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  • 硅晶片的尺寸约为直径为8英寸。也用来参考a工具设计用于处理此尺寸的晶片。
  • 硅晶片的尺寸大约12英寸直径。也用来参考a工具设计用于处理此尺寸的晶片。
  • 的另一种说法UHD数字视频格式。
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一个

  • 从液体或气体中除去有毒或其他有害物质的过程。实例包括从中除去铜颗粒CMP浆料或转换液态或气态流出物的毒性进入安全形式处置。
  • 在接受电子的半导体中的杂质。硼是在用于掺杂硅的初级受体离子注入的过程。
  • 一种存储单元,用来临时存储生产线上的在制品。
  • 离子注入的过程,通过该原子被引入到一个晶体管来修改其材料性能的一部分;在最常见的应用,掺杂剂原子变得电活性,即充电载体创造并且植入区域的电导率增加。
  • 当植入掺杂剂原子时,硅晶体格子被扰乱,或amorphized.随后使用晶格进行修复实时处理,在此过程中,掺杂离子占据晶格中的取代位并产生电荷载体被建造。
  • 一种使用电致发光阵列的显示器OLED.像素控制的薄膜晶体管
  • 与a不同,Amoled显示屏的每个像素直接产生光线TFT-LCD.其中整个显示器由背光从后面照亮,并由控制每个像素处液晶偏振的薄膜晶体管选择性地允许通过。
  • 与tft - lcd相比,AMOLED显示屏的主要优点是“关闭”像素不消耗电能,因此整体功耗显著降低。
  • 一种二元光掩模使用不透明的MoSi层作为吸光层。一层极薄的铬层被放置在顶部并用作坚硬面具用于蚀刻过程。在玻璃(OMOG)Photomask上也称为不透明MOSI。
  • 一项广泛的术语,用于解决用于解决多变量控制问题或离散控制问题的过程控制工具。这些工具包括统计过程控制,运行控制故障检测和分类。
  • 一层薄膜沉积一次沉积一部分单层材料的技术。
  • 一个PVD.过程在低压和大目标-To-to-tofer距离以产生沉积物种的定向焊剂。
  • 一种PSM这具有蚀刻到不同深度的石英衬底的区域,以便在透射光中引入180度相移,以改善晶片上投影图像的分辨率。
  • 铝在晶体管和其他电路元件之间连接的微芯片中的路径。
  • 一种没有晶体结构的硅。
  • PV.,非晶硅是一个重要的薄膜技术。
  • 液晶制造业,A-Si是最广泛使用的背板类型。
  • 离子注入,一种用于分析离子种类并根据原子量选择所需离子的磁铁。
  • 单位长度;一百亿米。
  • 一种高温处理步骤,用于修复晶圆片晶体结构中的缺陷或诱导相变。
  • 自动视觉打印后检查,其中相机自动扫描印刷基板的质量控制和缺陷检测。
  • 离子注入,一个开口,离子束通过这个开口被引导,它决定了前进的离子束的形状和大小。
  • 一种吸光层(通常是氮化钛),沉积在金属或多晶硅上,用于改善光刻技术表现。
  • 自动清洗功能,通过安装在梭上的织物垫与打印头同时运动,清洗筛网底部,取代传统的操作程序。
  • 电路特性的深度与宽度之比,如a通过或者联系
  • 一种PSM这允许通过某些区域传递少量光以干扰来自掩模的透明部分的光,并且再次改善晶片上的对比度。
  • 在光伏组件制造中,通过将组件置于较高的温度和压力下,高压釜用于去除滞留的空气,并改善复合膜和玻璃基板之间的附着力。
  • 任何具有运载转移机器人的设备,可移动盒式磁带,豆荚或foup进出固定设备。
  • 技术晶片检查系统基于其物理和光学性质,将缺陷放入若干类别中。
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B

  • 覆盖太阳能整个背面的金属层PV.小区和充当导体。
  • 还用于指代高级单元设计,如ewt.电池的两端均位于晶圆片的背面,从而增加电池的集光面积,从而提高转换效率。
  • 薄膜太阳能模块的底层,可提供刚性和电绝缘。电流从模块中提取通过接线盒通过后玻璃上的孔与电路相连。
  • 在真空泵工艺期间加热加速真空系统表面的脱气的技术。用于减少达到UHV压力所需的时间。
  • 除了制造运行太阳能光伏发电系统的太阳能模块之外,组件还包括安装结构,电缆,逆变器,陆地和维护。
  • 一种物理层,用于防止阻挡层上下两层的混合。
  • 同时处理多个晶圆片的处理顺序,相对于单晶圆片(串行)处理。
  • 离子注入,离子束中的任何不希望的物质或离子电荷。
  • 离子注入端站的扫描电流,定义为束流中粒子的数量、速度和电荷的乘积。
  • 离子注入,一种用于反射缓慢移动的正电荷离子的负电荷电极。(见静电镜
  • 通过在电气测试之前完成晶体管制造后的一系列处理步骤。也称为半导体制造的后端。术语后端也用于在晶片完成后指的是芯片制造的那些部分,即切割,包装和测试。
  • 衡量存储器件的基板的给定区域中有多紧密的存储器单元。
  • 一般来说,较高的位密度是可取的,因为它往往以提高性能和降低成本每比特。
  • 通常用比特每平方英寸来衡量。
  • 信息从记忆细胞中写入/读取的行。
  • 光伏材料用于取代常规建筑材料的建筑物包围,如屋顶,天窗或外墙。
  • 使用的参数沉积为了描述与晶片的顶表面相比,在电路特征底部存放过程的过程,或者. 它定义为场上的膜厚除以给定特征底部的膜厚之比。
  • 一种非晶绝缘材料,由SiO掺杂而成2用硼和磷来改善防潮性和回流特性。
  • 一个缺陷检查收集从缺陷反射的光的技术,从而创建缺陷对白色背景的缺陷看起来的图像。一般来说,Brightfield系统更敏感,但比暗视野检查。亮场检测通常用于发现晶体管制造过程中的图形缺陷。
  • 工作服在军中工作人员穿的全身衣服整理房间将颗粒和污染物的释放减少到空气中。
  • 在薄膜PV模块中,相对大的导电带收集来自各个太阳能电池的功率。
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C

  • 一种材料能储存电荷的程度。
  • 用于临时存储电荷的电气部件。它由两个导电表面组成,由非导通隔开介电
  • 电子或通过导电或半导体材料来携带电荷的。
  • 通常以cm指定的措施2/ v·s,充电载体的快速速度(电子或)可以响应于应用的电场通过半导体。材料的电导率与迁移率成比例,乘以载体的浓度。在半导体器件中非常希望高迁移率,因为它通过更快的晶体管切换导致更高的设备性能。
  • 用于将晶片(通常25)输送到工具的金属或塑料打开容器。盒式磁带保护晶片免受直接处理可能引起的损坏。
  • 一类薄膜太阳能电池,其使用镉 - 碲化合物作为光转换活性层。
  • 用于蚀刻的参数以描述精度蚀刻的过程。CDU定义为重复特征的大小与其标称值的变化(光盘)在横跨基底

