应用生产^®XP精度^®德拉科™化学汽相淀积

今天的全球数字转型推动了低成本、高密度的需求动态随机存取记忆体芯片，特别是用于数据中心服务器。然而，物理设计的限制限制了DRAM的扩展，使其无法跟上人工智能、5G、物联网和其他数据密集型计算应用对内存的需求。

应用生产者XP精密德拉科硬掩模解决了一个关键的限制:DRAM存储电容器扩展。

该电容器是一个直径约30nm的超小结构。它的电容正比于它的体积。随着电容直径的缩小，长宽比增加以保持电容。但高能离子蚀刻越来越深的电容器孔也蚀刻硬掩模。宽高比越高，在电容器孔完全形成之前，硬掩膜被侵蚀的风险就越大，从而破坏设备。

德拉科硬面具解决了这个问题的新材料选择性比传统DRAM电容硬掩模高出30%以上。它可以沉积30%的薄硬掩膜，从而降低电容器的长宽比，并减轻蚀刻过程的难度。

德拉科硬面具与应用软件的Centris进行了协同优化^®Sym3^®Y腐蚀该系统特别适用于新材料的蚀刻，在当地的产量提高了50%CD电桥缺陷(短路)减少100X。