技术术语表

• 硅片直径约为8英寸的硅片。也用于指工具用于加工这种尺寸的晶圆片。

• 硅片直径约为12英寸的硅片。也用于指工具用于加工这种尺寸的晶圆片。

• 另一种说法是UHD数字视频格式。

• 从液体或气体中去除有毒或其他有害物质的过程。例子包括从CMP将液体或气态毒性流出物转化为安全形式。

• 在离子注入，用来增加原子或分子能量的装置。（见提取电极)

• 在接受电子的半导体中的杂质。硼是用于掺杂硅的主要受体离子注入的过程。

• 在生产线上用来临时存储在制品的一种存储装置。

• 在离子注入，将原子引入晶体管的一部分以改变其材料特性的过程;在最常见的应用程序中，掺杂剂原子具有电活性，也就是电荷航空公司并增加了植入区域的电导率。
• 当掺杂剂原子被注入时，硅晶体就会破裂晶格中断,或无态．晶格随后用rtp.，在这一过程中，掺杂离子占据晶格和电荷中的取代位置航空公司被创建。

• 一种使用电致发光阵列的显示器OLED像素所控制薄膜晶体管．
• AMOLED显示屏上的每一个像素都直接发光，这一点与普通显示屏不同液晶显示器当整个显示器由背光照射并且通过背后照射并且通过控制每个像素处的液晶偏振的薄膜晶体管选择性地允许。
• 与tft - lcd相比，AMOLED显示器的主要优点是，“关闭”像素不消耗电力，整体功耗显著降低。

• 一个类型的二元光掩模使用不透明的MoSi层作为吸光层。一层极薄的铬层放置在上面，用作硬掩模用于蚀刻工艺。也称为不透明玻璃上MoSi（OMOG）光罩。

• 用于解决多变量控制问题或离散控制问题的过程控制工具的广义术语。这些工具包括统计过程控制，每次运行的控制和故障检测与分类。

• 一层薄膜沉积材料一次沉积材料的施加一部分单层材料。

• 一个周围性血管疾病过程在低压和大目标以产生沉积物种的定向通量。

• 一个类型的PSM在石英衬底上蚀刻不同深度的区域，从而在透射光中引入180度的相移，以提高对比度，从而提高晶圆上投影图像的分辨率。

• 微芯片内连接晶体管和其他电路元件的铝通道。

• 一种材料的晶格结构的破坏离子注入．可以使用晶格进行修复rtp.．在pre-amorphization技术，晶格在植入前故意破坏。

• 一种没有晶体结构的硅沉积。
• 在光伏，非晶硅是重要的薄膜技术
• 在液晶显示器在制造方面，a-Si是应用最广泛的背板类型。

• 在离子注入，用于分析离子物质的磁体，并基于原子重量选择所需的离子。

• 长度单位;百万分之一米

• 设计用于修复晶圆片晶体结构缺陷或引起相转变的高温加工步骤。

• 自动视觉打印后检查，摄像头自动扫描印刷基板，以进行质量控制和缺陷检测。

• 看到先进的过程控制．

• 在离子注入离子束通过的一个开口，它决定了离子束前进的形状和大小。

• 一种可剥离的非晶碳薄膜硬掩模对于高级光刻技术和腐蚀模式．

• 一种光吸收层(通常是氮化钛)，沉积在金属或多晶硅的顶部，以改善光刻技术表现。

• 自动清洗功能，通过安装在梭子上的布垫和打印头的同时运动来清洗打印网的底部，从而取代了传统的由操作员操作的程序。

• 电路特性的深度与宽度之比通过或接触．

• 一个类型的PSM这允许少量的光通过特定的区域，从而干扰来自掩膜透明部分的光，目的再次是提高晶圆片上的对比度。

• 在光伏模块制造中，通过使模块经受升高的温度和压力来除去高压釜来除去捕获的空气并改善层压膜和玻璃基板之间的粘附性。

• 任何有搬运机器人的设备可以移动磁带，吊舱，或者foup进出固定设备。

• 一种采用的技术晶片检查系统根据其物理和光学性质，缺陷被分为几类。

• 覆盖整个太阳能背面的金属层光伏细胞并充当导体。
• 也用于指先进的单元设计，如EWT电池的两端都位于晶圆片的背面，从而增加了电池的聚光面积，从而提高了转换效率。

• 薄膜太阳能组件的底层，提供刚性和电绝缘。电流从模块中通过接线盒这通过后玻璃中的孔连接到电路上。

• 在液晶显示器制造时，背板是阵列的薄膜晶体管控制显示器上每个像素的光输出。
• 用于制造晶体管的材料描述了三种主要的背板技术通道：非晶硅，金属氧化物和低温多晶硅．

• 在抽真空过程中通过加热加速真空系统或部件表面脱气的技术。用于减少达到特高压压力所需的时间。

• 除了太阳能组件外，还包括太阳能光伏发电系统所需的组件，包括安装结构、布线、逆变器、地面和维护。

• 一种物理层，用于防止阻挡层之上和之下的层的混合。

• 一种同时处理多个晶圆片的加工顺序，与单晶圆片(连续)加工不同。

• 一个固定的冷却金属板上高电流离子注入器它能捕获离子束过扫描．

• 在离子注入，即离子束中任何不受欢迎的物质或离子电荷。

• 离子注入器末端站的扫描电流，定义为光束中物种的数量、速度和电荷的乘积。

• 在离子注入是一种带负电荷的电极，用来反射移动缓慢的带正电荷的离子。(见静电的镜子)

• 的组成部分离子植入机通过这个掺杂剂光束在高真空下从源到端站晶圆所在的位置。

• 从晶体管制造到晶圆制造完成，再到电测试之前的一系列工艺步骤。又称后端半导体制造。后端也指晶圆片生产完成后的部分，即切片、封装和测试。

• 在LED制造中，满足所需波长规格的晶圆上的器件的比例，光视效能和正向电压．

• 一个光掩模镀有一层吸收光的薄膜的图案，通常是铬的。从光学上说，这是最简单的掩模类型，缺乏相移特性PSM和APSM类型。另请参阅先进的二元掩模．

• 一种衡量存储设备基片的给定区域内存储单元排列紧密程度的指标。
• 一般而言，希望较高的比特密度是理想的，因为它倾向于提高性能并降低成本的成本。
• 通常是以每平方英寸的比特数来衡量的。

• 从内存单元中写入/读取信息的行。

• 光伏材料用于替代传统的建筑材料，如屋顶、天窗或立面。

• 鞋套磨损以减少污染洁净室．

• 用于沉积描述工艺在电路特征底部沉积材料的能力，与晶圆上表面相比，或场．它被定义为场上的薄膜厚度除以给定特征底部的薄膜厚度的比率。

• 一种掺杂SiO而制成的非晶绝缘材料₂添加硼和磷，提高防潮性和回流特性。

• 一个缺陷检查收集缺陷反射光的技术，产生一个缺陷在白色背景下呈暗色的图像。一般来说，brightfield系统更灵敏，但速度比其他系统慢暗视野检查。BrightField检查通常用于在晶体管制造期间找到图案化缺陷。

