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  • 硅晶片的尺寸约为直径为8英寸。也用来参考a工具用于加工这种尺寸的晶圆片。
  • 硅片直径约为12英寸的硅片。也用来参考a工具用于加工这种尺寸的晶圆片。
  • 另一种说法是UHD数字视频格式。
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一个

  • 从液体或气体中去除有毒或其他有害物质的过程。例子包括从CMP.将液体或气态毒性流出物转化为安全形式。
  • 在接受电子的半导体中的杂质。硼是用于掺杂硅的主要受体离子植入的过程。
  • 在生产线上用来临时存储在制品的一种存储装置。
  • 离子植入,将原子引入晶体管的一部分以改变其材料特性的过程;在最常见的应用程序中,掺杂剂原子具有电活性,也就是电荷载体并增加了植入区域的电导率。
  • 当植入掺杂剂原子时,硅晶体晶格中断,或amorphized.晶格随后用rtp.,在这一过程中,掺杂离子占据晶格和电荷中的取代位置载体被建造。
  • 一种使用电致发光阵列的显示器类型OLED像素所控制薄膜晶体管
  • AMOLED显示屏上的每一个像素都直接发光,这一点与普通显示屏不同TFT-LCD.当整个显示器由背光照射并且通过背后照射并且通过控制每个像素处的液晶偏振的薄膜晶体管选择性地允许。
  • 与TFT-LCD相比,AMOLED显示器的关键效益是,因为“OFF”像素消耗没有功率,总功耗显着降低。
  • 一个类型的二元光掩模使用不透明的MoSi层作为吸光层。一层极薄的铬层放置在上面,用作坚硬面具用于蚀刻过程。也被称为不透明玻璃上的MoSi (OMOG)掩模。
  • 一部薄膜沉着材料一次沉积材料的施加一部分单层材料。
  • 一个类型的PSM这具有蚀刻到不同深度的石英衬底的区域,以便在透射光中引入180度相移,以改善晶片上投影图像的分辨率。
  • 微芯片内连接晶体管和其他电路元件的铝通道。
  • 一种没有晶体结构的硅沉积。
  • PV.,非晶硅是重要的薄膜技术。
  • 液晶显示器在制造方面,a-Si是应用最广泛的背板类型。
  • 离子植入它是一种磁体,用于分析离子种类,并根据原子量选择所需的离子。
  • 长度单位;一百亿米。
  • 旨在修复晶片的晶体结构中的缺陷的高温处理步骤或诱导相变。
  • 自动视觉打印检测,相机自动扫描印刷基板以进行质量控制和缺陷检测。
  • 离子植入离子束通过的一个开口,它决定了离子束前进的形状和大小。
  • 沉积在金属或多晶硅顶部的光吸收层(通常是氮化钛),以改善光刻技术表现。
  • 自动清洗功能,通过安装在梭子上的布垫和打印头的同时运动来清洗打印网的底部,从而取代了传统的由操作员操作的程序。
  • 电路特征的深度与宽度的比率,例如a通过联系
  • 一个类型的PSM这允许少量的光通过特定的区域,从而干扰来自掩膜透明部分的光,目的再次是提高晶圆片上的对比度。
  • 在光伏组件制造中,高压釜被用于去除困住的空气,并通过将组件置于较高的温度和压力下,改善复合薄膜和玻璃基板之间的附着力。
  • 任何具有运载转移机器人的设备,可移动盒式磁带,豆荚或FOUPS.进出固定设备。
  • 一种采用的技术晶片检查系统根据其物理和光学性质,缺陷被分为几类。
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B

  • 覆盖整个太阳能背面的金属层PV.细胞并充当导体。
  • 也用于指先进的单元设计,如电池的两端都位于晶圆片的背面,从而增加了电池的聚光面积,从而提高了转换效率。
  • 薄膜太阳能组件的底层,提供刚性和电绝缘。电流从模块中通过接线盒这通过后玻璃中的孔连接到电路上。
  • 在抽真空过程中通过加热加速真空系统或部件表面脱气的技术。用于减少达到特高压压力所需的时间。
  • 除了制造运行太阳能光伏发电系统的太阳能模块之外,组件还包括安装结构,电缆,逆变器,陆地和维护。
  • 设计用于防止在阻挡层上方和下方的层混合层的物理层。
  • 同时处理多于一个晶片的处理序列,而不是单晶片(串行)处理。
  • 离子植入,即离子束中任何不受欢迎的物质或离子电荷。
  • 离子注入器末端站的扫描电流,定义为光束中物种的数量、速度和电荷的乘积。
  • 通过在电气测试之前完成晶体管制造后的一系列处理步骤。也称为半导体制造的后端。术语后端也用于在晶片完成后指的是芯片制造的那些部分,即切割,包装和测试。
  • 一个光掩模覆盖着用光吸收膜,通常是铬定义的图案。光学上,这是最简单的光掩模类型,缺乏相移特征PSMAPSM类型。另请参阅先进的二元掩模
  • 衡量存储器件的基板的给定区域中有多紧密的存储器单元。
  • 一般而言,希望较高的比特密度是理想的,因为它倾向于提高性能并降低成本的成本。
  • 通常是以每平方英寸的比特数来衡量的。
  • 从内存单元中写入/读取信息的行。
  • 光伏材料用于替代传统的建筑材料,如屋顶、天窗或立面。
  • 使用的参数沉着描述一种工艺将材料沉积在电路特性底部的能力,而不是晶圆片的顶部表面场地.它定义为磁场上的膜厚度的比例除以给定特征底部的膜厚度。
  • 一种掺杂SiO而制成的非晶绝缘材料2用硼和磷来改善防潮性和回流特性。
  • 一个缺陷检查收集从缺陷处反射的光,使缺陷在白色背景下显得暗的图像的一种技术。一般来说,亮场系统更敏感,但比暗视野检查。布莱特菲尔德检查通常用于发现晶体管制造过程中的图形缺陷。
  • 一种全身穿的衣服洁净室将颗粒和污染物的释放减少到空气中。
  • 在薄膜光伏组件中,相对较大的导电带从单个太阳能电池中收集能量。
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C

  • 一种材料能储存电荷的程度。
  • 用于临时存储电荷的电气部件。它由两个导电表面组成,由非导通隔开介质
  • 电子或者通过导体或半导体材料携带电荷的物质。
  • 通常以cm指定的措施2/ v·s,充电载体的快速速度(电子或)可以响应于应用的电场通过半导体。材料的电导率与迁移率成比例,乘以载体的浓度。在半导体器件中非常希望高迁移率,因为它通过更快的晶体管切换导致更高的设备性能。
  • 一种金属或塑料开口容器,用于将晶圆(通常为25片)传送到工具上或从工具上传送出去。卡带可以保护晶圆免受直接处理可能造成的损坏。
  • 一种使用镉-碲化合物作为光转换活性层的薄膜太阳能电池。
  • 用于蚀刻的参数以描述精度腐蚀的过程。CDU定义为重复特征的大小与其标称值(CD)的几个点测量基质