计算流体动力学,使用数值方法和算法来解决和分析涉及流体流动的问题的流体力学分支,

  • 在一个FET.,通道是电子在通道之间流动的半导体区域排水终端,由施加到的电压控制
  • 离子注入,当光束中的一些离子撞击单晶硅原子晶格结构之间的晶片,并比其他离子穿透更深时,就会发生沟道效应。沟槽是不可取的,因为种植体的深度不能精确计算或控制。通过倾斜或旋转晶圆片,在其表面覆盖一层屏氧化物,或预非晶化硅,可以减少沟道形成。
  • 通过原子颗粒丧失电子颗粒与电离原子。
  • 二硒化铜铟:一种使用铜、铟、硒化合物的薄膜太阳能电池材料。第四种元素镓也可以添加到化合物(CIGS)中以达到更高的浓度效率
  • 在空气中的一个区域,其中空气被调节以去除可能防止半导体器件的正确功能的空气颗粒。
  • 一个金属氧化物半导体由配对的P-组成的装置渠道和n沟道晶体管。
  • 还用于指用于构造具有CMOS晶体管的集成电路的制造过程系列。
  • 一种使用化学活性研磨料浆对部分加工的晶圆上的微观形貌特征进行物理研磨的工艺,以便后续工艺可以从平面开始。也称为化学机械抛光。
  • 一个离子注入植入两个物种进入材料的相同区域中的技术,以改善掺杂区域的电特性,通常以提高晶体管性能。
  • 例如,非掺杂原子(例如氟或氮)可与原子共注入掺杂剂如硼能产生超浅层项目办晶体管渠道通过改进掺杂剂激活从掺杂区域到未掺杂区域有一个非常尖锐的转变。
  • 所述封装的底面与所述印刷电路板的着陆面平行
  • 一层LCD平板显示器,其分为红色,绿色和蓝色的透明区域,每个区域覆盖晶体管,该晶体管被切换到截止到全范围的颜色。
  • 使用计算机系统和软件来辅助二维或三维设计的创建、修改或分析。
  • 一种使用计算机控制整个生产过程的制造方法,允许各个步骤交换信息并启动操作。
  • 载流子含有移动载流子(如电子或离子)的物质
  • 芯片上的一个功能,可以在第一部分之间形成电路互连层和所述晶体管。这个区域通常填充钨。
  • 在射频等离子体生成,指的是保持恒定频率和幅度的波形,而不是“脉冲”递送,其中电源在100-1000Hz范围内以频率调制,通常在两个不同的幅度之间。
  • 一个互连与铝互连相比,使用铜作为导电材料的结构,提供改进的装置速度和较低的功耗。
  • 一个掺杂沉积含有所需材料的保形材料层的过程掺杂剂物种,然后使用热处理将掺杂剂驱动到底层电路结构中的受控深度。CPD提供了掺杂复杂,3D结构的手段。掺杂传统上由离子注入,用高速移动的掺杂离子轰击晶圆。然而,这种视线轰击过程不能提供三维结构的均匀掺杂。更重要的是,快速移动的离子会破坏尖端芯片中的超薄半导体层。CPD旨在解决这两个问题。
  • 光刻, CD是最小的特征尺寸,是要在图案上晶圆.在其他半导体过程中,CD是在跨越几个点处发现的特征的大小基底用于描述给定过程的精度或其它特性。
  • 不期望的效果,即在电路元件的信号,诸如互连线路,影响信号在另一个附近的电路。在半导体中,耦合通常是由寄生电容在两个电路之间。
  • 将材料的温度降低至-100°C或更低。
  • 一种次级真空泵,通过低温冷冻和吸收它们来捕获气体分子。低温泵能够产生非常高的真空,但必须定期再生,即允许返回环境温度以解吸和泵送捕获的气体物种。
  • 原子排列成有序周期排列的材料。
  • 太阳能电池技术的通用术语,其使用晶体结构中的纯化硅基材。
  • 通过曝光来沉积薄膜的一种方法基底到一个或多个挥发性前体,其在基板表面上反应和/或分解。
  • 晶片通过制造过程的特定部分处理晶片所需的时间量。
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D

  • 一种用于离子注入通过故意破坏硅晶体结构来控制半导体器件的电特性。
  • 特别地,损坏工程用于通过调节离子来控制掺杂剂漫射的深度剂量利率,雇用低温植入,和/或使用co-implant物种。
  • 在制造具有非常小的几何形状的晶体管,损伤工程被用来使性能提高技术,如源排水扩展pre-silicide应变工程
  • 非反射的,非能量吸收,无机介电在金属或多晶硅表面沉积一层以改善光刻技术表现。
  • 一个缺陷检查使用探测器收集散射光以使缺陷的技术显得明亮于黑暗的背景。通常用于在晶片期间找到颗粒互连制造。与brightfield检查。
  • 紫外光光谱中波长低于300nm的部分。
  • 缺陷位于有图案的晶圆片上的一种工艺。一个缺陷位置列表被创建并传递给DR-SEM.供审查和分类。
  • 一种扫描电子显微镜用于对晶片制造过程中的缺陷类型进行分类,并确定这些缺陷是否会影响芯片产量。
  • 的方法,用于沉积绝缘的薄层或导电材料到基底上。
  • 规则,概述集成电路设计和布局的几何和连接限制。
  • 在半导体制造中,可在其上制造功能电路的硅片区域。在每个晶圆片上制造数百个相同的模具(另一种复数形式是die and dice)。
  • 一个绝缘子
  • 也更具体地用来指可被应用电场极化的绝缘体。半导体加工中常用的两种介质是二氧化硅(SiO)2)和氮化硅(Si3.N4).
  • 在批处理离子注入机的大锥形轮用于在保持晶片离子注入.晶片安装在磁盘的每个“辐条”的末尾。当磁盘旋转时,每个晶片又通过离子束,该离子束径向扫描以递送均匀剂量在每个晶圆上。
  • 以受控量添加到材料中的杂质,以便改变一些内在特性,例如电阻率或熔点。向半导体添加掺杂剂产生主要负阴性的材料(n型)或正面(p型)载流子,视掺杂种类而定。
  • 粘稠的液体或悬浮液掺杂剂材料。
  • 引入杂质,或者掺杂剂. 进入材料的晶格以改变其电学性质。创建n型区域,砷(As),砷化氢(AsH3.),磷化氢(PH3.)和常用锑(SB)。对于p型区域,典型掺杂剂是硼(b),硼二氟化硼(bf2)和三氟化硼(BF3.).
  • 总金额掺杂剂测量单位:离子/cm2需要赋予注入晶圆所需的电气特性。
  • 一种精确的电流测量装置,用来计算注入晶圆片的离子总数。该功能有时与一致性监控结合在一起。
  • 一类的图形化技术设计成的,可以在晶片上在一个特定的光刻的分辨限度来制造电路特征的密度的两倍步进
  • 太阳能发电技术PV.在多个精确对齐的丝网印刷操作中建立接触线或其他结构的制造。
  • 双打印的示例应用包括制造较窄,更高的接触线和选择性发射极细胞类型。
  • 一种使用感应耦合产生氮等离子体并将氮纳入超薄栅极氧化物的顶表面层以增加栅极介质的介电常数的方法。
  • 一种ICP等离子体源主要用于分离等离子体密度和离子能量的蚀刻应用,导致高蚀刻速率和对基板的最小血浆损坏。
  • a的输出端FET.
  • 一种易失性计算机存储器,每个位都存储在一个单独的电容器中。因为电容器随着时间的推移会自我放电,每一位的状态必须每秒刷新大约15次,因此有了“动态”这个术语。与“静态”闪存
  • DRAM提供了任何类型的内存的最快编程,使其非常适合直接连接微处理器,以用作主存储器。
  • 一个波纹的一种用铜同时形成和填充两个特征的工艺沟槽覆盖一个通过两者都可以用一个铜沉积步骤填充。
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E

