血管疾病沉积用于互连芯片上的装置的高导电金属层。通常使用的金属包括铝,钨和铜等。
  • 测量科学以确定尺寸,数量或容量;使用传感器和测量设备的技术和程序来确定晶片处理中的物理和电气性能。
  • 一种具有非常小(0.5-2μm)硅晶体的薄膜硅的形式,与非晶硅混合。它通常沉积在薄层(通常为1-3μm)中串联(堆叠)薄膜太阳能电池。
  • 根据它们的密度(例如密集,半致密)相对于开放区域特征,以不同的速率蚀刻相同的特征的现象。
  • (μm或微米)长度单位;百万分之一米。
  • 一种集成电路,它将算术、逻辑和控制电路放在一个单独的组件中。
  • 由外壳创建的外壳或环境,以保持晶圆免费污染,例如aFOUP
  • MOCVD是一种类型外延沉积化合物半导体薄膜的过程,尤指用于制造半导体薄膜的过程高亮度发光二极管和电力电子产品。在MOCVD过程中,一种化学反应发生在基质表面,包含所需的金属和其他元素的有机化合物之间。
  • 太阳能组件是最终封装的光伏发电机。在c-Si技术中,模块通常包含几十个太阳能电池连接在一起。
  • MOL使用一系列接触结构连接晶体管和芯片的互连部分。
  • 多样化的设备技术,如射频设备,电源管理子系统,传感器,执行器和微机电系统,将模拟函数集成到CMOS.基于技术。
  • 通过生长一层二氧化硅而获得的结构(SiO2)在硅衬底的顶部,然后沉积一层金属或多晶硅(常用的后者)。通常用于描述以这种方式制造的晶体管。
  • 一种FET.闸门被一层浅的绝缘体隔离。构造使用Mos.制造技术。
  • 太阳能光伏技术中的一种硅片,用单晶硅颗粒铸造成锭状。然后将这些锭片切成薄片,用于制造微芯片和光伏电池。
  • 发现了一种类型的缺陷平板显示器显示区域的亮度不均匀。也称为“云化”。
回到顶部

N

  • 具有带负电导率的半导体材料(多余的电子)。
  • 用于的一种逻辑运算符闪存仅当其输入中的至少一个没有信号时,才产生输出信号,因此“不为”(AN和Operator的倒数)。
  • 半导体,太阳能和显示行业的解决方案集中于小于100nm的尺寸。
  • 单位长度;一亿米。
  • 一些瓦里安植入器使用的一种装置,它在安装过程中测量离子束电流,并作为在梁线
  • 在离子束中运动的具有相同能量但不再带电的粒子。中性粒子不能被外场操纵,并将以固定的速度继续,直到与真空室壁或其他粒子发生碰撞。
  • 转化为氮化物
  • 一个Mos.在静电形成的n-中,有源载体是在n型源和漏区之间流动的电子的晶体管。通道在p型硅衬底中。
  • 用于的一种逻辑运算符闪存产生与或相反的输出结果。
  • 促进随后沉积的薄膜生长的一层薄膜。
  • a由a报告的疑似缺陷缺陷检查可以忽略的系统,因为它对已完成设备的功能没有影响。抑制干扰或“假警报”缺陷是先进缺陷检测系统的关键能力。
回到顶部

O

  • 氧化物 - 氮化物 - 氧氮化物;多层金属氧化物半导体栅极电介质。
  • 一个光刻增强技术,修改光罩电路特性补偿电路的非理想特性光刻的过程。
  • 一种发光器件,由于薄膜有机半导体中的电子-空穴相互作用而发射光子。
  • 离子注入,晶片的四方角与梁相对于梁。在不同的方向角度,不同的掺杂剂渗透深度和渠道将获得。
  • 离子注入,这是一种将离子束扫过晶圆边缘以达到均匀的做法剂量在晶圆周边。
回到顶部