计算流体动力学,使用数值方法和算法来解决和分析涉及流体流动的问题的流体力学分支,

  • 离子植入,当梁中的一些离子撞击单晶硅的原子晶格结构之间的晶片并比其他离子更深的情况下,发生沟道。由于不能准确计算或控制植入物的深度,因此窜流是不希望的。通过倾斜或旋转晶片,可以通过筛网覆盖其表面,用筛选或预先形成硅来来减小沟道。
  • 通过原子颗粒丧失电子颗粒与电离原子。
  • 铜铟五烯化物质:一种使用铜,铟,硒化合物的薄膜太阳能电池材料。还可以将第四个元素镓添加到化合物(CIGS)中以获得更高效率
  • 晶圆厂中的一个区域,该区域的空气经过调节以去除空气中可能妨碍半导体器件正常工作的颗粒。
  • 一个金属氧化物半导体由成对的p-组成的器件通道和n沟道晶体管。
  • 还用于指用于构造具有CMOS晶体管的集成电路的制造过程系列。
  • 使用磨料,化学活性浆料的过程在部分加工的晶片上物理地磨损微观地形特征,使得随后的工艺可以从平坦表面开始。也称为化学机械抛光。
  • 一个离子植入在材料的同一区域内植入两种物质以改善掺杂区域的电学性质的技术,通常用于提高晶体管性能。
  • 例如,可以共植入非掺杂剂原子,例如氟或氮气掺杂剂如硼生产超浅PMOS.晶体管渠道通过改进掺杂剂激活以及从掺杂到未掺杂区域的急剧转变。
  • 包装的底表面平行于印刷电路板的着陆表面
  • 一层LCD平板显示器,其分为红色,绿色和蓝色的透明区域,每个区域覆盖晶体管,该晶体管被切换到截止到全范围的颜色。
  • 使用计算机系统和软件帮助创建,修改或分析2D或3D设计。
  • 一种利用计算机控制整个生产过程的制造方法,允许各个步骤交换信息并发起行动。
  • 包含移动电荷载体的材料,例如电子或离子。
  • 晶片上的一种特征,它在第一个晶片之间形成了电通路互连层和晶体管。该地区通常充满钨。
  • 在射频等离子体与“脉冲”输出相反,在“脉冲”输出中,电源被调制,通常是在两个不同的振幅之间,频率在100-1000Hz范围内。
  • 一个互连采用铜作为导电材料的结构,与铝互连相比,提供了更好的设备速度和更低的功耗。
  • 一个兴奋剂沉积包含所需要的保形材料层的过程掺杂剂然后在底层电路结构中使用热过程将掺杂剂驱动到可控的深度。CPD提供了一种掺杂复杂的三维结构的方法。兴奋剂通常由离子植入轰击晶片,掺杂剂离子以高速移动。然而,这种视线轰炸过程不能提供3D结构的均匀掺杂。更重要的是,快速移动的离子可以损坏尖端芯片中的超薄半导体层。CPD旨在解决这两个问题。
  • 光刻,CD是要图案化的最小特征尺寸晶圆.在其他半导体工艺中,CD是指在多个点上发现的特征的大小基质用于描述给定过程的准确性或其他特征。
  • 一个不希望的效果,其中电路元件中的信号,例如互连线路,影响附近另一条线路的信号。在半导体中,耦合通常是寄生电容在两个电路之间。
  • 将材料的温度降低至-100°C或更低。
  • 一种次级真空泵,通过低温冷冻和吸收它们来捕获气体分子。低温泵能够产生非常高的真空,但必须定期再生,即允许返回环境温度以解吸和泵送捕获的气体物种。
  • 具有以有序的周期阵列排列的原子的材料。
  • 在晶体结构中使用纯硅衬底的太阳能电池技术的通用术语。
  • 通过曝光沉积薄膜的过程基质到一个或多个挥发性前体,这些前体在基板表面反应和/或分解。
  • 晶片通过制造过程的特定部分处理晶片所需的时间量。
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D

  • 非反射性,非能量吸收,无机介质层沉积在金属或多晶硅的顶部以改善光刻技术表现。
  • 一个缺陷检查使用探测器收集散射光以使缺陷的技术显得明亮于黑暗的背景。通常用于在晶片期间找到颗粒互连制造。与brightfield检查。
  • 波长在300nm以下的紫外线光谱的一部分。
  • 一种将缺陷定位在有图案的晶圆片上的工艺。一个缺陷位置列表被创建并传递给DR-SEM审查和分类。
  • 一个类型的扫描电子显微镜用于在晶圆制造过程中对缺陷类型进行分类,并确定这些缺陷是否会影响芯片成品率。
  • 用于将绝缘或导电材料薄层沉积到基板上的过程。
  • 概述集成电路设计和布局的几何形状和连通性限制的规则。
  • 在半导体制造中,制造有功能电路的硅晶片的面积。在每个晶片上制造数百个相同的模具(替代复数是模具,骰子)。
  • 一个绝缘子
  • 也可更具体地用于指可被外加电场极化的绝缘体。在半导体加工中常用的两种介质是二氧化硅(SiO)2)和氮化硅(Si3.N4).
  • 批量加工离子注入机上的大锥形轮用于保持晶片离子植入.在磁盘的每个“辐条”的末端安装一个晶圆片。当圆盘旋转时,每个晶圆依次通过离子束,离子束被径向扫描以提供均匀的剂量跨越每个晶圆。
  • 以受控量添加到材料中的杂质,以便改变一些内在特性,例如电阻率或熔点。向半导体添加掺杂剂产生主要负阴性的材料(n型)或积极的(p型)根据掺杂剂物种的电荷载体。
  • 粘稠的液体或悬浮液掺杂剂材料。
  • 杂质的引入,或掺杂剂.进入材料的晶格以改变其电性能。创建n型区域,砷(AS),arsine(灰烬3.),膦(pH3.)和锑(Sb)常用。对于p型区域,典型的掺杂剂是硼(b),硼二氟化硼(bf2)和三氟化硼(BF3.).
  • 总金额掺杂剂在离子/ cm中测量2需要给予植入晶片所需的电性能。
  • 一种精密电流测量装置,用于计算植入晶片中的离子总数。该功能有时与均匀监测相结合。
  • 一类设计用于在特定光刻的分辨率限制下可以在晶片上产生的电路特征密度的叠加技术步进
  • 太阳能使用的技术PV.在多个精确对齐的丝网印刷操作中建立了接触线或其他结构的制造。
  • 双打印的应用实例包括制造更窄、更高的接触线和选择性发射极细胞类型。
  • 一种使用感应耦合产生氮等离子体并将氮并入超薄栅氧化物的顶表层以增加栅介质介电常数的方法。
  • 一个类型的ICP等离子体源主要用于分离等离子体密度和离子能量的蚀刻应用,导致高蚀刻速率和对基板的最小血浆损坏。
  • 一种易失性计算机存储器,其中每一位都存储在一个单独的电容器中。由于电容器随着时间的推移会自行放电,每个位元的状态必须大约每秒刷新15次,因此才有了“动态”这个术语。与“静态”闪存
  • DRAM提供了任何类型的内存的最快编程,使其非常适合直接连接微处理器,以用作主存储器。
  • 一个波纹的同时用铜形成和填充两个特征的过程覆盖A.通过可以填充单个铜沉积步骤。
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E