  • 包含树脂组分的复合材料,使得粘附和导电颗粒悬浮在其实现导电性。当树脂组分固化时,导电颗粒彼此接触,使导电性能够。
  • 在太阳能光伏技术中,事件太阳能的分数转换为电能。
  • 由导体中的离子运动引起的材料的运动,从导电电子和漫射金属原子之间的动量转移产生。
  • 一种沉积过程,其中从化学溶液中除去金属并沉积在带电表面上。还称为电化学电镀,电镀或电沉积。
  • 一种用于接触电路非金属部分的电导体半导体).
  • 通过电解执行,这是通过通过电流使液体分离成其不同化学零件的过程。
  • 由多个源产生在相同频谱处的电磁波产生的效果。
  • 具有负电荷的稳定的子颗粒,其用作电力的载体。
  • 离子注入时,电子的在晶片附近的端站的源极,用于从带正电荷的离子植入到可能会损坏敏感的电路特征中和不希望的电荷积累。
  • 通过电子(或质子相同的电荷尺寸)所获得的能量通过一伏的电压差。在离子注入,EV被用作粒子的动量的量度。具有较高动量的粒子将进一步穿透到半导体晶格中,而不是较少的动量。
  • 没有电流流动的静态电压场。在离子注入,它指的是用电压使离子束弯曲或聚焦。
  • 在相对于静止上的晶片上保持高电压的金属基板,使得静电力将晶片夹在其上。
  • 一种先进的背面联系光伏电池。在发射器包裹穿过细胞结构中,连续的发射器通过数千个直径小于100µm(微米)的激光钻孔扩散,将电流带到细胞后部。通过消除前触点,EWT增强了光吸收,提高了电池效率。
  • 此外,被称为范围末端位错环,提高采收率缺陷是在硅晶体晶格中发现的直接在界面之间amorphized和晶体管的晶体区域渠道离子注入
  • 可以使用EOR缺陷使用低温植入
  • 一个beamline某些varian中使用的元素离子注入机同时将离子束减速至最终能量,并对离子束进行过滤,以去除可能“玷污”晶体管的不需要的高能成分渠道,导致泄漏电流增加,性能下降。
  • 用于比较门的性能的数字介电通过指示氧化硅薄膜需要多厚才能产生与所使用的介电材料相同的效果。
  • 使用许多与SiO 2系MOS栅极的性能进行比较的高k介电栅MOS性能。我t shows thickness of SiO2 gate oxide needed to obtain the same gate capacitance as one with thicker SiO2 dielectric with higher dielectric constant k [e.g., EOT of 1 nm would result from using a 10 nm thick dielectric featuring k=39 (k of SiO2 is 3.9)].
  • 一种沉积或生长单晶薄膜的方法,其中沉积的薄膜具有与衬底相同的晶格结构和取向。这为制造半导体器件提供了高纯度的起点。
  • 一个APC.监控处理工具以提供视觉和统计报告工具以确定瓶颈并提高工厂性能的技术。
  • 通过化学反应或物理轰击去除特定区域内物质的过程。该过程可以使用液相(湿)蚀刻剂或在真空(干)下使用等离子体生成气相反应物。
  • 在过程中材料被去除的速率蚀刻处理通常以å/ s或nm / s表示。
  • 用于限制的薄膜层蚀刻深度和保护底层材料。选择ESL以抵抗所使用的蚀刻化学。
  • 一个光刻技术采用13.5nm EUV照明技术。它代表了一个重大的背离杜夫光刻是因为所有的光学元件都必须以反射模式工作,整个光学系统必须保持在真空中。
  • 从指定的参数偏差。
  • 离子注入,所述提取电极用于从源中提取正电荷离子。从源出来的离子顺流而下结合形成用于植入的束掺杂剂进入硅晶片。
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F

  • 半导体制造厂的常见名称,用于制造集成电路的工厂。
  • 也称为嵌入式晶片级球栅阵列。一种芯片封装方案,其封装不是在硅片上,而是在由成型材料(如环氧树脂)制成的人造晶片上。芯片之间的距离通常比硅片上的距离大。互连线是在芯片周围创建的,电子连接是从芯片板到互连线。可以在封装上以任意距离(扇出设计)创建任意数量的额外互连,使此方案成为空间敏感应用的理想方案,在这种应用中,芯片区域不足以将所需的互连数量放置在适当的距离上。
  • 一个APC.使用流程状态模型推断故障条件的发生和位置并诊断故障原因的技术。
  • 集成电路制造的第一部分,包括晶体管制造。FEOL通常涵盖了以下所有内容(但不包括)联络和金属互连层。“前端”一词有时用于指完成的晶圆片的整个过程。
  • 一种依靠电场控制半导体材料中载流子流动的晶体管。
  • 超清洁外壳安装在半导体处理系统的前部,该系统将晶片传送到洁净室环境和系统内部。
  • 用于使用的术语沉积应用于描述晶片的顶表面,如不同于电路特征的表面,例如低于顶表面的沟槽和通孔。
  • FinFET是一种类型的FET.在哪个导电渠道由薄硅“鳍”构成晶体管的栅极三面环。虽然技术上的术语仅是指具有两个栅极的设计,该术语经常用来描述任何多栅极晶体管架构,而不管门数的。
  • FinFET的主要设计目的是为了减少电流泄漏,而晶体管是在“关”状态。
  • 一种非易失性存储技术,它不需要电源来保存数据,不像动态随机存取记忆体.名称“Flash”来自内存被删除和编程在大块中,一次从数百到数千位进行编程。这种无法解决单个位使其无法直接连接到微处理器,但闪光的机械稳健性和低成本使其成为移动设备中的大容量存储器的理想选择。
  • 任何消费显示设备,如液晶或者amoled.,与阴极射线管显示器的弯曲前端形成对比。
  • 是一种将半导体器件(如IC芯片和微机电系统(MEMS))与外部电路互连的方法,外部电路具有沉积在芯片焊盘上的焊点。
  • 空间中的物理性质的流动,通常也具有时间变化。
  • 在LED技术中,为了产生指定的光输出,所需的LED端子两端的电压。它也是下面的电压,LED不会产生任何光线。
  • 具有固定盒式磁带的容器,具有前开口界面,用于自动化材料处理系统(AMHS公司).FOUP的使用可以减少晶圆上的粒子数,因为FOUP的内部与周围的晶圆环境隔离。
  • 一种由SiO掺杂制成的非晶绝缘材料(k=约3.5)2铜互连层之间经常用于氟。也称为氟硅酸盐玻璃。
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G