• 一种全身穿的衣服洁净室减少颗粒和污染物排放到空气中。

• 在薄膜光伏组件中，相对较大的导电带从单个太阳能电池中收集能量。

• 一种材料能储存电荷的程度。

• 用来临时储存电荷的电子元件。它由两个导电面由一个不导电面隔开介质．

• 电子或洞通过导体或半导体材料携带电荷的物质。

• 厘米一种度量，通常用厘米表示²/V·s，表示载流子(电子或洞)可以在外加电场的作用下通过半导体。材料的电导率与移动性乘以载流子的浓度成正比。高迁移率在半导体器件中是非常可取的，因为它通过更快的晶体管开关导致更高的器件性能。

• 一种金属或塑料开口容器，用于将晶圆(通常为25片)传送到工具上或从工具上传送出去。卡带可以保护晶圆免受直接处理可能造成的损坏。

• 一个类型的扫描电子显微镜用于测量关键尺寸。

• 一种使用镉-碲化合物作为光转换活性层的薄膜太阳能电池。

• 蚀刻中用来描述蚀刻精度的参数腐蚀的过程。CDU定义为重复特征的大小与其标称值(CD)的几个点测量基质．

计算流体动力学，流体力学的一个分支，使用数值方法和算法来解决和分析涉及流体流动的问题，

• 在一个场效应晶体管，通道是半导体区域，电子通过该区域在之间流动源和排水由施加在电极上的电压控制的端子门．

• 在离子注入在美国，当光束中的一些离子撞击单晶硅原子晶格结构之间的晶片，并比其他离子穿透更深时，就会发生沟道。由于无法准确计算或控制种植体的深度，沟槽是不可取的。通过倾斜或旋转晶圆，在其表面覆盖氧化屏，或预非晶化硅，可以减少沟槽。

• 一个原子粒子向一个电离的原子失去一个电子。

• 铜铟二硒化物:一种使用铜、铟、硒化合物的薄膜太阳能电池材料。第四种元素镓也可以加入到化合物(CIGS)中以达到更高的浓度效率．

• 工厂中的一个区域，用于调节空气，以去除可能妨碍半导体设备正常工作的空气颗粒。

• 一个金属氧化物半导体由成对的p-组成的器件通道和n沟道晶体管。
• 也用于指用于构建以CMOS晶体管为特征的集成电路的制造工艺家族。

• 使用磨料，化学活性浆料的过程在部分加工的晶片上物理地磨损微观地形特征，使得随后的工艺可以从平坦表面开始。也称为化学机械抛光。

• 一个离子注入将两种物质植入材料的同一区域以改善掺杂区域的电性能的技术，通常用于改善晶体管性能。
• 例如，可以与氟或氮等非掺杂原子共注入掺杂物如硼生产超浅管理办公室晶体管渠道通过改进掺杂剂激活以及从掺杂到未掺杂区域的急剧转变。

• 所述封装的底面平行于所述印刷电路板的落地面

• 一层液晶平板显示器，它被分成红、绿、蓝三个透明区域，每个区域上覆盖着一个晶体管，可开关到全范围的颜色。

• 利用计算机系统和软件来辅助二维或三维设计的创作、修改或分析。

• 一种利用计算机控制整个生产过程的制造方法，允许各个步骤交换信息并发起行动。

• 一种含有移动载流子的材料，如电子或离子。

• 晶片上的一种特征，它在第一个晶片之间形成了电通路互连层和晶体管。该地区通常充满钨。

• 在射频等离子体与“脉冲”输出相反，在“脉冲”输出中，电源被调制，通常是在两个不同的振幅之间，频率在100-1000Hz范围内。

• 一个互连采用铜作为导电材料的结构，与铝互连相比，提供了更好的设备速度和更低的功耗。

• 一层薄的铜层，通常沉积物理气相沉积，为后续成功沉积铜块体膜提供了一个润湿成核层电镀法．

• 一个兴奋剂沉积包含所需要的保形材料层的过程掺杂剂然后在底层电路结构中使用热过程将掺杂剂驱动到可控的深度。CPD提供了一种掺杂复杂的三维结构的方法。兴奋剂通常由离子注入，它用高速移动的掺杂离子轰击晶圆。然而，这种视线轰击过程不能提供均匀的3D结构掺杂。更重要的是，快速移动的离子会破坏尖端芯片中的超薄半导体层。CPD旨在解决这两个问题。

• 在光刻， CD是最小的特征尺寸，是要图案上晶圆．在其他半导体工艺中，CD是指在多个点上发现的特征的大小基质用于描述给定过程的准确性或其他特征。

• 一个不希望的效果，其中电路元件中的信号，例如互连线路，影响附近另一条线路的信号。在半导体中，耦合通常是寄生电容在两个电路之间。

• 将材料的温度降低到-100℃或更低。

• 一种技术损害工程衬底被冷却到温度很低的地方
  至-100°C。
• 离子注入对冷却基板进行改进黑色化属性，可以减少形成end-of-range缺陷，从而降低泄漏电流。

• 一种通过低温冷冻和吸收气体分子来捕获气体分子的二次真空泵。低温泵能够产生非常高的真空，但必须定期进行再生，即允许返回到环境温度，以解吸和泵走捕获的气体物种。

• 原子排列成有序的周期性排列的材料。

• 在晶体结构中使用纯硅衬底的太阳能电池技术的通用术语。

• 一种通过曝光薄膜来沉积薄膜的方法基质一种或多种挥发性前体，其在衬底表面上反应和/或分解。

• 晶圆片通过制造过程中某一特定部分所需要的时间。

• 一类使用中的技术离子注入通过故意破坏硅晶体结构来控制半导体器件的电特性。
• 特别是，损伤工程用于通过调节离子来控制掺杂剂扩散的深度剂量率,采用低温植入和/或使用co-implant物种。
• 在制造非常小的几何形状的晶体管，损伤工程被用来使性能提高的技术，如source-drain扩展，pre-silicide和应变工程．

• 通过过度填充沟槽创建铜金属互连的方法层间介质使用儿童早期开发然后使用CMP除去多余的铜。

• 非反射性，非能量吸收，无机介质沉积在金属或多晶硅表面以改善的一层光刻技术表现。

• 一个缺陷检查利用探测器收集散射光使缺陷在黑暗背景下显得明亮的技术。通常用于寻找晶圆片上的粒子互连制造。与之比较brightfield检查。

• 波长在300nm以下的紫外线光谱的一部分。

• 一种将缺陷定位在有图案的晶圆片上的工艺。一个缺陷位置列表被创建并传递给DR-SEM审查和分类。

• 一个类型的扫描电子显微镜用于在晶圆制造过程中对缺陷类型进行分类，并确定这些缺陷是否会影响芯片成品率。

• 用于将绝缘或导电材料薄层沉积到基板上的过程。

• 概述集成电路设计和布局的几何形状和连通性限制的规则。

• 在半导体制造中，在硅片上制造功能电路的面积。在每个晶圆上制造数百个相同的晶圆(可选择的复数是die和dice)。

• 一个绝缘体
• 也可更具体地用于指可被外加电场极化的绝缘体。在半导体加工中常用的两种介质是二氧化硅(SiO)₂）和氮化硅（Si_3.N₄）.