  • 包含树脂组分的复合材料,使得粘附和导电颗粒悬浮在其实现导电性。当树脂组分固化时,导电颗粒彼此接触,使导电性能够。
  • 在太阳能光伏技术中,入射太阳能转化为电能的比例。
  • 导体中离子运动引起的物质运动,这种运动是由导电电子和扩散的金属原子之间的动量转移引起的。
  • 将金属从化学溶液中取出并沉积在带电表面的一种沉积过程。也被称为电化学电镀、电镀或电沉积。
  • 用于接触电路的非金属部分的电导体半导体).
  • 通过电解的方法来完成,电解是通过电流将液体分离成不同的化学成分的过程。
  • 由发射相同频率的电磁波的多个源产生的效应。
  • 带负电荷的稳定的亚原子粒子,作为电的载体。
  • 离子植入,在晶片附近的端站中的电子源,用于中和可能损坏敏感电路特征的带正电荷的植入离子的不希望的电荷累积。
  • 通过电子(或质子相同的电荷尺寸)所获得的能量通过一伏的电压差。在离子植入, eV被用来测量粒子的动量。动量大的粒子会比动量小的粒子更深入地穿透半导体晶格。
  • 没有电流流过的静态电压场。在离子植入,它是指使用电压弯曲或聚焦离子束。
  • 金属基板相对于其上的晶片保持高电压,因此静电力将晶片夹在上面。
  • 一种先进的回来联系光伏电池。在发射器包绕细胞结构中,一个连续的发射器通过数千个直径小于100微米的激光钻孔通道扩散,将电流带到细胞的后部。通过消除前触点,EWT增强了光吸收,提高了电池效率。
  • 此外,被称为范围末端位错环的EOR缺陷是在硅晶体点阵中发现的紧接界面下的缺陷amorphized和晶体管的晶体区域通道离子植入
  • 可以使用EOR缺陷使用低温植入
  • 一个beamline在某些瓦里安使用的元素离子注入机这同时将离子束同时减速到最终能量,并滤除离子束以去除可以“涂抹”晶体管的不需要的高能元件通道,导致漏电流增加并降低性能。
  • 用于比较门的性能的数字介质通过表示氧化硅膜需要多厚的材料,以产生与所使用的介电材料相同的效果。
  • 一种数字用于比较高k电介质MOS门具有SiO2的MOS门性能的性能。我t shows thickness of SiO2 gate oxide needed to obtain the same gate capacitance as one with thicker SiO2 dielectric with higher dielectric constant k [e.g., EOT of 1 nm would result from using a 10 nm thick dielectric featuring k=39 (k of SiO2 is 3.9)].
  • 沉积或生长的方法,沉积的薄膜的单晶膜具有与基材的晶格结构和定向相同的晶格结构和取向。这使得能够为构建半导体器件的高纯度起点。
  • 一个APC监控处理工具的技术,以提供可视化和统计的报告工具,以识别瓶颈和提高工厂绩效。
  • 通过化学反应或物理轰击在特定区域中除去材料的方法。该方法可以使用液相(湿)蚀刻剂或真空(干燥)在真空(干燥)进行,以产生血浆​​产生气相反应物。
  • 过程中材料被移走的速度腐蚀处理通常以å/ s或nm / s表示。
  • 用于限制的膜层腐蚀深度并保护底层材料。选择ESL以抵抗被使用的蚀刻化学物质。
  • 一个光刻技术采用13.5nm EUV照明。它代表着一种重大的背离DUV因为所有光学元件必须采用反射模式,并且整个光学系统必须保持真空。
  • 对过程指定参数的偏差。
  • 离子植入,提取电极用于从源提取带正电荷的离子。离开源的离子沿下游结合形成用于植入的束掺杂剂进入硅晶片。
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F

  • 半导体制造工厂的通用名称,用于制造集成电路的工厂。
  • 也称为嵌入式晶圆级球网格阵列。一种芯片封装方案,封装不在硅片上,而在模压材料(如环氧树脂)制成的人造硅片上。芯片之间的距离通常比硅片上的距离大。在芯片周围形成互连,从芯片衬垫到互连处形成电气连接。可以在任意距离(扇形设计)的封装上创建任意数量的额外互连,这使该方案成为空间敏感应用的理想方案,在这种应用中,芯片面积将不足以在合适的距离放置所需数量的互连。
  • 一个APC使用过程状态模型推断出故障状况的发生和位置的技术,并诊断故障原因。
  • 集成电路制造的第一部分包括晶体管制造。Feol通常涵盖一切(但不包括)沉积联系人和金属互连层。术语前端有时用于将整个过程引用到完成的晶片。
  • 一种依赖于电场的晶体管,以控制半导体材料中的电荷载体的流量。
  • 安装在半导体处理系统前端的超洁净外壳,用于将晶圆传送到洁净室环境和系统内部。
  • 用于使用的术语沉着应用于描述晶片的顶表面,如不同于电路特征的表面,例如低于顶表面的沟槽和通孔。
  • Finfet是一种类型场效应晶体管在哪个导电通道通过薄的硅“翅片”在三面上围绕,形成晶体管的栅极。尽管技术上,该术语仅指具有两个门的设计,但术语通常用于描述任何多栅极晶体管架构,无论门的数量如何。
  • FinFET的主要设计目标是降低电流泄漏,而晶体管处于“关闭”状态。
  • 与...不同,不需要保留数据的一种非易失性存储技术德拉姆.“flash”这个名字来源于这样一个事实:内存是在大块中被擦除和编程的,一次从数百位到数千位。由于无法处理单个位元,它与微处理器的直接连接速度太慢,但闪存的机械稳定性和低成本使它成为移动设备中大规模存储的理想选择。
  • 任何消费者显示设备,如液晶显示器amoled.与平坦表面相比,与阴极射线管的弯曲前部相反。
  • 是将半导体器件(例如IC芯片和微机电系统)(MEMS)互连的方法,以将已经沉积在芯片垫上的焊料凸块的外部电路。
  • 空间中的物理性质的流动,通常也具有时间变化。
  • 在LED技术中,为了产生指定的光输出,LED两端所需要的电压。低于这个电压,LED就不会发光。
  • 具有固定盒式磁带的容器,具有前开口界面,用于自动化材料处理系统(amhs.).FOUP的使用可以减少晶圆上的颗粒数量,因为FOUP的内部与周围的晶圆厂环境是隔离的。
  • 一种由掺杂SiO制成的非晶态绝缘材料(k= 3.5)2用氟常用于铜层之间的互连。又称氟硅酸盐玻璃。
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G

  • 用于导电和绝缘层的集体术语结构在一个Mosfet.
  • generation的缩写,用于FPD.制造来描述玻璃的大小基质
  • 每一代都比上一代大大约80%。
一代 典型尺寸(mm) 面积(平方米) 介绍

创2

400 x 500.