  • 代一种术语,代的缩写,用于平板显示器用玻璃的大小来描述制造基底
  • 每一代都比前一代大大约80%。
一代 典型尺寸(mm) 面积(m²) 介绍

创2

400 x 500

0.2

1993

创3

620 x 750.

0.5

1995

创4

730 x 920

0.7

2000

创5

1,000 x 1,200
1200 x 1300

1.2
1.6

2002

Gen 5.5.

1,300 x 1,500

2.0

2004

创6

1500 x 1850

2.8

2003

创7

1,870 x 2,200

4.1

2004

Gen 7.5.

1,950 x 2,250

4.4

2005

创8

2,160 x 2,460

5.3

2006

8.5代

2200 x 2500

5.7

2007

Gen 10.

2,880 x 3,130

9.0

2008

g
  • 一种程序,包括工人进入洁净室前洗手和戴手套、头套、口罩、鞋套和其他专用服装。
  • 紧邻洁净室的支持区或服务区,服务人员无需进入洁净室即可进行日常维护。
  • 一个缺陷检查利用探测器收集中高角度散射光,使缺陷在黑暗背景下显得明亮的技术。通常用于寻找超出光学分辨率的小图案缺陷。与brightfield检查。
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H

  • 一个面具它比光刻胶更耐腐蚀,用于更高的腐蚀选择性比使用光刻胶可以达到的要求。
  • 一种等离子体设有的自由电子浓度高,因此,离子浓度较高。
  • 一种等离子体增强化学气相沉积在高真空和高等离子体激励电压下进行,以提高填充小高纵横比结构的能力。
  • 一班引领产生足够的光用于照明应用。应用包括LCD显示器的背光,室内照明和汽车外灯。LED到底要多亮才算“高亮度”还没有很好的定义。最简单的定义是过于明亮而不能直接看。
  • 一班离子注入机产生最高光束电流,通常超过3mA。越多束流,所需速度越快剂量从而提高晶圆的生产能力。离子能量在1k之间电动汽车100keV是典型的。
  • 用户界面或仪表板将一个人连接到机器,系统或设备,最常用于工业过程的上下文,以在视觉上显示数据,跟踪生产时间,趋势和标签,监控机器输入和输出并加载更多。
  • 在半导体中,空穴是指晶格中电子的缺失。它可以被认为是电子的对立面,带着与电子大小完全相同的正电荷。如果在电场中,一个电子向这个空穴移动,那么空穴实际上是向相反的方向移动的。
  • 智能工厂系统与半导体制造中使用的设备通信。在半导体中,秒/宝石使用协议。
  • 一个很容易失败的领域
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  • 一种由电磁感应产生的电流提供能量的等离子体源,即通常来自真空外壳外部的时变磁场。
  • 用于形成的半导体材料渠道高性能的薄膜晶体管为活性层液晶相比。非晶硅,传统的通道材料,IGZO的较高电子迁移率允许晶体管更快地切换,从而实现具有更快的刷新率的更高分辨率显示。
  • 一个光刻技术分辨率增强技术,用液体介质(如水)代替最终透镜和晶圆表面之间的通常气隙。
  • 离子注入,离子束与晶圆表面之间的入射角。

晶片的检查,以检测出多种类型(例如,划痕,颗粒,损坏功能)以下半导体制造工艺流程的每个步骤的缺陷。

  • 用于将器件或芯片的电活性区域相互隔离的非导电材料。一些常用的绝缘体是二氧化硅,氮化硅,BPSG., 和
  • 一种电子器件,由许多元素一起制作在一个硅衬底上。
  • 集成电路中将晶体管彼此连接和与外部连接的线路。
  • 在集成电路的金属层之间用于绝缘的薄膜。
  • 在相邻金属线之间使用的绝缘膜。
  • 一层硅或一些其他合适的材料用作一个插座或连接到另一个插座或连接之间的电接口布线,以将连接与更宽的间距传播到更宽的间距或与与不同连接的连接进行重新地。
  • 例如,通过太阳能电池板转换DC电力的装置,以与电网兼容的交流电源。
  • 由一个或多个电子的损失或晶粒形成的带电原子或基团的原子
  • 离子的一种处理技术掺杂剂化学物质(硼,砷等)在强烈的电场中加速,以穿透晶片的表面,从而改变了材料的电气特性。
  • 的工具设计成在所期望的浓度注入选择的掺杂剂原子均匀地在基板至规定的深度。该技术被称为离子注入
  • 离子注入,一个组件,通过负偏向从放电排出正离子的组件提取电极.然后可以在a中加速所得到的离子beamline朝向目标晶圆。
  • 从电中性原子或分子中加入或去除更多电子的过程。一旦颗粒被电离,可以使用磁性或静电场加速,转向和以其他方式操纵,如beamline
  • 一个共同的TCO材料。
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J

  • 两种不同半导体区域之间的界面掺杂剂类型。通常指一个p-n结,在该结处,电导率类型从p型n型
  • 在太阳能组件中,一种为组件的输出提供连接点的环境外壳。
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K