P

  • 具有正电荷导电性的半导体材料(缺少电子)。
  • 一种在面板而不是晶片上消耗的新出现,高密度包装技术,其适应更少的模具。
  • 所有电路元件的固有电容等互连晶体管这导致他们的行为偏离“理想”电路元件。
  • 在半导体中,指的是密集导体之间不期望的电容,它可能导致诸如相声
  • 寄生电容可以通过降低介电常数来减小,或者k值绝缘体与相邻电路元件分开。
  • 一种垂直条形图,其中的值按相对频率从左到右的递减顺序绘制。有助于分析首先需要注意的问题。
  • 在通过电路元件上形成气密密封的半导体器件中的层,作为制造的最终步骤或通过作为晶片在加工工具之间传递的作为反应保护化学活性材料。等离子体氮化物和二氧化硅是主要用于钝化的材料。
  • 在半导体制造技术中,在晶圆上产生所需的电路几何形状。一般用于指光刻以及相关工艺如图形化薄膜沉积和蚀刻
  • 一个CVD.过程中使用等离子体驱动沉积的能量。这种技术可以降低沉积温度,提高薄膜密度和纯度。
  • 一种透明的聚合物片,用以保护光掩模的图案区域不受空气污染。在曝光过程中,任何污染物都被挡在焦平面之外,因此不会“打印”在晶圆上。
  • 通过在电池背面添加介电钝化层来实现更高能量转换效率的改良传统电池。介电钝化层通过减少电子重组,增加太阳能电池捕获光和反射通常产生热量的特定波长的能力,从而有助于提高效率。
  • 一个光罩在光刻技术中利用相位差产生的干涉来提高图像的分辨率。
  • 掺杂SiO制造的非晶绝缘材料2用磷改善防潮和回流特性。又称磷硅酸盐玻璃。
  • 一种熔融的石英(石英)板,通常为152平方毫米,覆盖有不透明、透明和相移区域的图案,将投影到晶圆上光刻流程定义一层集成电路的布局。
  • 一种感光的有机聚合物,被光照射光刻过程,然后发展产生一个图案,以识别底层薄膜的区域被蚀刻。
  • 例如,相邻特征中心之间的距离互联行或联系洞。
  • 任何创建配对的图案化技术,单个特征光刻图像与A.球场原始图像的一半,从而产生比单独的光刻过程更小的图案能够。有时会误导地被称为渐近。
  • FPD.技术,一种描述显示器上单个像素之间距离的分辨率度量。通常用每英寸像素或ppi表示。
  • 使用低选择性蚀刻或通过,不均匀晶片表面的过程相对平坦的过程CMP
  • 物质的第四种状态——不是固体、液体或气体。在等离子体中,电子从原子中被拉出,可以独立移动。单个原子是带电的,即使正负电荷的总数相等,保持整体电中性。
  • 在结束时沉积在完成的晶体管上的绝缘层FEOL第一种金属的加工互联层形成。
  • 第-通道在N型硅衬底中的静电形成的P沟道中,主动载体是在P型源极和漏区之间流动的孔的孔。
  • 一个rtp.在产生栅极氧化层氮化后,用于减少漏电流而不损失驱动电流的步骤门堆栈
  • 通常用于DRAM制造中的栅极电极的胶卷堆叠,由硅化物组成多晶硅
  • 多晶硅(或半晶硅,多晶硅,多晶硅,或简单地“poly”)是由多个小硅晶体组成的材料。广泛用于高掺杂状态的导体/栅极材料。聚薄膜通常是用硅烷热解沉积的LPCVD.的过程。
  • 使用的技术离子注入用来减少渠道故意非晶化之前的一个地区掺杂剂植入,从而能够实现更均匀的掺杂剂曲线。在一个非晶区域内没有定义没有信道。通常用诸如氩气的惰性元素进行预混合植入物。
  • 在沉积金属之前完成最后的植入物。
  • 在制造集成电路或其他设备中执行的操作或一组顺序操作。
  • 在集成电路或其他设备的制造中执行单个过程的封闭区域。
  • 优化每一个过程步骤,以便在连续的过程流中正确地处理前一个和后一个步骤。
  • 测量仪器用于测量表面型材,以量化其粗糙度和临界尺寸,例如步骤,曲率,平坦度,质地和高度。
  • 一种触控面板由电极的电网组成,该电极可以检测由导电物体的存在诸如手指或导电触控笔的静电场的畸变。
  • PCT面板通常用于所需的应用程序,以便同时需要精确跟踪多个接触点,例如智能手机和平板电脑。
  • 把光转换成电的过程。太阳能光伏发电是利用太阳辐射发电。
  • 一种用于制造薄膜光伏组件的树脂。形成在一片玻璃上的光伏电路被一片PVB覆盖,然后后玻璃.然后这个组件被层压封装电路,保护它不受环境的影响。
  • 导电材料(铝、氮化钛等)的原子是一种处理技术溅射目标由纯材料制成,然后沉积在基片上,在集成电路或FPD.
回到顶部