0.2

1993

创3

620 x 750.

0.5

1995

创4

730 x 920

0.7

2000

创5

1000 x 1200
1,200 x 1,300

1.2
1.6

2002

创5.5

1300 x 1500

2.0

2004

创6

1500 x 1850

2.8

2003

创7

1870 x 2200

4.1

2004

创7.5

1950 x 2250

4.4

2005

创8

2160 x 2460

5.3

2006

Gen 8.5.

2200 x 2500

5.7

2007

Gen 10.

2880 x 3130

9.0

2008

g
  • 一种手段,包括洗手和手套,头部覆盖物,面具,鞋覆盖物和其他专业服装进入洁净室之前的手套。
  • 在洁净室外面的支持区域或服务区,服务人员无需进入洁净室即可进行日常维护。
  • 一个缺陷检查使用探测器收集的技术收集中和高角度散射光以使缺陷显得明亮于黑暗的背景。通常用于找到超出光学分辨率的小模式缺陷。与brightfield检查。
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H

  • 一个面具它比光刻胶更耐蚀刻,用于较高的蚀刻选择性比用光刻胶所能达到的要求要高。
  • 具有高浓度的自由电子等离子体,因此高浓度的离子。
  • 一种等离子体增强的CVD.在高真空和高等离子体激励电压下进行,以提高填充小高纵横比结构的能力。
  • 一班领导产生足够的光用于照明应用。应用范围包括液晶显示器的背光,房间照明和汽车外部灯。一个LED到底有多亮才能达到“高亮度”并没有很好的定义。最简单的定义是一种过于明亮而不能直接看的定义。
  • 将人与机器、系统或设备连接起来的用户界面或仪表板,最常用于工业流程的上下文,以可视化地显示数据、跟踪生产时间、趋势和标签、监控机器输入和输出以及装载更多。
  • 在半导体中,空穴是指晶体晶格中电子的缺失。它可以被认为是电子的对立面,带着与电子大小完全相同的正电荷。如果在电场中,一个电子移动到这个空穴中,空穴实际上向相反的方向移动。
  • 用于半导体制造的与设备通信的智能工厂系统。在半导体中,秒/宝石使用协议。
  • 一个容易发生故障的区域
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  • 一种等离子体源,其能量由电磁感应产生的电流提供,即通常从真空外壳外部施加的时变磁场。
  • 一种半导体材料,用于形成通道高性能薄膜晶体管对于活动层液晶显示器s。相比非晶硅IGZO是一种传统的通道材料,其较高的电子迁移率可以使晶体管切换得更快,从而实现更高分辨率的显示器和更快的刷新速度。
  • 一个光刻技术通过诸如水的液体介质取代最终透镜和晶片表面之间的通常气隙的分辨率增强技术。
  • 离子植入,即离子束与晶圆表面之间的入射角。

在半导体制造过程流程中的每个步骤之后,检查晶片以检测各种类型(例如,划痕,颗粒,损坏特征)的缺陷。

  • 非导电材料用于将器件或芯片的电气活性区域彼此隔离。一些常用的绝缘体是二氧化硅,氮化硅,BPSG, 和巴黎圣日尔曼
  • 一种电子器件,由许多元件在一个硅衬底上组装而成。
  • 集成电路中的接线,用于将晶体管彼此连接并连接到外部连接。
  • IC金属层之间使用的薄膜用于绝缘。
  • 用于相邻金属线之间的绝缘膜。
  • 一层硅或其他合适的材料,作为一个电接口,在一个插座或连接到另一个插座之间布线,将一个连接扩展到更宽的间距,或将一个连接重新布线到另一个不同的连接。
  • 一种将太阳能板的直流电转换成与电网电力兼容的交流电源的装置。
  • 由一个或多个电子的损耗或谷物形成的电带电荷原子或原子组
  • 离子的一种处理技术掺杂剂化学物质(硼、砷等)在强电场中加速穿透晶圆表面,从而改变材料的电特性。
  • 设计用于以所需浓度在基板上均匀地喷射所选择的掺杂原子的工具。该技术被称为离子植入
  • 离子植入,一种通过负偏压放电排出正离子的装置提取电极.然后可以在a中加速所得到的离子beamline朝向目标晶圆片。
  • 从电中性原子或分子中加入或去除更多电子的过程。一旦颗粒被电离,可以使用磁性或静电场加速,转向和以其他方式操纵,如beamline
  • 一个共同的TCO材料。
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J

  • 两个不同的半导体区域之间的界面掺杂剂类型。通常是指P-N结,电导率类型的变化p型n型
  • 在太阳能模块中,为模块输出提供连接点而设计的一种环境外壳。
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K

  • 也称为介电常数,通常用希腊字母kappa (κ)表示。一种材料集中电通量的程度的表示。
  • 在电子器件中,它是指相对于二氧化硅的材料的电容。
  • 高k值可以产生晶体管在不增加不期望的泄漏的情况下变小。
  • 低k值在绝缘材料中是可取的,例如用于分离的绝缘材料互联因为它减少了以热量的形式浪费能量的电荷堆积,降低了设备的总功率消耗。此外,低k值允许更快的信号传播,从而更快的切换速度。
  • 在切割过程中材料损耗的量。在硅片生产中,切缝损耗是硅片生产过程中硅的消耗量,它对硅片的成本、边缘质量和表面光洁度起着至关重要的作用。
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l