  • 也称为介电常数,通常由希腊字母Kappa(κ)表示。材料浓缩电量的程度的表达。
  • 在电子,它指的是相对于二氧化硅材料的电容。
  • 高k值可以产生晶体管在不增加不期望的泄漏的情况下变小。
  • 在诸如用于分离的绝缘材料中希望低k值是期望的互联因为它减少了浪费能量作为热量的电荷积聚,因此降低了设备的整体功耗。另外,低k值允许更快的信号传播,从而更快的开关速度。
  • 切割过程中的材料损失量。在硅晶片生产中,Kerf损耗是指作为晶片过程的一部分消耗的硅量,在确定晶片的成本,边缘质量和表面光洁度方面起着至关重要的作用。
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l

lab
  • 在化学中,一个术语适用于不断接受或可能发生变化的东西。例如,如果在采用较低的能量构象的情况下存在于短寿命的特定构象中,则据说前分子结构具有“高宽度”。在半导体中,它可以参考一个al前体化学物质用晶片表面上的材料易于反应。
  • 一种利用激光烧蚀薄膜PV电池表面以确定互连模式的技术。
  • 排列晶体中原子的有序排列
  • 当电流流过它时发光的半导体器件。LED由p-n组成交叉路口当一对载流子重新组合时就会发出光子。
  • 一个参数主要用于Photomask蚀刻测量蚀刻过程的精度。线性度定义为偏离目标的范围光盘跨越指定的特征尺寸。
  • 金属的宽度互连线路。
  • 一种使用背光阵列的平板显示器薄膜晶体管叫A.背板控制每个像素。
  • LCD通过单独控制每个晶体管来允许或阻挡来自背光的光。然后,白光通过一系列滤色器以组装最终的全彩色图像。
  • 当像素晶体管截止时,液晶材料旋转偏振光通过90°,允许其通过第二偏振器。
  • 当晶体管通电时,液晶分子以这样的方式对准,使得光不再旋转,因此光被第二偏振器阻挡。
  • 任何提升分辨率,保真度或其他方面的技术光刻技术的过程。
  • 图案或图象从一种媒介向另一种媒介的转移,如从一种媒介向另一媒介的转移Photomask.步进
  • 在大气压下传送一个或多个晶圆片的腔室金融机构和用于加工的真空环境。
  • 同时处理的一批具有相同特性的晶片。很多东西通常都放在一起foup
  • 一个芯片在单芯上有3,000到100,000个晶体管。第一个LSI芯片在20世纪70年代中期生产。
  • 一种方法用于创建多晶硅使用两步工艺的胶片。第一步,使用一个电极在400-450°处沉积前体膜PECVD公司工艺,低于600-1000°LPCVD半导体制造中常用的工艺。第二步使用退火将前体转换为多晶硅的过程。
  • LTP薄膜通常用于amoled.和超高分辨率TFT-LCD.显示。
  • 在LED技术中,测量LED如何将能量转换为电磁辐射。通常在每个瓦特(LM / W)的流明中表达。
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  • 材料(通常是铁磁性)的性质,以改变外部施加磁场中的电阻的值。这种效果用作磁随机存取存储器结构中的数据存储机制。
  • 刻蚀层一种有图案的材料层,用于防止直接在其下面的材料被刻蚀也是的缩写光罩
  • 瓦里安植入器中的质量分析磁体位于与处理室偏转和过滤器的离子,以便仅选择的离子进入处理室。这将确保只有所需掺杂剂晶片。
  • 一种计算机控制系统,用于管理生产环境中正在加工的物料的运输和储存。
  • 一班离子注入机专为最大而设计剂量均匀性。光束电流范围为1μA至5mA,在5-600keV的能量下。中等电流植入机通常具有植入的能力掺杂剂植入角度降低到距晶圆表面30°,允许掺杂剂部分注入到晶圆表面现有结构之下。
  • 使用改进的半导体器件制造技术制造的非常小的机械或机电设备,如传感器和致动器。
  • 一种用于管理和监控制造环境中的工艺素材的软件控制系统。
  • 化学气相沉积或者PVD.在芯片上沉积一层用于互连器件的高导电性金属。通常使用的金属包括铝、钨和铜等。
  • 测量学确定尺寸、数量或能力的测量科学;在晶圆加工中使用传感器和测量设备来确定物理和电气特性的技术和程序。
  • 一种具有非常小(0.5-2μm)硅晶体的薄膜硅的形式,与非晶硅混合。它通常沉积在薄层(通常为1-3μm)中串联(堆积)薄膜太阳能电池。
  • 与开敞区域的特征相比,相同的特征以不同的速率被蚀刻的现象,这取决于它们的密度(例如密度、半密度)。
  • (μm或微米)长度单位;百万分之一米。
  • 一种集成电路,它将算术、逻辑和控制电路放在一个单独的组件中。
  • 一种外壳或由外壳创造的环境,以保持晶圆不受污染,例如FOUP
  • MOCVD是一种外延用于沉积复合半导体膜的方法,尤其是用于制造的化合物半导体膜高亮度LED和电力电子产品。在MOCVD过程中,一种化学反应发生在基质表面,包含所需的金属和其他元素的有机化合物之间。
  • 太阳能模块是最终封装的PV发生器。在C-SI技术中,模块通常包含几十个太阳能电池一起有线。
  • MOL使用一系列接触结构连接晶体管和芯片的互连部分。
  • 不同的设备技术,例如RF.设备、电源管理子系统、传感器、执行器和微机电系统,将模拟函数集成到CMOS.的技术。
  • 通过生长一层二氧化硅(SiO 2)而获得的结构2)在硅衬底的顶部,然后沉积一层金属或多晶硅(常用的后者)。通常用于描述以这种方式制造的晶体管。
  • 在太阳能光伏中,一种硅晶片铸造成铸锭的铸锭,使用单晶硅颗粒。然后将锭料切成晶片并用于制造微档和光伏电池。
  • 中发现的一种缺陷平板显示器显示区域的亮度不均匀。也称为“云化”。
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N

  • 具有负电荷导电性(过量电子)的半导体材料。
  • 用于的一种逻辑运算符闪存只有在至少一个输入端没有信号时才产生输出信号,因此是“非”和(与运算符的倒数)。
  • 针对半导体、太阳能和显示器行业的解决方案,专注于小于100nm的尺寸。
  • 单位长度;一亿米。
  • 一些瓦里安植入器使用的一种装置,它在安装过程中测量离子束电流,并作为在beamline
  • 在具有相同能量但不再具有电荷的离子束内行驶的颗粒。中性不是外部场不能操纵,并且将在固定速度下继续,直到与真空室壁或其他颗粒碰撞。
  • 转化为氮化物
  • 一个金属氧化物半导体有源载流子是在静电形成的n型源极和漏极区域之间流动的电子的晶体管-渠道在p型硅衬底中。
  • 用于的一种逻辑运算符闪存产生的输出结果是逆或。
  • 较薄的薄膜促进随后沉积的膜的生长。
  • 报告的可疑缺陷缺陷检查可以忽略的系统,因为它对已完成设备的功能没有影响。抑制滋扰,或“假警报”缺陷是先进的缺陷检测系统的关键能力。
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O

  • Oxide-nitride-oxynitride;多层金属氧化物半导体栅极电介质。
  • 作为薄膜有机半导体中的电子空穴相互作用而发出光子的发光器件。
  • 离子注入,晶片的四方角与梁相对于梁。在不同的方向角度,不同的掺杂剂渗透深度和通灵将获得。
  • 离子注入,扫过离子束经过晶片边缘的实践,以实现均匀剂量在晶圆外围。
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P