  • 一类设计用于四重电路特征密度的图案化技术,该技术可以在特定光刻的分辨率限制下在晶片上产生的电路特征密度步进电机
  • 由四个交替符号产生的磁或静电场,排列在圆圈中;用于聚焦一束带电粒子。
回到顶部

R

  • 一个空气污染指数允许在机器“运行”之间修改加工参数以使可变性最小化的技术。
  • 一个原子或一组原子,至少有一个未配对的电子,因此不稳定,反应性很强。
  • 一种化学分析的光谱方法,依靠单色光的非弹性(拉曼)散射。以非接触方式实现对化合物的实时反应监测和表征。
  • 一个退火将晶圆短时间加热到规定温度的过程。
  • 在半导体器件制造期间重复使用RTP,以用于此目的激活植入掺杂剂或改变材料的状态(或阶段)以增强所需的属性(例如,导电性)。退火可以使用三种技术进行 - 浸泡,尖峰和毫秒。技术的选择取决于若干因素,包括装置的容差,以承受制造序列中特定点的一定温度/时间曝光。广泛地说,设备可以承受更长的曝光(30-90秒),也称为浸泡退火,在制造周期的早期高温下。随着循环的进展,如果需要高温,必须降低温度或显着缩短。尖峰退火落在后一种类别中并用于来源-流走种植体活化扩散与高k/金属制造。
  • 一个成角度的。指的是侧壁是凹形的特征。
  • 用于特定工艺步骤的记忆参数,例如气体流动温度和压力。通常,相同的配方用于所有晶片中的所有晶片很多
  • 芯片上的额外金属层,可以使输入/输出焊盘集成电路可在其他地方使用,使芯片间的连接更容易。
  • 一种要求增加风能、太阳能、生物质能和地热能等可再生能源能源产量的法规。这一概念的另一个常见名称是可再生电力标准(RES)。
  • 导电材料对通过它的电流的抵抗程度的量度。
  • 离子注入一种小孔,通常直接位于分析仪后面,它将光束分解成一种带有特定电荷的分子或原子。
  • 透明平板一种平的、透明的板,用于步进电机包含要在晶片上再现的晶片图案的图像。经常互换使用光罩
  • 苹果公司的商标用于描述像素密度足够高的任何显示器,人眼不能区分各个像素。
  • 请注意,此术语与其直接相关像素密度,因为它包含了观察距离。对于一个手机屏幕来说,视网膜显示器的像素密度应该超过300ppi,而电视屏幕的像素密度只需要大约50ppi。
  • 在半导体制造技术中,电磁场或静电场在2MHz-200MHz或1-3GHz范围内的振荡频率。在某些类型的晶圆处理室中,等离子体是通过向ESC、屋顶感应结构或屋顶电容结构施加强射频场来引发的;振荡电场通过剥离气体分子中的电子使其电离,从而产生等离子体。
  • 一种周围性血管疾病与传统的PVD反应器相比,该工艺使用电感耦合等离子体,允许更低的离子能量,从而形成更温和的沉积机制,可以创建非常薄的亚纳米薄膜,并几乎消除对底层电路特性的损害。
  • 离子注入,一种被限制在一个矩形截面内的电子束,通过沿单一轴控制电子束,使其覆盖晶圆片的整个表面。与必须来回扫描以覆盖晶圆的点束相反。
  • 一种蚀刻技术,它使用化学反应等离子体来除去沉积在晶圆上的物质。来自等离子体的高能离子与晶圆表面的材料发生反应。
  • 用于初始抽空真空系统的机械泵。这个过程称为“粗加工”。
回到顶部