  • 在化学中,用来描述不断发生或可能发生变化的事物的术语。例如,如果一个分子以特定构象存在的时间很短,在采用较低能量构象之前,前者的分子结构被称为“高不稳定性”。在半导体中,它可以指al易与晶圆表面材料发生反应的前体化学物质。
  • 一种利用激光烧蚀薄膜PV电池表面以确定互连模式的技术。
  • 原子在晶体中的有序排列
  • 当电流流过时发光的半导体装置。LED由p-n组成交界处当一对载流子重新结合时,一个光子就会被发射出来。
  • 主要用于光掩模刻蚀测量蚀刻过程的精度。线性度被定义为偏离目标的范围CD跨越指定的功能尺寸范围。
  • 一种使用一系列背光的平板显示器薄膜晶体管被称为背板来控制每个像素。
  • LCD通过单独控制每个晶体管来允许或阻挡背光的光来工作。然后,白光通过一组彩色滤光片组装成最终的全彩图像。
  • 当像素晶体管截止时,液晶材料旋转偏振光通过90°,允许其通过第二偏振器。
  • 当晶体管通电时,液晶分子以这样的方式对准,使得光不再旋转,因此光被第二偏振器阻挡。
  • 任何提高分辨率,保真度或其他方面的技术光刻技术的过程。
  • 把图案或图象从一种媒介转移到另一种媒介,例如从一种媒介转移到另一种媒介光掩模对晶圆片使用步进
  • 一种腔室,用于在大气压力下传送一个或多个晶圆片FI.和用于加工的真空环境。
  • 在同一时间处理的一批具有相同特性的晶圆片。很多东西通常都保存在一起FOUPS.
  • 一个CVD.在低于大气压的环境中进行的过程。
  • 一个芯片在单芯上有3,000到100,000个晶体管。第一个LSI芯片在20世纪70年代中期生产。
  • 用于创建的过程多晶硅使用两步过程的电影。第一步将前体膜沉积在400-450°下使用aPECVD.工艺,低于600-1000°LPCVD通常用于半导体制造的工艺。第二步使用an退火将前体转化为多晶硅的过程。
  • LTPS薄膜通常用于amoled.和超高分辨率TFT-LCD.显示。
  • 在LED技术中,用来衡量LED将能量转换为电磁辐射效率的一种指标。通常用流明每瓦特(lm/W)来表示。
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  • 一种材料(通常是铁磁材料)在外加磁场中改变其电阻值的特性。这种效应被用作磁性随机存取存储器结构中的数据存储机制。
  • 一种有图案的材料层,用于防止其直接下方的材料腐蚀。也是Photomask.
  • 在瓦里安植入器中,质量分析磁铁被放置在和处理室以偏转和过滤离子,因此仅选定的离子进入处理室。这确保只有所需的掺杂剂晶片。
  • 一种计算机控制系统,用于管理在生产环境中工作物料的运输和储存。
  • 一班离子植入机专为最大剂量均匀性。光束电流范围为1μA至5mA,在5-600keV的能量下。中等电流植入机通常具有植入的能力掺杂剂植入角度距离晶圆表面30°,使掺杂剂部分植入晶圆表面现有结构下方。
  • 非常小的机械或机电装置,例如使用改进的半导体器件制造技术制造的传感器和致动器。
  • 一种用于管理和监控制造环境中在制品的软件控制系统。
  • CVD.周围性血管疾病沉积用于互连芯片上的装置的高导电金属层。通常使用的金属包括铝,钨和铜等。
  • 测量科学以确定尺寸,数量或容量;使用传感器和测量设备的技术和程序来确定晶片处理中的物理和电气性能。
  • 一种具有非常小(0.5-2μm)硅晶体的薄膜硅的形式,与非晶硅混合。它通常沉积在薄层(通常为1-3μm)中串联(堆积)薄膜太阳能电池。
  • 根据它们的密度(例如密集,半致密)相对于开放区域特征,以不同的速率蚀刻相同的特征的现象。
  • (μm或微米)长度单位;百万分之一米。
  • 一种集成电路,它包含算术、逻辑和控制电路在一个单独的封装中。
  • 一种外壳或由外壳所创造的环境,以保持晶圆不受污染,例如FOUP.
  • MOCVD是一种类型外延用于沉积化合物半导体薄膜的工艺,尤指用于制造高亮度发光二极管和电力电子产品。在MOCVD过程中,含有所需金属和其他元素的有机化合物之间在基质表面发生化学反应。
  • 太阳能组件是最后的封装PV发电机。在c-Si技术中,模块通常包含几十个太阳能电池连接在一起。
  • MOL使用一系列接触结构连接晶体管和芯片的互连部件。
  • 多种设备技术,如RF.设备,电源管理子系统,传感器,执行器和MEMS.,将模拟函数集成到CMOS.的技术。
  • 通过生长一层二氧化硅而获得的结构(SiO2),然后沉积一层金属或多晶硅(后者是常用的)。常用于描述用这种方法制造的晶体管。
  • 在太阳能光伏发电技术中,一种用单晶硅颗粒浇铸成晶锭的硅片。然后这些金属锭被切成晶圆,用于微芯片和光伏电池的制造。
  • 发现了一种类型的缺陷平板显示器显示屏的各个区域亮度不均匀。又称“云化”。
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N

  • 导电带负电的半导体材料(过量的电子)。
  • 中使用的一种逻辑算子闪存仅当其输入中的至少一个没有信号时,才产生输出信号,因此“不为”(AN和Operator的倒数)。
  • 半导体,太阳能和显示行业的解决方案集中于小于100nm的尺寸。
  • 长度单位;十亿分之一米。
  • 一些varian植入机使用的装置,用于在设置期间测量离子束电流,并充当陷阱中生成的中性的陷阱beamline
  • 在离子束中运动的具有相同能量但不再带电荷的粒子。中性粒子不能被外部场操纵,将以固定的速度继续运动,直到与真空室壁或其他粒子相撞。
  • 转化成氮化物
  • 一个金属氧化物半导体在静电形成的n-中,有源载体是在n型源和漏区之间流动的电子的晶体管。通道在p型硅衬底中。
  • 中使用的一种逻辑算子闪存产生一个与OR相反的输出结果。
  • 促进随后沉积的薄膜生长的一层薄膜。
  • a由a报告的疑似缺陷缺陷检查可以忽略的系统,因为它对已完成的设备的功能没有影响。抑制有害缺陷或“误报”缺陷是先进缺陷检查系统的关键能力。
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O

  • Oxide-nitride-oxynitride;多层金属氧化物半导体栅介质。
  • 在薄膜有机半导体中,由于电子-空穴相互作用而发出光子的一种发光装置。
  • 离子植入,晶圆的晶格结构与光束的方位角。在不同的取向角、不同的掺杂剂渗透深度和通灵将获得。
  • 离子植入,扫过离子束经过晶片边缘的实践,以实现均匀剂量在晶圆外围。
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P