• 批量加工离子注入机上的大锥形轮用于保持晶片离子注入．晶片安装在磁盘的每个“辐条”的末尾。当磁盘旋转时，每个晶片又通过离子束，该离子束径向扫描以递送均匀剂量在每个晶片。

• 为了改变某些固有特性，如电阻率或熔点而在材料中加入一定量的杂质。向半导体中加入掺杂剂会产生一种主要为负(n型）或阳性（p型)的载流子，这取决于搀杂剂的种类。

• 一种粘性液体或悬浮液掺杂剂材料。

• 杂质的引入，或掺杂物．进入材料的晶格以改变其电学性质。为了创建n型区域，砷(As)，砷(AsH)_3.)、磷化氢(PH_3.)和锑（Sb）是常用的。对于p型区域，典型掺杂物是硼(B)二氟化硼(BF₂)和三氟化硼(BF_3.）.

• 总金额掺杂物在离子/ cm中测量²需要给予植入晶圆所需的电性能。

• 一种精确的电流测量装置，用来计算注入晶片的离子总数。该功能有时与均匀性监测相结合。

• 一类图案化技术，设计用于使在特定光刻分辨率极限下可在晶圆上产生的电路特征密度加倍步进．

• 太阳能使用的技术光伏在多个精确对齐的丝印操作中建立接触线或其他结构的制造。
• 双打印的应用实例包括制造更窄、更高的接触线和选择性发射极细胞类型。

• 一种使用电感耦合以产生氮等离子体并将氮掺入超薄栅极氧化物的顶表面层以增加栅极电介质的介电常数。

• 一个类型的ICP等离子体主要用于分离等离子体密度和离子能量管理的蚀刻应用的光源，导致高蚀刻率和最小的等离子体对基材的损伤。

• a的输出端场效应晶体管．

• 一种易失性计算机存储器，其中每一位都存储在一个单独的电容器中。由于电容器随着时间的推移会自行放电，每个位元的状态必须大约每秒刷新15次，因此才有了“动态”这个术语。与“静态”闪存．
• DRAM提供了任何类型内存中最快的编程，这使得它非常适合直接连接到微处理器上作为主内存使用。

• 一个大山雀同时用铜形成和填充两个特征的过程沟覆盖A.通过可以用一个铜沉积步骤填充两者。

• 一种复合材料，该复合材料包括一种树脂组件，使其具有粘附性和悬浮在其中的导电颗粒，使其具有导电性。当树脂组件固化时，导电颗粒相互接触，使其导电。

• 在太阳能光伏技术中，入射太阳能转化为电能的比例。

• 导体中离子运动引起的物质运动，这种运动是由导电电子和扩散的金属原子之间的动量转移引起的。

• 将金属从化学溶液中取出并沉积在带电表面的一种沉积过程。也被称为电化学电镀、电镀或电沉积。

• 用于接触电路的非金属部分的电导体半导体）.

• 通过电解的方式进行的，电解是通过电流将液体分离成不同化学成分的过程。

• 由发射相同频率的电磁波的多个源产生的效应。

• 带负电荷的稳定的亚原子粒子，作为电的载体。

• 在离子注入，在晶片附近的端站中的电子源，用于中和可能损坏敏感电路特征的带正电荷的植入离子的不希望的电荷累积。

• 电子(或质子，同样大小的电荷)通过一伏特的电压差而获得的能量。在离子注入， eV被用来测量粒子的动量。动量大的粒子会比动量小的粒子更深入地穿透半导体晶格。

• 没有电流流过的静态电压场。在离子注入它指的是利用电压弯曲或聚焦离子束。

• 金属基板相对于其上的晶片保持高电压，因此静电力将晶片夹在上面。

• 反射电子的带负电荷的电极梁过滤器．

• 一种先进的回来联系光伏电池。在发射器包绕细胞结构中，一个连续的发射器通过数千个直径小于100微米的激光钻孔通道扩散，将电流带到细胞的后部。通过消除前触点，EWT增强了光吸收，提高了电池效率。

• 面积离子植入机处理和处理晶片的地方。

• 此外，已知为范围脱位环，EOR缺陷是在硅晶格中发现的缺陷，立即位于界面以下无态以及晶体管的晶体区域通道后离子注入．
• 使用该方法可将提高采收率的缺陷降至最低低温植入．

• 一个beamline用于某些Varian的元素离子注入机这同时将离子束同时减速到最终能量，并滤除离子束以去除可以“涂抹”晶体管的不需要的高能元件通道，导致漏电流增大，性能下降。

• 用来比较闸的性能的一个数字介质通过表示氧化硅膜需要多厚的材料，以产生与所使用的介电材料相同的效果。
• 一种数字用于比较高k电介质MOS门具有SiO2的MOS门性能的性能。我t shows thickness of SiO2 gate oxide needed to obtain the same gate capacitance as one with thicker SiO2 dielectric with higher dielectric constant k [e.g., EOT of 1 nm would result from using a 10 nm thick dielectric featuring k=39 (k of SiO2 is 3.9)].

• 一种沉积或生长单晶薄膜的方法，在该方法中所沉积的薄膜具有与衬底相同的晶格结构和取向。这使得构建半导体器件的高纯度起点成为可能。

• 一个空气污染指数监控处理工具的技术，以提供可视化和统计的报告工具，以识别瓶颈和提高工厂绩效。

• 通过化学反应或物理轰击来清除某一特定区域内物质的过程。该过程可以使用液相(湿)蚀刻剂或在真空(干)下进行，通常使用等离子体生成气相反应物。

• 过程中材料被移走的速度腐蚀加工，通常用Å/s或nm/s表示。

• 用于限制的膜层腐蚀深度和保护底层材料。ESL是选择耐腐蚀化学正在使用。

• 一个光刻技术采用13.5nm EUV照明。它代表着一种重大的背离DUV因为所有光学元件必须采用反射模式，并且整个光学系统必须保持真空。

• 对过程指定参数的偏差。

• 在离子注入，提取电极用于从源提取带正电荷的离子。离开源的离子沿下游结合形成用于植入的束掺杂物变成硅片。

• 半导体制造工厂的通用名称，用于制造集成电路的工厂。

• 也称为嵌入式晶圆级球网格阵列。一种芯片封装方案，封装不在硅片上，而在模压材料(如环氧树脂)制成的人造硅片上。芯片之间的距离通常比硅片上的距离大。在芯片周围形成互连，从芯片衬垫到互连处形成电气连接。可以在任意距离(扇形设计)的封装上创建任意数量的额外互连，这使该方案成为空间敏感应用的理想方案，在这种应用中，芯片面积将不足以在合适的距离放置所需数量的互连。

• 一个空气污染指数使用流程状态模型推断故障状况的发生和位置并诊断故障原因的技术。

• 集成电路制造的第一部分，包括晶体管制造。FEOL通常涵盖一切，直到(但不包括)沉积联系人和金属互连层。“前端”一词有时指的是完成晶圆的整个过程。

• 一种依靠电场来控制半导体材料中载流子流动的晶体管。

• 安装在半导体处理系统前端的超洁净外壳，用于将晶圆传送到洁净室环境和系统内部。

• 一个术语，用于沉积描述晶圆片的上表面与电路特征表面(如沟槽和通道)的区别的应用。

• Finfet是一种类型场效应晶体管其中传导通道通过薄的硅“翅片”在三面上围绕，形成晶体管的栅极。尽管技术上，该术语仅指具有两个门的设计，但术语通常用于描述任何多栅极晶体管架构，无论门的数量如何。
• FinFET的主要设计目标是降低电流泄漏，而晶体管处于“关闭”状态。