  • 具有带正电导率的半导体材料(电子的缺点)。
  • 一种新兴的高密度封装技术,将晶片放置在面板上而不是晶圆上,可容纳较少的晶片。
  • 所有电路元件的固有电容等互联晶体管这导致其行为偏离“理想”电路元件。
  • 在半导体中,指的是密集导体之间不期望的电容,它可能导致诸如相声
  • 可以通过降低介电常数减小寄生电容,或k值隔离相邻电路元件的绝缘体。
  • 垂直条形图,其中值以左向右的相对频率的顺序绘制。用于分析首先需要注意的问题。
  • 在通过电路元件上形成气密密封的半导体器件中的层,作为制造的最终步骤或通过作为晶片在加工工具之间传递的作为反应保护化学活性材料。等离子体氮化物和二氧化硅是主要用于钝化的材料。
  • 在半导体制造中,在晶片上产生所需电路几何形状。通常用于指的组合光刻技术和相关过程,如图案胶片沉积和蚀刻
  • 一片透明聚合物,乘坐框架,以保护光掩模的图案化区域免受空气污染。在曝光期间,任何污染都被拉出焦平面,因此不会在晶片上“打印”。
  • 通过在电池后部添加电介质钝化层来改变传统的传统细胞,其可以通过添加电介质钝化层来实现更高的能量转换效率。介电钝化层通过减小电子重组而导致效率的增加,增加太阳能电池捕获光和反射通常产生太阳能电池的热量的特定波长的能力。
  • 一个Photomask.在光刻技术中利用相位差产生的干涉来提高图像的分辨率。
  • 一种非晶绝缘材料,由SiO掺杂而成2用磷改善防潮和回流特性。又称磷硅酸盐玻璃。
  • 熔融二氧化硅(石英)板,通常为152mm正方形,覆盖有不透明,透明和相移区域的图案,该区域将被突出到晶片上光刻技术定义集成电路一层布局的过程。
  • 由暴露的光敏有机聚合物光刻技术工艺,然后开发以产生识别待蚀刻的潜在膜的区域的图案。
  • 例如,相邻特征中心之间的距离互连线或联系洞。
  • 任何模式技术,创造成对,功能从一个单一光刻技术图像与A.球场原始图像的一半,从而产生比单独的光刻过程更小的图案能够。有时会误导地被称为渐近。
  • 平板显示器技术,分辨率的测量描述该显示器上的各个像素之间的距离。通常在每英寸,或PPI像素为单位。
  • 使用低选择性蚀刻或通过,不均匀晶片表面的过程相对平坦的过程CMP
  • 物质的第四种状态——不是固体、液体或气体。在等离子体中,电子从原子中被拉出,可以独立移动。单个原子是带电的,即使正负电荷的总数相等,保持整体电中性。
  • 绝缘层沉积在晶体管的末端Feol.第一种金属的加工互连层形成。
  • P-渠道在n型硅衬底中静电形成的p沟道中,有源载流子是在p型源极和漏极区域之间流动的空穴。
  • 一个实时处理用于减少漏电流的步骤,而不会在氧化物氮气的产生中发生电流损失门堆栈
  • 一种薄膜叠层,通常用于DRAM制造中的栅电极,由硅化钨构成多晶硅
  • 多晶硅(或半晶硅,多晶硅,多晶硅,或简单地“poly”)是由多个小硅晶体组成的材料。广泛用于高掺杂状态的导体/栅极材料。聚薄膜通常是用硅烷热解沉积的LPCVD的过程。
  • 一种技术,用于离子注入用来减少通灵通过故意非晶化前一个地区掺杂剂注入,从而能够获得更均匀的掺杂轮廓。根据定义,在非晶化区域内没有沟道。预非晶化植入物通常是用惰性元素如氩来完成的。
  • 在沉积金属之前完成最后的植入物。
  • 在集成电路或其它设备的制造过程中进行的一种操作或一组连续操作。
  • 在集成电路或其他器件的制造中,在其中执行单一工艺的封闭区域。
  • 优化每个过程步骤以在顺序处理流程中与先前和后续步骤正常工作。
  • 用来测量表面轮廓的测量仪器,以量化其粗糙度和关键尺寸,如台阶、曲率、平面度、纹理和高度。
  • 一种触控面板它包括一个电极网格,可以检测由导电物体(如手指或导电笔)的存在引起的静电场的扭曲。
  • PCT面板通常用于需要同时精确跟踪多个接触点的应用程序,如智能手机和平板电脑。
  • 光被转换为电力的过程。太阳能光伏是来自太阳辐射的电力。
  • 用于制造薄膜PV模块的树脂。形成在一块玻璃板上的PV电路,覆盖在PVB片材中,然后覆盖后玻璃.然后这个组件被层压封装电路,保护它不受环境的影响。
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  • 一类图案化技术,其设计目的是使在特定光刻的分辨率极限下可在晶圆上产生的电路特征密度增加四倍步进
  • 四极磁场由四极交替符号排列成一圈而产生的磁场或静电场;用于聚集带电粒子束。
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R

  • 一个APC.允许修改机器之间的处理参数的技术“运行”以最小化可变性。
  • 具有至少一个未配对的电子的原子或原子组,因此是不稳定和高度反应性的。
  • 化学分析的分光方法,其依赖于单色光的非弹性(拉曼)散射。实现实时反应监测和化合物的表征在以非接触的方式。
  • 一个退火过程,其中晶片被加热到规定温度的时间短的时间。
  • 在半导体器件制造期间重复使用RTP,以用于此目的激活植入掺杂剂或者改变材料的状态(或阶段)以增强所需的属性(例如,电导率)。退火可采用三种技术:浸没、脉冲和毫秒。技术的选择取决于几个因素,包括在制造序列的特定点上器件承受一定温度/时间暴露的容忍度。一般来说,器件可以承受更长的曝光时间(30-90秒),也被称为浸泡退火,在制造周期的早期高温下。随着循环的进行,如果需要高温,则必须降低温度或显著缩短暴露时间。穗状退火属于后一类,用于-排水植入活化和扩散以及高k /金属制造。
  • 向内倾斜的人。指侧壁为凹形的特征。
  • 某一特定工艺步骤所记忆的参数,如气体流动、温度和压力。一般来说,相同的配方用于所有晶圆很多
  • 芯片上的一种额外的金属层,用来制作芯片的输入/输出焊盘集成电路可在其他位置提供,更容易制作芯片到芯片键合。
  • 一种要求增加风能、太阳能、生物质能和地热能等可再生能源能源产量的法规。这一概念的另一个常见名称是可再生电力标准(RES)。
  • 导电材料与通过它的电流相反的程度的测量。
  • 离子注入,一个小孔径,通常在分析仪后直接发现,其消除了梁仅与特定电荷的一种类型的分子或原子。
  • 一个平坦的透明板,用来了步进包含要在晶圆上复制的晶圆图案的图像。常与…互换使用Photomask.
  • 苹果公司的一种商标,用于描述像素密度足够高,人眼无法分辨单个像素的任何显示器。
  • 请注意,该术语与像素密度,因为它包括观看距离。对于符合视网膜显示的移动电话屏幕,它应该具有超过300ppi的像素密度,但电视仅需要大约50ppi。
  • 在半导体制造中,电磁或静电场的振荡速率在2MHz-200MHz或1-3GHz的范围内。在某些类型的晶片处理室中,通过将强RF场应用于ESC,屋顶电感结构或车顶电容结构来启动等离子体。通过剥离电子来电以产生等离子体来电离气体分子电离。
  • 一种PVD.与传统的PVD反应器相比,该工艺使用电感耦合等离子体,允许更低的离子能量,从而形成更温和的沉积机制,可以创建非常薄的亚纳米薄膜,并几乎消除对底层电路特性的损害。
  • 离子注入,一种被限制在一个矩形截面内的电子束,通过沿单一轴控制电子束,使其覆盖晶圆片的整个表面。与必须来回扫描以覆盖晶圆的点束相反。
  • 一种使用化学反应性等离子体去除沉积在晶片上的材料的蚀刻技术。来自等离子体的高能离子与晶片表面上的材料反应。
  • 用于初始抽空真空系统的机械泵。这个过程称为“粗加工”。
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年代