  • 具有正电导电性(缺乏电子)的半导体材料。
  • 一种新兴的高密度封装技术,将芯片放置在面板上而不是晶圆上,这样可以容纳更少的芯片。
  • 所有电路元件的固有电容如互联晶体管这导致它们的行为偏离“理想”电路元件。
  • 在半导体中,尤指在间隔很短的导体之间产生的不希望出现的电容,这种电容会导致诸如相声
  • 通过降低介电常数,或者可以降低寄生电容,或者k值绝缘体与相邻电路元件分开。
  • 垂直条形图,其中值以左向右的相对频率的顺序绘制。用于分析首先需要注意的问题。
  • 半导体器件中的一层,在电路元件上形成一个密封的密封层。这层密封层可以作为制造的最后一步,也可以在晶圆在加工工具之间传递时保护化学活性材料不发生反应。等离子体氮化和二氧化硅是主要用于钝化的材料。
  • 在半导体制造中,在晶圆片上产生所需的电路几何形状。一般用来指…的组合光刻技术和相关过程,如图案胶片沉积和腐蚀
  • 一个CVD.过程中使用等离子体驱动沉积的能量。这种技术可以降低沉积温度,增加薄膜密度和纯度。
  • 一种透明的聚合物片,置于框架上,以保护掩膜的图案区域不受空气污染。在曝光期间,任何污染都保持在焦平面之外,因此不会“打印”在晶圆上。
  • 通过在电池后部添加电介质钝化层来改变传统的传统细胞,其可以通过添加电介质钝化层来实现更高的能量转换效率。介电钝化层通过减小电子重组而导致效率的增加,增加太阳能电池捕获光和反射通常产生太阳能电池的热量的特定波长的能力。
  • 一个光掩模利用相位差产生的干涉来提高光刻的图像分辨率。
  • 一种掺杂SiO而制成的非晶绝缘材料2加磷可提高防潮性和回流特性。又称磷硅酸盐玻璃。
  • 一种熔融石英(石英)板,通常为152平方毫米,上面覆盖有不透明、透明和相移区域的图案,这些图案将投射到晶圆片上光刻技术流程定义一层集成电路的布局。
  • 由曝光的光敏有机聚合物光刻技术工艺,然后开发以产生识别待蚀刻的潜在膜的区域的图案。
  • 例如相邻特征中心之间的距离互连行或联系洞。
  • 任何一种模式技术,从单一的特征中创建成对的特征光刻技术图像与A.沥青原始图像的一半,从而产生比单独的光刻过程更小的图案能够。有时会误导地被称为渐近。
  • FPD.技术,测量分辨率,其描述显示屏上各个像素之间的距离。通常以每英寸或ppi的像素表示。
  • 使用低选择性蚀刻或通过,不均匀晶片表面的过程相对平坦的过程CMP.
  • 第四种物质 - 不是固体,液体或气体。在等离子体中,电子从原子中拉出并且可以独立移动。即使正极和负电荷的总数相等,保持单个原子也是充电的,保持整体电中性。
  • 在结束时沉积在完成的晶体管上的绝缘层FEOL加工第一金属互连层形成。
  • P -通道在N型硅衬底中的静电形成的P沟道中,主动载体是在P型源极和漏区之间流动的孔的孔。
  • 一个rtp.步进用于减少漏电电流而无驱动电流损失,在栅氧化氮化后产生门堆栈
  • 通常用于DRAM制造中的栅极电极的胶卷堆叠,由硅化物组成多晶硅
  • 多晶硅(或半晶硅、多晶硅、多晶硅或简称“多晶硅”)是一种由多个小硅晶体组成的材料。广泛用于高掺杂状态的导体/栅材料。聚薄膜通常是通过硅烷热解沉积的LPCVD的过程。
  • 使用的技术离子植入用来减少通灵通过故意非晶化前一个地区掺杂剂植入,从而能够实现更均匀的掺杂剂曲线。在一个非晶区域内没有定义没有信道。通常用诸如氩气的惰性元素进行预混合植入物。
  • 金属沉积前最后一次植入。
  • 在制造集成电路或其他设备中执行的操作或一组顺序操作。
  • 在集成电路或其他器件的制造过程中进行单一过程的封闭区域。
  • 优化每个流程步骤以正确地与顺序流程流中的前一步和后续步骤一起工作。
  • 用于测量表面轮廓的一种测量仪器,以量化其粗糙度和关键尺寸,如台阶、曲率、平直度、纹理和高度。
  • 一个类型的触控面板由电极的电网组成,该电极可以检测由导电物体的存在诸如手指或导电触控笔的静电场的畸变。
  • PCT面板通常用于所需的应用程序,以便同时需要精确跟踪多个接触点,例如智能手机和平板电脑。
  • 把光转换成电的过程。太阳能光伏发电是指利用太阳辐射发电。
  • 一种用于制造薄膜光伏组件的树脂。PV电路是在一片玻璃上形成的,再覆盖一层PVB,然后后面的玻璃.然后将这个组装层压封装电路,保护它不受环境影响。
  • 由导电材料(铝、氮化钛等)的原子组成的一种加工技术气急败坏的说从一个目标纯材料,然后沉积在基板上,在集成电路或集成电路中创建导电电路FPD.
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  • 一类设计用于四重电路特征密度的图案化技术,该技术可以在特定光刻的分辨率限制下在晶片上产生的电路特征密度步进
  • 由四个符号交替排列成圆圈的极点所产生的磁场或静电场;用来聚焦带电粒子束。
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R

  • 一个APC允许在机器“运行”之间修改加工参数以减少可变性的一种技术。
  • 一个原子或一组原子,至少有一个未配对的电子,因此是不稳定的和高度活性的。
  • 一种依赖于单色光的非弹性(拉曼)散射的化学分析的光谱分析。以非接触方式实现实际反应监测和表征化合物。
  • 一个退火其中晶片在短时间内加热到指定温度的过程。
  • 在半导体器件制造期间重复使用RTP,以用于此目的激活植入掺杂剂或改变材料的状态(或相)以增强所需的属性(如导电性)。退火可以使用三种技术-浸渍,尖峰和毫秒。技术的选择取决于几个因素,包括设备在制造顺序的特定点上承受特定温度/时间暴露的耐受性。一般来说,设备可以承受更长时间的高温暴露(30-90秒),也称为浸泡退火,在制造周期的早期。随着循环的进行,如果需要高温,必须降低温度或显著缩短暴露时间。尖刺退火属于后一类,用于-流走种植体的激活和扩散以及高k/金属制造。
  • 向内倾斜的东西指侧壁是凹的特征。
  • 特定工艺步骤的记忆参数,如气体流量、温度和压力。一般来说,同一配方适用于所有的晶圆片很多
  • 芯片上的额外金属层,可以使输入/输出焊盘集成电路可在其他地点使用,使芯片对芯片连接更容易。
  • 要求从可再生能源增加能源的规定,如风,太阳能,生物量和地热。相同概念的另一个常见名称是可再生电力标准(RES)。
  • 导体阻挡电流通过的程度的量度。
  • 离子植入通常在分析仪后直接发现的一个小孔径,它将光束分解为具有特定电荷的一种分子或原子。
  • 透明板一种扁平的透明板,用于步进包含要在晶片上再现的晶片图案的图像。经常互换使用光掩模
  • 苹果公司的商标用于描述像素密度足够高的任何显示器,人眼不能区分各个像素。
  • 请注意,此术语与其直接相关像素密度,因为它包括了观看距离。手机屏幕要达到视网膜显示屏的标准,像素密度必须超过300ppi,而电视屏幕只需要大约50ppi。
  • 在半导体制造中,电磁或静电场在2MHz-200MHz或1-3GHz范围内的振荡速率。在某些类型的晶片加工腔中,等离子体是通过对ESC、顶板感应结构或顶板电容结构施加强射频场来启动的;振荡电场通过剥离气体分子的电子而使它们电离,从而产生等离子体。
  • 一个类型的周围性血管疾病使用电感耦合等离子体的过程允许较低的离子能量与传统的PVD反应器相比,因此可以更温和地沉积机构,其可以产生非常薄的,亚纳米薄膜,并且几乎消除对底层电路特征的损坏。
  • 离子植入,已经限制在矩形横截面中的电子束允许晶片的整个表面沿着单个轴转向梁覆盖。与光束相反,必须来回扫描以覆盖晶片。
  • 一种蚀刻技术,使用化学反应等离子体去除沉积在晶圆片上的材料。来自等离子体的高能离子与晶圆表面的材料发生反应。
  • 用于初始抽空真空系统的机械泵。这个过程称为“粗加工”。
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年代