• 与...不同，不需要保留数据的一种非易失性存储技术动态随机存取记忆体“闪存”的名称来源于这样一个事实，即存储器被擦除并在大数据块中编程，每次从数百位到数千位。由于无法寻址单个位，因此直接连接到微处理器的速度太慢，但闪存的机械稳定性和低成本使其成为移动设备中大容量存储的理想选择。

• 任何消费者显示设备，如液晶显示器或AMOLED相比之下，阴极射线管显示器的前端是弯曲的。

• 是一种将半导体器件(如IC芯片和微电子机械系统(MEMS))与外部电路连接起来的方法，这些外部电路通过放置在芯片上的焊点连接起来。

• 一种物理性质在空间中的流动，往往也随时间而变化。

• 在LED技术中，为了产生指定的光输出，LED两端所需要的电压。低于这个电压，LED就不会发光。

• 一种装有固定盒的容器，其前端有开口接口，用于自动化物料处理系统(amhs.）.FOUP的使用可以减少晶圆上的颗粒数量，因为FOUP的内部与周围的晶圆厂环境是隔离的。

• 一种由掺杂SiO制成的非晶态绝缘材料(k= 3.5)₂用氟常用于铜层之间的互连。又称氟硅酸盐玻璃。

• 末端场效应晶体管控制电流在源和排水终端。

• 一种晶体管，其中门电极是存在于所有的四方通道．

• 构成导电层和绝缘层的统称门结构在一个场效应晶体管．

• generation的缩写，用于火焰光度制造来描述玻璃的大小基质．
• 每一代都比上一代大大约80%。

• 一种程序，包括工人在进入洁净室前洗手和穿戴手套、头套、口罩、鞋套和其他专用服装。

• 在洁净室外面的支持区域或服务区，服务人员无需进入洁净室即可进行日常维护。

• 一个缺陷检查利用探测器收集中、高角度散射光，使缺陷在黑暗背景下显得明亮的技术。通常用于发现光学分辨率以外的小图案缺陷。与之比较brightfield检查。

• 一个面具比光致抗蚀剂更耐蚀刻，更高蚀刻选择性比用光刻胶所能达到的要求要高。

• 具有高浓度的自由电子等离子体，因此高浓度的离子。

• 一种等离子体增强的CVD.在高真空和高等离子体激发电压下进行，以提高填充小的高纵横比结构的能力。

• 一个班的离子植入机能产生超过1M的离子能量EV.,使掺杂物被植入到晶圆片表面以下。

• 一个班的发光二极管产生足够的光以用于照明应用。应用包括LCD显示器，房间照明和汽车外灯的背光。正是LED必须符合要求的亮度，因为“高亮度”没有明确定义。最简单的定义是直接查看的一个太亮。

• 一个班的离子植入机产生最高的束电流，通常超过3mA。越大光束电流，要求越快剂量达到，导致更高的晶圆产量。离子能量在1k之间EV.100keV是典型的。

• 将人与机器、系统或设备连接起来的用户界面或仪表板，最常用于工业流程的上下文，以可视化地显示数据、跟踪生产时间、趋势和标签、监控机器输入和输出以及装载更多。

• 在半导体中，空穴是指晶体晶格中电子的缺失。它可以被认为是电子的对立面，带着与电子大小完全相同的正电荷。如果在电场中，一个电子移动到这个空穴中，空穴实际上向相反的方向移动。

• 用于半导体制造的与设备通信的智能工厂系统。在半导体中,秒/宝石使用协议。

• 一个容易发生故障的区域

• 一种等离子体源，其能量由电磁感应产生的电流提供，即通常从真空外壳外部施加的时变磁场。

• 一种半导体材料，用于形成通道高性能薄膜晶体管为活性层液晶显示器相比。非晶硅IGZO是一种传统的通道材料，其较高的电子迁移率可以使晶体管切换得更快，从而实现更高分辨率的显示器和更快的刷新速度。

• 一个光刻技术用液体介质(如水)代替最终镜头和晶圆表面之间通常的气隙的分辨率增强技术。

• 缩写离子注入．

• 在离子注入，即离子束与晶圆表面之间的入射角。

在半导体制造过程流程中的每个步骤之后，检查晶片以检测各种类型（例如，划痕，颗粒，损坏特征）的缺陷。

• 非导电材料用于将器件或芯片的电气活性区域彼此隔离。一些常用的绝缘体是二氧化硅，氮化硅，BPSG， 和巴黎圣日尔曼．

• 一种电子器件，由许多元件在一个硅衬底上组装而成。

• 集成电路中连接晶体管之间和外部连接的线路。

• 在集成电路的金属层之间用于绝缘的薄膜。

• 用于相邻金属线之间的绝缘膜。

• 一层硅或其他合适的材料，作为一个电接口，在一个插座或连接到另一个插座之间布线，将一个连接扩展到更宽的间距，或将一个连接重新布线到另一个不同的连接。

• 将太阳能电池板的直流电转换为与电网电兼容的交流电的装置。

• 由一个或多个电子的损耗或谷物形成的电带电荷原子或原子组

• 离子的一种处理技术掺杂剂化学物质（硼、砷等）在强电场中加速穿透晶圆表面，从而改变材料的电特性。

• 设计用于以所需浓度在基板上均匀地喷射所选择的掺杂原子的工具。该技术被称为离子注入．

• 在离子注入，一种通过负偏压放电排出正离子的装置提取电极．由此产生的离子可以在a中加速beamline朝向目标晶圆片。

• 从一个电中性的原子或分子中增加或减少一个电子的过程。粒子一旦被电离，就可以利用磁场或静电场对其进行加速、操纵或其他操作beamline．

• 一个共同的TCO材料。

• 两个不同的半导体区域之间的界面掺杂剂类型。通常是指P-N结，电导率类型的变化p型到n型．

• 在太阳能模块中，一个环境外壳，旨在为模块输出提供连接点。

• 也称为介电常数，通常用希腊字母kappa (κ)表示。一种材料集中电通量的程度的表示。
• 在电子器件中，它是指相对于二氧化硅的材料的电容。
• 高k值可以产生晶体管门使体积变小而不增加不需要的泄漏。
• 低k值在绝缘材料中是可取的，例如用于分离的绝缘材料互联因为它减少了以热量的形式浪费能量的电荷堆积，降低了设备的总功率消耗。此外，低k值允许更快的信号传播，从而更快的切换速度。

• 在切割过程中材料损耗的量。在硅片生产中，切缝损耗是硅片生产过程中硅的消耗量，它对硅片的成本、边缘质量和表面光洁度起着至关重要的作用。

• 化学中的一个术语，用于指不断发生或可能发生变化的事物。例如，如果一个分子以一种特定的构象存在很短的寿命，在采用低能构象之前，前一种分子结构被称为“高不稳定性”。在半导体中，它可以指al易与晶圆表面材料反应的前体化学品。