  • 自我对齐的收缩硅化物. Salicide处理技术寻求利用这样一种原理:沉积在图案化硅衬底上的难熔金属在特定的处理条件下会与暴露的硅发生选择性反应,而不会与相邻材料(例如氧化硅材料)发生反应。因此,不需要图案化步骤。
  • 一种使用牺牲侧壁间隔膜以达到比某一特定光刻技术的正常极限高四倍分辨率的模式技术步进
  • 离子注入,离子束相对于晶片的移动以覆盖整个晶片表面。
  • 一个组成部分离子注入机使离子束在晶圆上移动,或使晶圆通过离子束。这可以用磁场、静电场或机械运动来实现。
  • 一种用电子束而不是光来照射样品的显微镜。光束在样品表面来回扫描。
  • 晶体硅太阳能PV.一种制造工艺,一种编织材料的薄片,支撑有开放区域的模板,银浆或其他材料通过滚轮或橡皮刮强制在晶圆上形成图案。它类似于Photomask.在半导体制造业。
  • 离子注入一层薄薄的、牺牲的硅2停止夹带在离子束中的杂散离子,随后将被除去。另外,氧化屏略微散射主离子束因此防止通灵
  • 任何不能直接排出到大气的真空泵,即必须与A串联合作粗泵.半导体中常用的二次泵是低温泵涡轮泵
  • 一种软件协议,用于规范半导体制造设备和主机控制系统之间的通信。它的目的是通过建立一套通用的指令集来简化工厂的自动化工厂
  • 一个成核层其中,成核材料与随后沉积的薄膜相同。
  • 仅在不影响邻近材料的情况下发生在所需的情况下,如选择性沉积或选择性去除。
  • 一种用于提高晶体硅转换效率的技术PV.太阳能电池。选择性发射极是精确放置在前金属接触线下方的重掺杂区域,以降低电接触电阻并允许电流更自由地流动。掺杂区域通常通过沉积来制备掺杂剂酱在晶片的表面上,然后在顶部打印接触线。
  • 在蚀刻处理期间,在两种材料中观察到的蚀刻速率的比率。通常用于指用于移除的材料的相对蚀刻速率和面具,也是蚀刻图案保真度的重要指标。
  • 一种材料,其导电性介于金属(导体)和绝缘体(非导体)的导电性之间,并且可以通过添加金属来进行物理或化学改性以增加或减少其导电性掺杂剂
  • 硅烷一种容易分解成硅和氢的气体,常用于沉积含硅化合物。它还与氨反应生成氮化硅,或与氧气反应生成二氧化硅。
  • 退火(烧结)过程导致形成金属 - 硅合金(硅化物)以充当接触。例如,由于硅化,TIS沉积在Si上形成TISI2。
  • 硅与正电性更强的元素组成的化合物。镍,钽,钛和钴硅化物薄膜被用来为晶体管连接创造欧姆(低电阻率)接触。硅化钼是常用的吸光层光掩模.硅化钨(矽化物)用于DRAM栅电极。
  • 最普遍的介电半导体制造中使用的材料由于其多功能性和稳定性。也称为“氧化物”,可以通过热氧化或沉积在硅晶片上生长方向PECVD公司或者HDP-CVD.流程。
  • 用等离子体增强或LPCVD沉积的硅/氮薄膜介质。有时被松散地称为SiN。
  • 大功率磁控管电源PVD.向等离子体赋予足够的能量的过程气急败坏的说金属原子是电离的。然后可以使用电场向晶片加速金属离子,从而产生更方向的沉积图案,从而在小几何结构中逐步覆盖。
  • 在半导体中,一种在液体中悬浮的研磨性固体CMP流程。在PV中,用作A的磨料介质丝网wa
  • 源掩码优化(SMO)是一种分辨率增强技术光刻技术由于差距,衍射或过程效果来补偿图像误差。
  • 在半导体制造中使用层叠硅绝缘体 - 硅衬底。SOI基板提供减少寄生电容与集成电路中的相邻器件相比,与内置于散装晶片中的器件相比,使得能耗降低,因此更高的设备性能。
  • 一种将阳光的能量直接转换为电力光伏影响。多个电池连接在一起形成模块
  • 公用尺度光伏电站。
  • 轻轻一亮 -掺杂区域延伸或者排水进入晶体管渠道在晶体管器件的运行过程中使电场散开的。如果没有扩展,非常小的晶体管中的电场可能足以损坏栅极介质并导致器件失效。
  • 离子注入例如,用于创建源-漏扩展的进程损坏工程
  • 一种通过将统计技术应用于过程的监测和控制来改善制造质量控制的方法。
  • 一种固定冷却的金属板,位于植入盘的顶部,在植入过程中用来捕获离子束过度通风
  • 当不同的食谱很多为了提高特定过程步骤的性能的实验目的,该批次被称为分裂批次。
  • 沉积薄膜,其中原子从固体中喷射目标由于高能粒子轰击目标而产生的物质。
  • PV.晶圆制造,用专门的工具将硅锭切割成矩形块的过程丝网.然后这些方块或砖被切成独立的晶片wa的过程。
  • 一种计算机存储器,其中每一位存储在通常由6或8个晶体管组成的网络中,这些晶体管有两种稳定状态。
  • SRAM细胞复杂并消耗芯片上的更多区域动态随机存取记忆体电池,但是更快,更节能。
  • 微处理器和其他逻辑芯片通常使用芯片上的SRAM单元进行制造,以用于存储最常见访问的指令和数据。
  • 一种用于waCMP使用的过程泥浆为了回收诸如磨料和冷却的材料以供随后的再循环。
  • 特征侧面的膜厚与特征底部(如通孔)或顶部(如FinFET的散热片)膜厚之比。
  • 用于转移掩模版的设备(Photomask)图案到晶片上。相同的图案被转印到每个在晶圆上。
  • 从其邻居隔离每个晶体管或存储器单元以防止电流泄漏的技术。该技术采用在硅中蚀刻的沟槽的图案,填充有诸如二氧化硅的绝缘材料。
  • 半导体制造中使用的过程将压力引入晶体管和存储器单元通过扭曲晶体而引入晶体管和存储器单元格子.在逻辑上,这使电更容易通过晶体管,提高晶体管的性能。在存储器中,应变也可以降低泄漏电流,从而提高电池密度。
  • 一种使用的切割丝线锯为提高切削速度而形成或卷曲成锯齿状或类似的轮廓。
  • 操纵薄膜的材料。硅最常用于半导体和C-Si PV电池。玻璃通常用于LCD和薄膜PV应用。
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T