  • 由应用材料创造的术语来描述CVD.使用的过程略低于大气压Teos./臭氧化学。
  • 自对齐的收缩硅化物.Palicide处理技术寻求利用沉积在图案化的硅衬底上的耐火金属的原理将在特定的加工条件下选择性地与暴露的硅反应,并且不会与诸如氧化硅材料的相邻材料反应。因此,不需要图案化步骤。
  • 一种采用牺牲侧壁间隔膜的图案化技术,达到比特定光刻的正常限制更高的分辨率的四倍步进
  • 离子植入,离子束相对于晶片的移动以覆盖整个晶片表面。
  • 组成部分离子植入机这将在晶片上移动离子束,或者通过离子束移动晶片。这可以用磁场,静电场或机械运动来实现。
  • 用电子束而不是光照射样品的显微镜。光束在样品表面来回扫描。
  • 晶体硅太阳能PV.制造业,一种由编织材料制成的片状材料,支撑有开口区域的模板,银浆或其他材料通过开口区域在晶圆片上形成图案。它类似于光掩模在半导体制造中。
  • 离子植入这是一层薄薄的、具有牺牲性质的硅2它可以阻止游离离子在离子束中夹带并随后被移除。此外,屏幕氧化物轻微散射主离子束从而防止通灵
  • 任何不能直接排气到大气中的真空泵,也就是说,它必须与一低真空泵.半导体中常用的二次泵是低温泵涡轮泵
  • 一种用于规范半导体制造设备与主控制系统之间通信的软件协议。它的目的是通过建立一套通用的指令集来简化工厂自动化,使所有的设备都能理解工厂
  • 一个成核层其中成核材料与随后沉积的膜相同。
  • 仅在不影响邻近材料的情况下发生在所需的情况下,如选择性沉积或选择性去除。
  • 提高晶体硅转换效率的一种技术PV.太阳能电池。选择性发射器是非常掺杂的区域,精确地放置在前金属接触线下方,以减少电接触电阻并允许电力更自由流动。掺杂区域通常通过沉积制造掺杂剂粘贴然后将接触线打印在上面。
  • 两种材料在蚀刻加工过程中所观察到的蚀刻速率之比。通常用来指材料的相对蚀刻速率面具,也是蚀刻图案保真度的一个重要指标。
  • 导电性在金属(导体)和绝缘体(非导体)之间的中间的材料,并且可以通过添加来物理或化学改造以增加或降低其电导率掺杂剂
  • 易于分解成硅和氢气,硅烷的气体通常用于沉积含硅化合物。它还与氨反应形成氮化硅,或用氧形成以形成二氧化硅。
  • 退火(烧结)过程导致形成金属 - 硅合金(硅化物)以充当接触。例如,由于硅化,TIS沉积在Si上形成TISI2。
  • 硅与一种更具正电性的元素的化合物。镍、钽、钛和钴硅化膜用于制造晶体管连接的欧姆(低电阻率)接触。硅化钼常被用作吸光层光掩模.钨硅化物(矽化物)用于DRAM栅电极。
  • 最普遍的介质半导体制造中使用的材料由于其多功能性和稳定性。也称为“氧化物”,可以通过热氧化或沉积在硅晶片上生长方向PECVD.HDP-CVD流程。
  • 用等离子体增强或LPCVD沉积的硅/氮薄膜介质。有时被松散地称为罪恶。
  • 用单个P-N结构造的光伏电池。这包括非晶硅薄膜和大多数晶体硅细胞类型。
  • 高功率磁控源周围性血管疾病向等离子体提供足够能量的过程气急败坏的说金属原子被电离了。然后,金属离子可以利用电场加速向晶圆方向移动,形成更有方向性的沉积模式,从而在小的几何结构中实现更高的台阶覆盖。
  • 在半导体技术中,研磨性固体在液体中的悬浮体CMP.流程。在PV中,用作磨料介质线锯压扁
  • 源掩码优化(SMO)是一种分辨率增强技术光刻技术补偿由像差、衍射或加工效果引起的图像误差。
  • 在半导体制造中使用层叠硅绝缘体 - 硅衬底。SOI基板提供减少寄生电容与集成电路中的相邻器件相比,与内置于散装晶片中的器件相比,使得能耗降低,因此更高的设备性能。
  • 一种将阳光的能量直接转换为电力光伏的效果。多个细胞连接在一起形成模块
  • 公用尺度光伏电站。
  • 轻轻一亮 -掺杂区域从流走进入晶体管通道在晶体管装置工作时使电场扩散的。如果没有扩展,非常小的晶体管中的电场可能足以损坏栅极介质并导致器件故障。
  • 离子植入用于创建源 - 排水扩展的过程是一个例子损害工程
  • 将统计技术应用于过程的监视和控制,以改进生产质量控制的一种方法。
  • 一种固定的冷却金属板,位于植入盘的顶部,在植入过程中捕获离子束过扫描
  • 当不同的食谱很多为了提高某一特定工艺步骤的性能的实验目的,该批次被称为分割批次。
  • 一种将原子从固体中喷射出来的沉积薄膜的方法目标由于精力粒子轰击靶引起的材料。
  • PV.晶圆制造,使用专业化将硅锭切成矩形块的过程线锯.这些正方形的块,或砖块,然后被切成单独的晶圆压扁的过程。
  • 一种计算机存储器,其中每个位存储在具有两个稳定状态的通常6或8个晶体管的网络中。
  • SRAM细胞复杂并消耗芯片上的更多区域德拉姆细胞,但具有更快,更高劣的功能。
  • 微处理器和其他逻辑芯片通常在芯片上使用SRAM单元作为高速缓存存储器,用于存储最频繁访问的指令和数据。
  • 一种用于压扁CMP.流程使用泥浆以回收材料,如磨料和冷却,以进行后续回收。
  • 分别的特征侧面的厚度与薄膜厚度的比例分别在底部(例如,在通孔)或特征(例如,FINFET的翅片中)的厚度。
  • 用于传送十字线的设备(Photomask)图案到晶片上。相同的模式被转移到每个模式在晶圆上。
  • 一种将每个晶体管或存储单元与其相邻单元隔离以防止电流泄漏的技术。该技术采用蚀刻在硅上的沟槽图案,填充一种绝缘材料,如二氧化硅。
  • 在半导体制造中使用的一种工艺,通过扭曲晶体将应力引入晶体管和存储单元晶格.在逻辑上,这使电更容易通过晶体管,提高晶体管的性能。在存储器中,应变也可以减少泄漏电流,从而允许更高的单元密度。
  • 一种使用的切割丝线锯为了提高切割速度而形成或卷曲成锯齿状或类似形状的东西。
  • 操纵薄膜的材料。硅最常用于半导体和碳硅光伏电池。玻璃通常用于液晶显示器和薄膜光伏应用。
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T