• 一种利用激光烧蚀薄膜PV电池表面以确定互连模式的技术。

• 原子在晶体中的有序排列

• 当电流流过时发光的半导体装置。LED由p-n组成交界处这是以这样的方式构造的方式，即当一对电荷载体重组时发出光的光子。

• 主要用于光掩模刻蚀这衡量了蚀刻过程的精确度。线性定义为距离目标的偏差范围CD跨越指定的功能尺寸范围。

• 金属的宽度互连线。

• 一种使用背光阵列的平板显示器薄膜晶体管称为背板来控制每个像素。
• LCD通过单独控制每个晶体管来允许或阻挡背光的光来工作。然后，白光通过一组彩色滤光片组装成最终的全彩图像。
• 当像素晶体管关闭时，液晶材料将偏振光旋转90°，使其通过第二个偏振器。
• 当晶体管通电时，液晶分子以这样一种方式排列，光线不再旋转，因此光线被第二个偏振器阻挡。

• 任何提高图像分辨率、保真度或其他方面的技术光刻技术的过程。

• 把图案或图象从一种媒介转移到另一种媒介，例如从一种媒介转移到另一种媒介光掩模对晶圆片使用步进．

• 一种腔室，用于在大气压力下传送一个或多个晶圆片FI以及加工所用的真空环境。

• 在同一时间处理的一批具有相同特性的晶圆片。很多东西通常都保存在一起foup．

• 一个CVD.在低于大气压的环境中进行的过程。

• 一个芯片上有3000到100,000个晶体管。第一块大规模集成电路芯片是在20世纪70年代中期生产的。

• 用于创建的过程多晶硅使用两步过程的电影。第一步将前体膜沉积在400-450°下使用aPECVD工艺，低于600-1000°LPCVD通常用于半导体制造的工艺。第二步使用an退火将前体转化为多晶硅的过程。
• LTPS薄膜通常用于AMOLED和超高分辨率液晶显示器显示器。

• 在LED技术中，用来衡量LED将能量转换为电磁辐射效率的一种指标。通常用流明每瓦特(lm/W)来表示。

• 一种材料(通常是铁磁材料)在外加磁场中改变其电阻值的特性。这种效应被用作磁性随机存取存储器结构中的数据存储机制。

• 一种有图案的材料层，用于防止其直接下方的材料腐蚀。也是光掩模．

• 在瓦里安植入器中，质量分析磁铁被放置在源和处理室，以偏转和过滤离子，因此只有选定的离子进入处理室。这确保了只需要掺杂物晶片。

• 一种计算机控制系统，用于管理在生产环境中工作物料的运输和储存。

• 一个班的离子植入机专为最大剂量一致性。束流电流范围为1µA ~ 5mA，能量范围为5 ~ 600kev。中电流植入器通常具有植入能力掺杂物在植入角度从晶片表面到达30°，使掺杂剂能够部分地在晶片表面上的现有结构下方植入。

• 非常小的机械或机电装置，例如使用改进的半导体器件制造技术制造的传感器和致动器。

• 一种用于管理和监控制造环境中在制品的软件控制系统。

• 一个类型的液晶显示器背板它使用金属氧化物，比如IGZO，以形成晶体管通道．

• 替代术语发射器wrap-through，高级的一种回来联系光伏电池。

• 的CVD.或周围性血管疾病在晶片上沉积一层高导电性金属，用于连接器件。通常使用的金属包括铝、钨和铜等。

• 测量学:确定尺寸、数量或容量的测量科学;在晶圆加工中使用传感器和测量设备来确定物理和电气特性的技术和程序。

• 一种由非常小的(0.5-2微米)硅晶体与非晶硅混合而成的硅薄膜形式。它通常沉积在一个薄层(通常1-3微米)串联(堆叠)薄膜太阳能电池。

• 同一特征相对于开放区域特征以不同的速率蚀刻的现象，这取决于它们的密度(例如稠密、半稠密)。

• (微米或微米)长度单位;百万分之一米

• 一个集成电路，包含单个包中的算术，逻辑和控制电路。

• 一种外壳或由外壳所创造的环境，以保持晶圆不受污染，例如FOUP．

• MOCVD是一种外延用于沉积化合物半导体薄膜的工艺，尤指用于制造高亮度发光二极管和电力电子。在MOCVD方法中，化学反应在含有所需金属和其他元素的有机化合物之间的基材的表面上进行。

• 太阳能组件是最终封装的光伏发电机。在c-Si技术中，该组件通常包含几十个组件太阳能电池连接在一起。

• MOL使用一系列接触结构连接晶体管和芯片的互连部件。

• 看到晶体硅．

• 多种设备技术，如射频设备、电源管理子系统、传感器、执行器和微机电系统，将模拟功能集成到互补金属氧化物半导体的技术。

• 一种通过生长一层二氧化硅(SiO)而得到的结构₂)，然后沉积一层金属或多晶硅(后者是常用的)。常用于描述用这种方法制造的晶体管。

• 一个类型的场效应晶体管在那里，栅极被一层较浅的绝缘体隔离。构造使用金属氧化物半导体制造技术。

• 在太阳能光伏发电技术中，一种用单晶硅颗粒浇铸成晶锭的硅片。然后这些金属锭被切成晶圆，用于微芯片和光伏电池的制造。

• 缺陷的一种类型平板显示器显示器的区域呈现不均匀的亮度。也称为“覆盖”。

• 导电带负电的半导体材料(过量的电子)。

• 使用的逻辑运算符闪存只有当它的输入中至少有一个没有信号时才产生输出信号，因此是“Not AND”(与运算符的倒数)。

• 专注于尺寸小于100nm的半导体、太阳能和显示行业的解决方案。

• 长度单位;十亿分之一米。

• 一种瓦里安栽植者使用的装置，在设置过程中测量离子束电流，作为中和器产生的陷阱beamline．

• 在离子束中运动的具有相同能量但不再带电荷的粒子。中性粒子不能被外部场操纵，将以固定的速度继续运动，直到与真空室壁或其他粒子相撞。

• 转化成氮化物

• 一个金属氧化物半导体在静电形成的n-中，有源载流子是在n型源极和漏极之间流动的电子通道在p型硅衬底中。

• 使用的逻辑运算符闪存产生与或相反的输出结果的。

• 促进随后沉积的薄膜生长的一层薄膜。

• a由a报告的疑似缺陷缺陷检查可以忽略的系统，因为它对已完成的设备的功能没有影响。抑制有害缺陷或“误报”缺陷是先进缺陷检查系统的关键能力。

• Oxide-nitride-oxynitride;多层金属氧化物半导体栅介质。

• 一个光刻技术改进的增强技术光掩模电路的特点是补偿非理想的特性光刻技术的过程。

• 一种发光器件，由于薄膜有机半导体中的电子-空穴相互作用而发射光子。

• 在离子注入，晶圆的晶格结构与光束的方位角。在不同的取向角、不同的掺杂剂渗透深度和通灵将获得的。

• 之前旋转晶圆片的设备离子注入减少…的影响通灵．

• 在离子注入，将离子束扫过晶圆的边缘以达到均匀剂量在晶圆外围。

• 具有正电导电性(缺乏电子)的半导体材料。

• 一种新兴的高密度封装技术，将芯片放置在面板上而不是晶圆上，这样可以容纳更少的芯片。

• 所有电路元件的固有电容如互联和晶体管这导致它们的行为偏离“理想”电路元件。
• 在半导体中，特别是尤其是可以导致诸如的效果的紧密间隔导体之间的不希望的电容相声．
• 寄生电容可通过降低介电常数或k值隔离相邻电路元件的绝缘体。