年代

  • 由应用材料创造的术语来描述CVD.工艺执行略低于大气压力使用Teos./臭氧化学。
  • 自我校准的收缩硅化物.Palicide处理技术寻求利用沉积在图案化的硅衬底上的耐火金属的原理将在特定的加工条件下选择性地与暴露的硅反应,并且不会与诸如氧化硅材料的相邻材料反应。因此,不需要图案化步骤。
  • 一种使用牺牲侧壁间隔膜以达到比某一特定光刻技术的正常极限高四倍分辨率的模式技术步进电机
  • 离子注入,离子束相对于晶片的移动以覆盖整个晶片表面。
  • 部件离子植入机这将在晶片上移动离子束,或者通过离子束移动晶片。这可以用磁场,静电场或机械运动来实现。
  • 使用电子束而不是光照射样品的显微镜。梁将在样品表面上来回扫描。
  • 晶体硅太阳的光伏制造,支撑模板的薄片材料,其中辊子或刮板通过该开口区域迫使银膏或其他材料来形成晶片上的图案。它类似于光罩在半导体制造中。
  • 离子注入,一个薄,牺牲的sio层2停止夹带在离子束中的杂散离子,随后将被除去。另外,氧化屏略微散射主离子束因此防止渠道
  • 一种软件协议,用于规范半导体制造设备和主机控制系统之间的通信。它的目的是通过建立一套通用的指令集来简化工厂的自动化工厂
  • 一个成核层其中,成核材料与随后沉积的薄膜相同。
  • 只在需要时发生而不影响邻近材料的,如在选择性沉积或选择性去除中。
  • 一种用于提高晶体硅转换效率的技术光伏太阳能电池。选择性发射器是非常掺杂的区域,精确地放置在前金属接触线下方,以减少电接触电阻并允许电力更自由流动。掺杂区域通常通过沉积制造掺杂膏在晶圆表面,然后在顶部打印接触线。
  • 两种材料在腐蚀过程中所观察到的腐蚀速率之比。通常用来指用于去除的材料的相对腐蚀速率面具,以及蚀刻模式保真度的重要指标。
  • 导电性在金属(导体)和绝缘体(非导体)之间的中间的材料,并且可以通过添加来物理或化学改造以增加或降低其电导率掺杂剂
  • 硅烷一种容易分解成硅和氢的气体,常用于沉积含硅化合物。它还与氨反应生成氮化硅,或与氧气反应生成二氧化硅。
  • 退火(烧结)过程导致形成金属 - 硅合金(硅化物)以充当接触。例如,由于硅化,TIS沉积在Si上形成TISI2。
  • 硅与正电性更强的元素组成的化合物。镍,钽,钛和钴硅化物薄膜被用来为晶体管连接创造欧姆(低电阻率)接触。硅化钼是常用的吸光层光掩模.硅化钨(矽化物)用于DRAM栅电极。
  • 最普遍的介质用于半导体制造的材料,因其通用性和稳定性。又称“氧化物”,它可以通过热氧化或沉积方式在硅晶圆上定向生长PECVD.HDP-CVD流程。
  • 用等离子体增强或LPCVD沉积的硅/氮薄膜介质。有时被松散地称为SiN。
  • 由单p-n结构成的PV电池。这包括非晶硅薄膜和大多数晶体硅单元格类型。