  • 一种太阳能光伏电池类型,使用多种光转换材料,以提高转换效率。例如串联结薄膜硅电池非晶硅和微晶层。
  • 周围性血管疾病,目标是要沉积的材料的来源。由于轰击能量粒子,原子从目标喷射。
  • 用于光电器件的掺杂金属氧化膜,例如平板显示器,触摸面板和光伏。在LCD中,TCO层形成产生电场以偏振液晶的电极。在触摸面板中,TCO层用于传感电极。在PV.,TCO形成细胞的顶部电极。
  • 透射电子显微镜一种能使电子束穿过超薄标本的透射电子显微镜它的工作原理与光学显微镜相同,但分辨率要高得多。
  • 氧化沉积的液体源,正硅酸四乙酯是与
    公式Si (OC2H54
  • 终端效应是一种现象电化学沉积由此,沉积的膜在晶片的边缘倾向于比中心更厚。由于晶片的电阻,它源于从负端子接触到中心的晶片边缘的电压降。这种阻力的主要成分是种子层哪一个在晶圆上沉积周围性血管疾病在电镀过程之前。种子层在每个技​​术节点处变薄,这增加了晶片的电阻率并加剧了终端效应。可以通过使用可以调节晶片上的施加电压的先进电流密度控制系统来补偿效果,从而在晶片上均匀沉积。
  • 一个类型的液晶显示器显示使用薄膜晶体管位于每个像素上,直接驱动液晶的偏振,从而控制该像素是否开启或关闭。
  • 从纳米的馏分到几微米的一层材料范围厚。
  • 一个Mosfet.用薄膜技术制造,主要用于有源矩阵液晶显示器的制造。
  • 晶圆的数目为a工具可以每小时处理。
  • 一种用来指半导体加工设备的术语。
  • 在半导体技术中,由于在晶圆片表面制造特性而产生的非平面性。这可能会对后续层的图案产生重大影响,因为有限的景深步进光学系统可能导致部分图样不符合规格。也用于描述不同材料去除率引起的不均匀性CMP.
  • 一种计算机界面,可在典型的矩形区域上检测触控笔或手指的存在。
  • 经常与显示器集成以生产a触摸屏
  • 一种类型的显示器,例如TFT-LCD.amoled.包含一个触控面板使用户能够直接与显示的图像进行交互,而不是通过鼠标或轨迹球间接地进行交互。
  • 一个工具集成了在半导体制造中处理光刻胶(沉积,软烤,曝光,显影,硬烤)的几个步骤。
  • 一种半导体器件,用于转换和放大作为集成电路基本元件的电子信号。
  • 在晶圆片上蚀刻的槽,用作器件结构的一部分。
  • 一种内置在在衬底上。这种技术允许在不增加晶圆上形成电容所需的面积的情况下增加电容。
  • 一个类型的二次真空泵用来制造高真空。高速涡轮叶片与静止叶片交替,将气体分子压缩到泵的底部,由粗泵清除。
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U

  • 数字视频格式,分辨率为3840 x 2160像素。
  • 又称2160P和4K,UHD具有四倍的像素,作为传统的HD 1080P视频。
  • 集中于减小厚度的半导体制造区域连接这种形式的流走先进的晶体管区域,以提高性能,同时保持可接受的漏电流和击穿电压。
  • 倒装芯片封装中的沉积工艺,其将管芯与焊料凸块连接到基板。
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V

  • 低于大气环境的压力,通常通过特定压力范围提及:
  • 粗真空,从大气到1 x 10-3托尔
  • 高真空,从1 x 10-3托尔到1 × 109托尔
  • 超高真空(UHV) - 低于1 x 109托尔
  • 离子植入,一种用于将固态离子源材料转化为气态以生产离子束的装置。
  • 通过介电层的垂直途径,使电气连接在一起互连层。
  • 一个芯片在单芯上有10,000到1,000,000个晶体管。该术语通常延伸以描述具有大于10,000的任何数量晶体管的芯片。其他术语如超大规模集成(ULSI)被创造,但不再是广泛使用。
  • 也被称为3D NAND阵列。
  • 一班闪存在单个基板上垂直分层的多个二维阵列的架构(而不是堆叠使用wafer-level包装).
  • VNAND是一种递增的方法位密度而不必减小每个单元格的大小。
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W

  • 薄,圆形或几乎方形的单一或多晶硅用来制造半导体和光伏电池的硅。
  • 包装技术集成电路虽然仍然是晶圆的一部分,而不是将晶片切成单个电路(骰子),然后包装它们。
  • 将硅锭或硅砖分成硅片的过程。
  • 一种由金属或石墨制成的保护性衬垫,安装在波导.不需要的离子物种放弃了这些衬垫的能量。
  • 卷对卷涂布技术的另一种叫法,是将材料的薄膜沉积在柔性材料的卷上。
  • 在工艺步骤之间使用液体化学从基材中去除不需要的物质或污染物的工艺。
  • 能够均匀地分布在固体表面,而不是形成离散的液滴。
  • 在硅片制造过程中,一种利用移动的金属丝来完成三个关键步骤的机器。
  1. 切割-去除单晶硅锭的锥形端部
  2. 平方 - 将圆柱形裁剪锭转向矩形块或砖块。在多晶硅晶片制造中,该步骤用于将大型铸锭切成砖块
  3. 散翅 - 将砖块切成单个晶片
  • 所有门之间的连接晶体管在存储阵列段的某一行中。
WP
  • 瓦峰,太阳能工业单位,用于在理想的辐照条件下提供的太阳能电池的功率。
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Y

  • 产品(如晶圆片或模具)在生产过程中符合规格的百分比。
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