  • 一种使用多种光转换材料来提高转换效率的太阳能光伏电池。例如,串联结薄膜硅电池无定形硅和微晶层。
  • PVD.,目标是要沉积的材料的来源。由于轰击能量粒子,原子从目标喷射。
  • 掺杂金属氧化物薄膜,用于光电器件,如平板显示器、触摸屏和光伏。在LCD中,TCO层形成电极,产生电场使液晶极化。在触摸面板中,TCO层用于传感电极。在里面PV.,TCO形成细胞的顶部电极。
  • 一种透射电子显微镜,能将一束电子束通过超薄的样品。它的工作原理与光学显微镜相同,但具有更高的分辨率。
  • 氧化物沉积的液体源,四乙基外硅酸盐是化合物
    公式si(OC2H54
  • 终端效应是一种现象电化学沉积因此,沉积的薄膜在晶圆片的边缘要比中心厚。它是由晶圆片的电阻引起的负极与晶圆边缘向中心接触的电压降引起的。这个电阻的一个主要组成部分是种子层它沉积在晶圆上PVD.在电镀过程之前。种子层在每个技​​术节点处变薄,这增加了晶片的电阻率并加剧了终端效应。可以通过使用可以调节晶片上的施加电压的先进电流密度控制系统来补偿效果,从而在晶片上均匀沉积。
  • 一种液晶使用a的显示薄膜晶体管位于每个像素以直接驱动液晶的偏振,从而控制该像素是否打开和关闭。
  • 从纳米的馏分到几微米的一层材料范围厚。
  • 一个场效应晶体管采用薄膜技术制造,主要用于制造有源矩阵液晶显示器。
  • 晶圆的数量a工具可以每小时处理一次。
  • 用于指代一块半导体处理设备的术语。
  • 在晶片表面上制造特征产生的半导体,非平面性。这对后续层的图案产生了显着影响,因为景深的有限景深步进光学系统可能导致部分图案超出规格。也用于描述不同材料去除率引起的不均匀性CMP
  • 一种计算机界面,可在典型的矩形区域上检测触控笔或手指的存在。
  • 通常与显示器集成以产生触摸屏
  • 显示器的一种显示形式,如TFT-LCD.或者amoled.包含A.触控面板使用户能够通过鼠标或轨迹球直接与所显示的图像进行交互。
  • 一个工具它集成了半导体制造中处理光刻胶所需的几个步骤(沉积、软焙、曝光、显影、硬焙)。
  • 用于切换和放大用作集成电路的基本元件的电子信号的半导体器件。
  • 晶圆片上的凹槽,用作器件结构的一部分。
  • 内置的电容器沟槽在衬底上。这种技术可以在不增加形成电容所需的晶圆片面积的情况下增加电容。
  • 一种二次真空泵用于创造高真空。高速涡轮机叶片,与固定刀片交替,将气体分子压缩到泵的底部,以通过粗泵去除。
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U

  • 数字视频格式,分辨率为3840 x 2160像素。
  • 又称2160P和4K,UHD具有四倍的像素,作为传统的HD 1080P视频。
  • 被集中在减少的厚度的半导体制造的面积连接形成这一点排水高级晶体管的区域,以提高性能,同时保持可接受的漏电流和击穿电压。
  • 倒装芯片封装中的沉积工艺,用焊点将芯片连接到基板。
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V

  • 低于大气环境的压力,通常指特定的压力范围:
  • 粗略的真空,从大气压到1 × 10-3托尔
  • 高真空,从1 × 10-3托罗到1 x 10-9托尔
  • 超高真空(UHV) - 低于1 x 10-9托尔
  • 离子注入,用于将固态离子源材料转换成用于离子束生产的气态的装置。
  • 通过电介质层的垂直路径,在互连层。
  • 用在一个芯片上的晶体管10,000-1,000,000之间的芯片。该术语通常扩展为描述具有任意数量的晶体管大于10,000的芯片。如超大规模集成电路(ULSI)其他条款杜撰,但在广泛使用不再。
  • 也称为3D NAND阵列。
  • 一班闪存架构,其中存储器单元的多个二维阵列在单个衬底上垂直分层(相对于使用堆叠wafer-level包装).
  • VNAND是一种增加的方法位密度不需要减少每个单元格的大小。
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W

  • 薄,圆形或几乎方形的单一或多晶硅构建了半导体和PV电池的硅。
  • 包装的的技术我知道了当晶圆仍然是晶圆的一部分时,而不是将晶圆切片成单独的电路(骰子)然后包装那些。
wa
  • 将硅锭或砖块分成晶片的过程。
  • 安装在内部的金属或石墨制成的保护衬垫波导. 不需要的离子种类在这些衬垫上放弃它们的能量。
  • 卷对卷涂布技术的另一名称,在柔性材料的卷上沉积薄膜材料。
  • 使用工艺步骤之间的液体化学从基材中除去不需要的材料或污染物的方法。
  • 能够均匀地在固体表面上铺向,而不是形成离散液滴。
  • 一种机器,用于在硅晶片的制造中执行三个关键步骤。
  1. 切割-去除单晶硅锭的锥形端部
  2. 平方 - 转动所述圆柱形裁剪锭切割成矩形块,或砖块。在多晶晶片的制造,该步骤用于切断大铸锭成砖块
  3. 晶圆-将砖块切割成单个晶圆
  • 所有栅栏之间的连接晶体管在一行内存阵列段中。
WP
  • 瓦峰,太阳能工业单位,用于在理想的辐照条件下提供的太阳能电池的功率。
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Y

  • 在符合规格的工艺中生产的产品(例如晶圆片或模具)的百分比。
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