  • 高功率磁控源周围性血管疾病向等离子体赋予足够的能量的过程溅射金属原子被电离了。然后利用电场将金属离子加速到晶圆上,形成更具方向性的沉积图案,从而在小的几何结构中形成更高的台阶覆盖率。
  • 在半导体中,一种在液体中悬浮的研磨性固体CMP流程。在PV中,用作磨料介质线锯晶圆
  • 源掩码优化(SMO)是一种分辨率增强技术光刻补偿由于像差、衍射或过程效应而产生的图像误差。
  • 在半导体制造中使用层叠硅绝缘体 - 硅衬底。SOI基板提供减少寄生电容在集成电路中相邻器件之间,与批量晶圆内的器件相比,能够降低功耗,从而提高器件性能。
  • 一种将太阳能直接转化为电能的装置光伏的效果。多个细胞连接在一起形成模块
  • 公用尺度光伏电站。
  • 轻,掺杂区域延伸来源流走进入晶体管通道在晶体管器件的运行过程中使电场散开的。如果没有扩展,非常小的晶体管中的电场可能足以损坏栅极介质并导致器件失效。
  • 离子注入用于创建源 - 排水扩展的过程是一个例子损伤工程学
  • 通过将统计技术应用于过程的监视和控制来改进制造质量控制的一种方法。
  • 一种固定冷却的金属板,位于植入盘的顶部,在植入过程中用来捕获离子束过扫描
  • 什么时候不同食谱在a之内使用很多为了提高特定过程步骤的性能的实验目的,该批次被称为分裂批次。
  • 原子从固体中喷出的一种沉积薄膜的方法目标由于精力粒子轰击靶引起的材料。
  • 光伏晶圆制造,使用专业化将硅锭切成矩形块的过程线锯.然后这些方块或砖被切成独立的晶片晶圆的过程。
  • 一种计算机存储器,其中每个位存储在具有两个稳定状态的通常6或8个晶体管的网络中。
  • SRAM细胞复杂并消耗芯片上的更多区域动态随机存取记忆体细胞,但具有更快,更高劣的功能。
  • 微处理器和其他逻辑芯片通常是用芯片上的SRAM单元制造的,用作高速缓存,用于存储最常访问的指令和数据。
  • 用于使用的机器晶圆CMP使用的流程泥浆为了回收如磨料和冷却等材料,以便后续回收。
  • 分别的特征侧面的厚度与薄膜厚度的比例分别在底部(例如,在通孔)或特征(例如,FINFET的翅片中)的厚度。
  • 用于转移掩模版的设备(Photomask)晶圆上的图案。相同的图案被转移到每个在晶圆上。
  • 将每个晶体管或存储单元与其相邻单元隔离以防止电流泄漏的一种技术。这项技术采用了一种在硅中蚀刻的沟槽图案,填充了二氧化硅等绝缘材料。
  • 半导体制造中的一种工艺,通过扭曲晶体将应力引入晶体管和存储单元晶格.在逻辑中,这使得电力能够通过晶体管更容易地移动,增加晶体管性能。在记忆中,应变也可以减少漏电流,允许更高的细胞密度。
  • 一种用于线锯为提高切削速度而形成或卷曲成锯齿状或类似的轮廓。
  • 操纵薄膜的材料。硅最常用于半导体和C-Si PV电池。玻璃通常用于LCD和薄膜PV应用。
回到顶部