• 一种垂直的条形图，其中的值按相对频率从左到右的递减顺序绘制。有助于分析哪些问题需要首先注意。

• 半导体器件中的一层，在电路元件上形成一个密封的密封层。这层密封层可以作为制造的最后一步，也可以在晶圆在加工工具之间传递时保护化学活性材料不发生反应。等离子体氮化和二氧化硅是主要用于钝化的材料。

• 在半导体制造技术中，在晶圆上产生所需的电路几何形状。通常用于指以下各项的组合：光刻技术以及相关的工艺，如图案化、膜沉积和腐蚀．

• 一个CVD.过程中使用等离子体驱动沉积的能量。这种技术可以降低沉积温度，增加薄膜密度和纯度。

• 一种透明的聚合物片，置于框架上，以保护掩膜的图案区域不受空气污染。在曝光期间，任何污染都保持在焦平面之外，因此不会“打印”在晶圆上。

• 通过在电池后部添加电介质钝化层来实现更高能量转换效率的改良传统电池。电介质钝化层有助于提高效率，通过减少电子重组，增加太阳能电池捕捉光和反射特定波长的能力，通常产生热量的太阳能电池。

• 一个光掩模利用相差产生的干扰，以改善光刻中的图像分辨率。

• 一种掺杂SiO而制成的非晶绝缘材料₂加磷可提高防潮性和回流特性。又称磷硅酸盐玻璃。

• 看到光刻技术．

• 一种熔融石英(石英)板，通常为152平方毫米，上面覆盖有不透明、透明和相移区域的图案，这些图案将投射到晶圆片上光刻技术流程定义一层集成电路的布局。

• 由曝光的光敏有机聚合物光刻技术过程，然后发展，以产生一个图案，确定要蚀刻的底层膜的区域。

• 例如相邻特征中心之间的距离互连线或接触洞。

• 任何一种模式技术，从单一的特征中创建成对的特征光刻技术图像与一个球场只有原始图像的一半，从而创造出比光刻工艺本身更小的图案。有时被误导地称为音调加倍。

• 在火焰光度技术，测量分辨率，其描述显示屏上各个像素之间的距离。通常以每英寸或ppi的像素表示。

• 用低选择性的蚀刻或穿透使不均匀的晶圆表面相对平坦的工艺CMP．

• 物质的第四种状态——不是固体、液体或气体。在等离子体中，电子从原子中挣脱出来，可以独立运动。单个原子是带电的，即使正电荷和负电荷的总数相等，保持整体电中性。

• 在结束时沉积在完成的晶体管上的绝缘层FEOL第一个金属的加工过程互连层形成。

• P -通道在n型硅衬底上静电形成的p沟道中，有源载流子是在p型源区和漏极区之间流动的空穴。

• 一个rtp.在产生栅极氧化层氮化后，用于减少漏电流而不造成驱动电流损失的步骤门堆栈．

• 通常用于DRAM制造中的栅极电极的胶卷堆叠，由硅化物组成多晶硅．

• 多晶硅(或半晶硅、多晶硅、多晶硅或简称“多晶硅”)是一种由多个小硅晶体组成的材料。广泛用于高掺杂状态的导体/栅材料。聚薄膜通常是通过硅烷热解沉积的LPCVD的过程。

• 参数用于测量线性的参数像素密度an火焰光度．

• 一种技术离子注入用来减少通灵通过故意非晶化前一个地区掺杂剂注入，从而使掺杂剂的分布更加均匀。根据定义，在非晶化区域内没有通灵。预非晶化植入通常是用惰性元素如氩来完成的。

• 一个损害工程用来降低晶体管的技术接触反抗。
• 接触区域是共植入比如碳的使用cryo-implantation以增强随后沉积的镍硅化物(NiSi)接触金属。

• 金属沉积前最后一次植入。

• 在制造集成电路或其他设备中执行的操作或一组顺序操作。

• 在集成电路或其他器件的制造过程中进行单一过程的封闭区域。

• 优化每个流程步骤以正确地与顺序流程流中的前一步和后续步骤一起工作。

• 用于测量表面轮廓的一种测量仪器，以量化其粗糙度和关键尺寸，如台阶、曲率、平直度、纹理和高度。

• 一个类型的触控面板它由电极网格组成，可以检测由导电物体(如手指或导电笔)引起的静电场畸变。
• PCT面板通常用于需要同时精确跟踪多个接触点的应用程序，如智能手机和平板电脑。

• 将光转化为电能的过程。太阳能光伏发电是利用太阳辐射发电。

• 一种用于制造薄膜光伏组件的树脂。PV电路是在一片玻璃上形成的，再覆盖一层PVB，然后后面的玻璃．然后将这个组装层压封装电路，保护它不受环境影响。

• 由导电材料(铝、氮化钛等)的原子组成的一种加工技术气急败坏的说从目标纯材料，然后沉积在基板上以在集成电路内产生导电电路或火焰光度．

• 在特定光刻技术的分辨率限制下，可在晶圆片上产生四倍密度的电路特性的一种图形技术步进．

• 由四个符号交替排列成圆圈的极点所产生的磁场或静电场;用来聚焦带电粒子束。

• 一个空气污染指数允许在机器“运行”之间修改加工参数以减少可变性的一种技术。

• 一个原子或一组原子，至少有一个未配对的电子，因此是不稳定的和高度活性的。

• 一种依赖于单色光的非弹性（拉曼）散射的化学分析的光谱分析。以非接触方式实现实际反应监测和表征化合物。

• 一个退火其中晶片在短时间内加热到指定温度的过程。
• 在半导体器件制造过程中，RTP被反复用于以下目的激活植入掺杂物或改变材料的状态(或相)以增强所需的属性(如导电性)。退火可以使用三种技术-浸渍，尖峰和毫秒。技术的选择取决于几个因素，包括设备在制造顺序的特定点上承受特定温度/时间暴露的耐受性。一般来说，设备可以承受更长时间的高温暴露(30-90秒)，也称为浸泡退火，在制造周期的早期。随着循环的进行，如果需要高温，必须降低温度或显著缩短暴露时间。尖刺退火属于后一类，用于源-排水种植体的激活和扩散以及高k/金属门制造。

• 向内倾斜的东西指侧壁是凹的特征。

• 特定工艺步骤的记忆参数，如气体流量、温度和压力。一般来说，同一配方适用于所有的晶圆片很多．

• 芯片上的一种额外的金属层，用于制造芯片的输入/输出衬垫集成电路可在其他地点使用，使芯片对芯片连接更容易。

• 看到可再生能源组合标准．

• 要求增加风能、太阳能、生物质能和地热能等可再生能源产量的法规。这一概念的另一个常见名称是可再生电力标准(RES)。

• 导体阻挡电流通过的程度的量度。

• 在离子注入，一个小孔径，通常直接在分析仪后面发现，它将光束分解为一种带特定电荷的分子或原子。

• 透明板一种扁平的透明板，用于步进包含要在晶片上再现的晶片图案的图像。经常互换使用光掩模．

• 苹果公司的一个商标，用来描述任何像素密度足够高以至于人眼无法分辨单个像素的显示器。
• 请注意，此术语与其直接相关像素密度，因为它包括了观看距离。要使手机屏幕符合视网膜显示器的要求，其像素密度应超过300ppi，但电视只需约50ppi。

