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芯片布线的应用材料突破使逻辑缩放到3nm及更远

  • 在真空下将七个过程技术集成在一个系统中,在真空中互连抵抗
  • 新材料工程方法提高芯片性能并降低功耗
  • 最新系统举例说明应用程序的策略是为客户提供PPACT Enablement Company™

圣克拉拉,加利福尼亚州。 2021年6月16日(新闻界) - 应用材料,Inc。今天推出了一种新的方式来工程师推送高级逻辑芯片,这使得能够缩放到3nm节点和超越。

虽然尺寸减小效益晶体管性能,但在互连布线中相反:较小的电线具有更大的电阻,从而降低性能并提高功耗。在没有材料工程突破的情况下,通过电阻互连将从7nm节点到3nm节点增加10个因子,否定了晶体管缩放的益处。

应用材料开发了一种叫做潮苏拉的新材料工程溶液®铜屏障SEED IMS™。它是一种集成材料解决方案,将七种不同的工艺技术在一个系统中结合在高真空下:ALD,PVD,CVD,铜回流,表面处理,接口工程和计量。该组合用选择性ALD取代了共形ALD,在通孔界面处消除了高电阻率屏障。该解决方案还包括铜回流技术,使空隙自由间隙能够填充狭窄的特征。通孔接触界面处的电阻降低了50%,提高了芯片性能和功耗,并使逻辑缩放将继续3nm及更远。可以在此链接中查看流程序列的动画:https://bit.ly/3g8hme1.

“智能手机芯片具有数十亿的铜互连,并且布线已经消耗了芯片的三分之一,”说 Prabu Raja.,半导体产品集团的高级副总裁兼总经理 应用材料。“在真空中整合多个过程技术使我们能够再造材料和结构,使得消费者可以具有更有能力的设备和更长的电池寿命。这一独特的集成解决方案旨在加快客户的性能,电力和面积成本路线图。“

现在正在全球领先的铸造逻辑客户使用Endura铜屏障籽IMS系统。有关系统和逻辑缩放的其他创新的其他信息将在Applipp的情况下讨论2021逻辑 硕士课今天举行。

关于应用材料
应用材料,Inc。(纳斯达克:AMAT)是材料工程解决方案的领导者,用于生产几乎每个新的芯片和世界的高级展示。我们在修改原子水平和工业规模的材料方面的专业知识使客户能够将可能性转化为现实。在应用材料,我们的创新使得更美好的未来。了解更多www.944game.com.

接触:
瑞奇毕业沃尔(编辑/媒体)408.235.4676
迈克尔沙利文(金融社区)408.986.7977

伴随此公告的照片可供选择https://www.globenewswire.com/newsroom/Attachmentng/5808956D-A82A-45D4-B07-6E4804678159.


主要徽标

应用材料'Endura®Copper屏障SEED IMS™系统

应用材料的新endura®铜屏障SEED IMS™在高真空下在一个系统中结合了七种不同的工艺技术,以提高芯片性能和功耗。可以在此处查看流程序列的动画:https://bit.ly/3g8hme1.

资料来源:应用材料,Inc。

2021年6月16日