半导体

3nm及以上互连扩展的挑战

虽然晶体管的性能随着规模的扩大而提高,但互连的情况却并非如此。事实上,当我们移动到更小的进程节点时,互连电阻会增加,这会影响设备性能和功耗。为了在先进逻辑中继续扩展互连,需要在材料工程方面进行创新。

DRAM扩展的材料工程突破

为了帮助业界满足全球对更廉价、高性能内存的需求,Applied Materials今天推出了支持DRAM三级扩展的解决方案:一种用于电容器扩展的新型硬掩模材料,一种用于互连布线的低k介电材料,以及采用高k金属栅晶体管进行先进的DRAM设计。

DRAM扩展需要新材料工程解决方案

计算的人工智能时代正在推动数据生成的指数级增长,整个技术生态系统依赖于半导体行业寻找新的方法来扩展DRAM架构,以跟上位需求的步伐。新的硬掩模图案化膜可以使电容器更薄,具有尽可能高的纵横比,而新的介电绝缘材料可以减小金属线之间的间距,这两种材料都产生了新的收缩方式。

在过程控制中引入新的剧本

应用材料公司(Applied Materials)今天发布了一个新的解决方案,该解决方案利用大数据和人工智能,比传统方法更好、更快、更经济高效地发现产品缺陷。该解决方案使芯片制造商能够加快半导体工艺技术和晶圆厂的产量和上市时间。