T

  • 一种使用多种光转换材料来提高转换效率的太阳能光伏电池。例如,串联结薄膜硅电池无定形硅和微晶层。
  • 周围性血管疾病,目标是要沉积的材料的来源。原子由于高能粒子的轰击而从目标中被喷射出来。
  • 用于光电器件的掺杂金属氧化膜,例如平板显示器,触摸面板和光伏。在LCD中,TCO层形成产生电场以偏振液晶的电极。在触摸面板中,TCO层用于传感电极。在光伏,TCO形成细胞的顶部电极。
  • 一种透射电子显微镜,通过超薄样本传递电子束。它以与光学显微镜相同的基本原理,但具有更高的分辨率。
  • 正硅酸乙酯是氧化物沉积的液体源,是与
    公式Si (OC2H54
  • 终端效应是一种现象电化学沉积因此,沉积的薄膜在晶圆片的边缘要比中心厚。它是由晶圆片的电阻引起的负极与晶圆边缘向中心接触的电压降引起的。这个电阻的一个主要组成部分是种子层在晶圆上沉积周围性血管疾病在电镀过程之前。种子层在每个技​​术节点处变薄,这增加了晶片的电阻率并加剧了终端效应。可以通过使用可以调节晶片上的施加电压的先进电流密度控制系统来补偿效果,从而在晶片上均匀沉积。
  • 从纳米的馏分到几微米的一层材料范围厚。
  • 晶圆的数量工具可以每小时处理一次。
  • 用于指半导体加工设备的术语。
  • 在晶片表面上制造特征产生的半导体,非平面性。这对后续层的图案产生了显着影响,因为景深的有限景深步进电机光学系统可能导致部分图案超出规格。也用于描述不同材料去除率引起的不均匀性CMP
  • 一种计算机界面,可在典型的矩形区域上检测触控笔或手指的存在。
  • 经常与显示器集成以生产a触摸屏
  • 一个工具它集成了半导体制造中处理光刻胶所需的几个步骤(沉积、软焙、曝光、显影、硬焙)。
  • 一种半导体器件,用于转换和放大电子信号,是集成电路的基本元件。
  • 晶圆片上的凹槽,用作器件结构的一部分。
  • 内置在电容器中的电容器在衬底上。这种技术可以在不增加形成电容所需的晶圆片面积的情况下增加电容。
  • 一种二次真空泵用于制造高真空。高速涡轮叶片,与固定叶片交替,压缩气体分子到泵的底部,由一个粗泵去除。
回到顶部

U

  • 数字视频格式,分辨率为3840 x 2160像素。
  • 又称2160P和4K,UHD具有四倍的像素,作为传统的HD 1080P视频。
  • 半导体制造业的一个领域,主要致力于减小半导体的厚度交界处形成了来源流走先进的晶体管区域,以提高性能,同时保持可接受的泄漏电流和击穿电压。
  • 倒装芯片封装中的沉积工艺,其将管芯与焊料凸块连接到基板。
回到顶部

V

  • 低于大气环境的压力,通常通过特定压力范围提及:
  • 粗略的真空,从大气压到1 × 10-3托尔
  • 高真空,从1 x 10-3Torr到1 x 10-9托尔
  • 超高真空(UHV) -低于1 x 10-9托尔
  • 离子注入,用于将固态离子源材料转换成用于离子束生产的气态的装置。
  • 通过介电层的垂直途径,使电气连接在一起互联层。
  • 一个芯片上有10000到1000000个晶体管。这个术语通常被扩展到描述任何数量的晶体管大于10000的芯片。其他术语如超大规模集成电路(ULSI)也被创造出来,但不再被广泛使用。
  • 也称为3D NAND阵列。
  • 一个班的闪存将多个二维存储单元阵列垂直层叠在单个基板上的体系结构(与使用wafer-level包装)。
  • VNAND是一种增加的方法钻头密度不一定降低每个单独细胞的大小。
回到顶部

W

  • 单瓣的薄的、圆形的或近方形的薄片多晶体用来制造半导体和光伏电池的硅。
  • 包装技术集成电路虽然仍然是晶圆的一部分,而不是将晶片切成单个电路(骰子),然后包装。
  • 把硅锭或硅砖分成晶圆的过程。
  • 一种由金属或石墨制成的保护性衬垫,安装在容器内部波导.不需要的离子物种放弃了这些衬垫的能量。
  • 卷到卷涂层技术的另一个名称,其中薄膜材料沉积在柔性材料的卷上。
  • 在工艺步骤之间使用液体化学从基材上去除不需要的材料或污染物的工艺。
  • 在固体表面均匀分布而不是形成离散液滴的能力。
  • 一种机器,用于在硅晶片的制造中执行三个关键步骤。
  1. 作物 - 去除单晶硅锭的锥形末端
  2. 方正-把圆柱形的切下的铸锭变成矩形块或砖。在多晶晶圆制造中,这一步用于将大型铸锭切割成砖
  3. 散翅 - 将砖块切成单个晶片
  • 所有门之间的连接晶体管在内存数组段的某一行中。
WP.
  • 瓦峰,太阳能工业单位,用于在理想的辐照条件下提供的太阳能电池的功率。
回到顶部

Y

  • 在符合规格的工艺中生产的产品(例如晶圆片或模具)的百分比。
回到顶部