• 在半导体制造中，电磁或静电场在2MHz-200MHz或1-3GHz范围内的振荡速率。在某些类型的晶片加工腔中，等离子体是通过对ESC、顶板感应结构或顶板电容结构施加强射频场来启动的;振荡电场通过剥离气体分子的电子而使它们电离，从而产生等离子体。

• 一个类型的周围性血管疾病与传统PVD反应器相比，该工艺使用了电感耦合等离子体来降低离子能量，从而形成了一种更温和的沉积机制，可以生成非常薄的亚纳米薄膜，并几乎消除了对底层电路特性的损害。

• 在离子注入，已经限制在矩形横截面中的电子束允许晶片的整个表面沿着单个轴转向梁覆盖。与光束相反，必须来回扫描以覆盖晶片。

• 一种蚀刻技术，使用化学反应等离子体去除沉积在晶圆片上的材料。来自等离子体的高能离子与晶圆表面的材料发生反应。

• 一种机械泵，用于真空系统的初始抽气。这个过程被称为“粗制”。

• 由应用材料创造的术语来描述CVD.采用略低于大气压的工艺张志贤/臭氧化学。

• 一个双模式采用牺牲侧壁间隔膜技术实现pitch-halving．

• 自对齐的收缩硅化物．Palicide处理技术寻求利用沉积在图案化的硅衬底上的耐火金属的原理将在特定的加工条件下选择性地与暴露的硅反应，并且不会与诸如氧化硅材料的相邻材料反应。因此，不需要图案化步骤。

• 一种利用牺牲侧壁间隔膜来实现比一般光刻技术高四倍的分辨率的绘图技术步进．

• 在离子注入，离子束相对于晶圆片的运动，以覆盖整个晶圆片表面。

• 组成部分离子植入机要么让离子束穿过晶圆，要么让晶圆穿过离子束。这可以通过磁场、静电场或机械运动来实现。

• 用电子束而不是光照射样品的显微镜。光束在样品表面来回扫描。

• 在晶体硅太阳能光伏制造业，一种由编织材料制成的片状材料，支撑有开口区域的模板，银浆或其他材料通过开口区域在晶圆片上形成图案。它类似于光掩模在半导体制造。

• 在离子注入这是一层薄薄的、具有牺牲性质的硅₂它可以阻止游离离子在离子束中夹带并随后被移除。此外，屏幕氧化物轻微散射主离子束从而防止通灵．

• 任何不能直接排气到大气中的真空泵，也就是说，它必须与一粗泵．半导体中常用的二次泵是低温泵和涡轮泵．

• 一种用于标准化半导体制造设备与主机控制系统之间的通信的软件协议。它旨在通过建立一套通用的指令来简化工厂自动化，这些指令将被所有设备所理解的工厂．

• 一个成核层其中成核材料与随后的沉积膜相同。

• 只在需要的地方发生而不影响邻近物质的，如在选择性沉积或选择性去除中。

• 提高晶体硅转换效率的一种技术光伏太阳能电池。选择性发射器是非常掺杂的区域，精确地放置在前金属接触线下方，以减少电接触电阻并允许电力更自由流动。掺杂区域通常通过沉积制造掺杂膏然后将接触线打印在上面。

• 两种材料在蚀刻加工过程中所观察到的蚀刻速率之比。通常用来指材料的相对蚀刻速率面具，也是蚀刻图案保真度的一个重要指标。

• 导电性介于金属(导体)和绝缘体(非导体)之间的一种材料，可以通过物理或化学改性来增加或减少其导电性掺杂物．

• 硅烷是一种容易分解成硅和氢的气体，常用于沉积含硅化合物。它还与氨反应生成氮化硅，或与氧反应生成二氧化硅。

• 一种退火(烧结)过程，导致金属-硅合金(硅化物)的形成，起到触点的作用。例如，由于硅化作用，Ti沉积在Si上形成TiSi2。

• 硅与一种更具正电性的元素的化合物。镍、钽、钛和钴硅化膜用于制造晶体管连接的欧姆(低电阻率)接触。硅化钼常被用作吸光层光掩模．钨硅化物(矽化物）用于DRAM栅电极。

• 最常见的介质用于半导体制造的材料，由于它的通用性和稳定性。也被简单地称为“氧化物”，它可以通过热氧化在硅片上生长或沉积PECVD或HDP-CVD流程。

• 用等离子体增强或LPCVD沉积的硅/氮薄膜介质。有时被松散地称为罪恶。

• 由单个p-n结构成的PV电池。这包括非晶硅薄膜和大多数晶体硅细胞类型。

• 一种大功率磁控管源周围性血管疾病向等离子体提供足够能量的过程气急败坏的说金属原子被电离了。然后，金属离子可以利用电场加速向晶圆方向移动，形成更有方向性的沉积模式，从而在小的几何结构中实现更高的台阶覆盖。

• 在半导体技术中，研磨性固体在液体中的悬浮体CMP流程。在PV中，用作磨料介质线锯为了飘荡．

• 源掩码优化(SMO)是一种分辨率增强技术光刻技术补偿由于像差、衍射或工艺效应引起的图像误差。

• 在半导体制造中使用层状硅绝缘体硅衬底。SOI基板提供减少寄生电容与内置在大块晶圆内的器件相比，集成电路中相邻器件之间的功率消耗更低，从而提高器件性能。

• 这是一种将太阳能直接转化为电能的装置光伏的效果。多个细胞连接在一起形成模块．

• 一个公用事业规模的光伏电站。

• 设备的输入端场效应晶体管．
• 在离子注入，所需的来源掺杂剂被加工成等离子体从中提取离子束。
• 在等离子体过程中腐蚀，用来创造和维持的能量来源等离子体在反应室里。

• 轻,掺杂区域从源或排水在晶体管通道设计用于在晶体管器件的操作期间传播电场。在没有延伸的情况下，非常小的晶体管中的电场可以足以损坏栅极电介质并导致装置故障。
• 的离子注入用于创建源漏扩展的流程是损害工程．

• 将统计技术应用于过程的监视和控制，以改进生产质量控制的一种方法。

• 一个固定的冷却金属板，位于植入盘的顶部，捕获离子束期间过扫描．

• 当不同的食谱在很多为了提高某一特定工艺步骤的性能的实验目的，该批次被称为分割批次。

• 一种将原子从固体中喷射出来的沉积薄膜的方法目标由于精力粒子轰击靶引起的材料。

• 在光伏晶圆制造，是用专用的工具将硅锭切割成矩形块的过程线锯．这些正方形的块，或砖块，然后被切成单独的晶圆飘荡的过程。

• 一种计算机存储器，其中每一位存储在通常由6或8个晶体管组成的网络中，具有两种稳定状态。
• SRAM单元比较复杂，占用芯片上更多的空间动态随机存取记忆体电池，但更快，更节能。
• 微处理器和其他逻辑芯片通常在芯片上使用SRAM单元作为高速缓存存储器，用于存储最频繁访问的指令和数据。

• 一种用于飘荡和CMP流程使用泥浆以回收材料，如磨料和冷却，以进行后续回收。

• 特征侧面的薄膜厚度与特征底部(如通道内)或特征顶部(如FinFET的鳍)上的薄膜厚度的比率。

• 用于传送十字线的设备(光掩模)图案到晶片上。相同的模式被转移到每个模式死在晶圆上。

• 一种将每个晶体管或存储单元与其相邻单元隔离以防止电流泄漏的技术。该技术采用蚀刻在硅上的沟槽图案，填充一种绝缘材料，如二氧化硅。

• 半导体制造中通过扭曲晶体向晶体管和存储单元引入应力的过程晶格．在逻辑上，这使电更容易通过晶体管，提高晶体管的性能。在存储器中，应变也可以减少泄漏电流，从而允许更高的单元密度。

• 一种用于线锯为了提高切割速度而形成或卷曲成锯齿状或类似形状的东西。

• 操纵薄膜的材料。硅最常用于半导体和碳硅光伏电池。玻璃通常用于液晶显示器和薄膜光伏应用。

• 太阳能光伏电池类型，使用多个光转换材料来提高转换效率。串联结薄膜硅电池，例如使用非晶硅和微晶层。

• 在周围性血管疾病时，目标是待沉积材料的来源。由于高能粒子的轰击，原子从目标中喷射出来。

• 用于光电器件的掺杂金属氧化膜，例如平板显示器，触摸面板和光伏。在LCD中，TCO层形成产生电场以偏振液晶的电极。在触摸面板中，TCO层用于传感电极。在光伏， TCO形成电池的顶部电极。

• 透射电子显微镜一种能使电子束穿过超薄标本的透射电子显微镜它的工作原理与光学显微镜相同，但分辨率要高得多。

• 氧化沉积的液体源，正硅酸四乙酯是与
  公式Si (OC₂H₅)₄．

• 终端效应是一种现象电化学沉积因此，沉积的薄膜往往在晶圆的边缘比中心更厚。由于晶圆片的电阻，负端与晶圆片边缘中心接触时产生电压降。这种阻力的主要组成部分是种子层它是通过以下方式沉积在晶圆上的周围性血管疾病电镀过程之前。每个技术节点的种子层变得更薄，这增加了晶圆的电阻率，加剧了终端效应。这种效应可以通过使用先进的电流密度控制系统来补偿，该系统可以调节晶圆上的施加电压，从而使晶圆上的沉积均匀。

• 一个类型的液晶显示器使用薄膜晶体管位于每个像素上，直接驱动液晶的偏振，从而控制该像素是否开启和关闭。

• 一层从一纳米到几微米厚的材料。

• 一个场效应晶体管用薄膜技术制造，主要用于有源矩阵液晶显示器的制造。

• 一种用于晶圆级包装．TSV是垂直电气连接，或通过，它完全通过基质在堆叠层之间传递电信号死．

• 晶圆的数目为a工具每小时可加工。

• 在离子注入，离子束击中晶圆的角度。另请参阅东方角．

• 一种用来指半导体加工设备的术语。

• 在半导体技术中，由于在晶圆片表面制造特性而产生的非平面性。这可能会对后续层的图案产生重大影响，因为有限的景深步进光学系统可能导致部分图案超出规格。还用于描述由不同材料去除率引起的不均匀性CMP．

• 一种计算机接口，可以在一个典型的矩形区域检测到手写笔或手指的存在。
• 经常与显示器集成以生产a触摸屏．

• 一种显示，如液晶显示器或AMOLED包含一个触控面板使用户能够直接与显示的图像进行交互，而不是通过鼠标或轨迹球间接地进行交互。

• 一个工具这集成了处理半导体制造中的光致抗蚀剂（沉积，软烘烤，曝光，显影，抗烘烤）所需的几个步骤。

• 一种半导体器件，用于转换和放大作为集成电路基本元件的电子信号。

• 在晶片中蚀刻的凹槽以用作器件结构的一部分。

• 一种内置在沟在衬底上。这种技术允许在不增加晶圆上形成电容所需的面积的情况下增加电容。

• 一个类型的二次真空泵用来制造高真空。高速涡轮叶片与静止叶片交替，将气体分子压缩到泵的底部，由粗泵清除。

• 看到真空．

• 看到保形等离子体掺杂．

• 一种分辨率为3840 x 2160像素的数字视频格式。
• 超高清也被称为2160p和4K，它的像素是传统高清1080p视频的4倍。

• 集中于减小厚度的半导体制造区域连接这种形式的源和排水先进的晶体管区域，以提高性能，同时保持可接受的漏电流和击穿电压。

• 倒装芯片封装中的沉积过程，用焊点将芯片连接到基片上。

• 一种常用的绝缘膜偏振模色散和ILD应用程序通常降级使用SACVD.或HDP-CVD．

• 低于大气压的压力，通常用特定的压力范围来表示:
• 粗糙的真空，从大气到1 x 10^-3托尔
• 高真空，从1 × 10^-3托尔到1 × 10^-9托尔
• 超高真空(UHV) -低于1 × 10^-9托尔

• 在离子注入，一种用于将固态离子源材料转化为气态以生产离子束的装置。

• 通过电介质层的垂直通道，在电介质层之间建立电连接互连层。

• 一个芯片在单芯上有10,000到1,000,000个晶体管。该术语通常延伸以描述具有大于10,000的任何数量晶体管的芯片。其他术语如超大规模集成（ULSI）被创造，但不再是广泛使用。

• 也称为3D NAND阵列。
• 一个班的闪存在单个基板上垂直分层的多个二维阵列的架构（而不是堆叠使用晶圆级包装）.
• VNAND是一种递增的方法位密度而不必减小每个单元格的大小。

• 单晶片单晶片的薄的、圆形的或近乎正方形的薄片多晶硅用来制造半导体和光伏电池的硅。

• 包装技术集成电路而不是将晶圆片切割成单独的电路(骰子)，然后包装它们。

• 将硅锭或硅砖分成硅片的过程。

• 在离子注入，位于中的矩形真空管道分析仪磁铁光束通过的区域。

• 由金属或石墨制成的保护衬垫，安装在波导．有害离子在这些衬里上释放能量。

• 卷对卷涂布技术的另一种叫法，是将材料的薄膜沉积在柔性材料的卷上。

• 在工艺步骤之间使用液体化学从基材中去除不需要的物质或污染物的工艺。

• 能够均匀地分布在固体表面，而不是形成离散的液滴。

• 在硅片制造过程中，一种利用移动的金属丝来完成三个关键步骤的机器。

1. 切割-去除单晶硅锭的锥形端部
2. 平方 - 将圆柱形裁剪锭转向矩形块或砖块。在多晶硅晶片制造中，该步骤用于将大型铸锭切成砖块
3. 晶圆-将砖块切割成单独的晶圆

• 所有闸门之间的连接晶体管在存储阵列段的某一行中。

• 瓦特峰，在理想的辐照条件下为太阳能电池提供能量的太阳能工业单位。

• 产品(如晶圆片或模具)在生产过程中符合规格的百分比。