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  • 硅晶片的尺寸约为直径为8英寸。也用来参考a工具用于加工这种尺寸的晶圆片。
  • 硅片直径约为12英寸的硅片。也用来参考a工具用于加工这种尺寸的晶圆片。
  • 替代术语UHD数字视频格式。
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一个

  • 从液体或气体中去除有毒或其他有害物质的过程。例子包括从CMP将液体或气态毒性流出物转化为安全形式。
  • 在接受电子的半导体中的杂质。硼是用于掺杂硅的主要受体离子注入的过程。
  • 在生产线上用来临时存储在制品的一种存储装置。
  • 离子注入,将原子引入晶体管的一部分以改变其材料特性的过程;在最常见的应用程序中,掺杂剂原子具有电活性,也就是电荷载体创造并且植入区域的电导率增加。
  • 当植入掺杂剂原子时,硅晶体格子中断,或非晶化.晶格随后用RTP,在这一过程中,掺杂离子占据晶格和电荷中的取代位置载体被建造。
  • 一种使用电致发光阵列的显示器类型OLED.像素控制的薄膜晶体管
  • 与a不同,Amoled显示屏的每个像素直接产生光线TFT-LCD.整个显示器由背光从后面照亮,并由控制每个像素上液晶偏振的薄膜晶体管选择性地允许通过。
  • 与TFT-LCD相比,AMOLED显示器的关键效益是,因为“OFF”像素消耗没有功率,总功耗显着降低。
  • 一个类型的二元光掩模使用不透明的MoSi层作为吸光层。一层极薄的铬层放置在上面,用作坚硬面具用于蚀刻过程。在玻璃(OMOG)Photomask上也称为不透明MOSI。
  • 一项广泛的术语,用于解决用于解决多变量控制问题或离散控制问题的过程控制工具。这些工具包括统计过程控制,运行控制故障检测和分类。
  • 一部薄膜沉积一种每次只沉积一小部分单层材料的技术。
  • 一个PVD.过程在低压和大目标-To-to-tofer距离以产生沉积物种的定向焊剂。
  • 一个类型的PSM这具有蚀刻到不同深度的石英衬底的区域,以便在透射光中引入180度相移,以改善晶片上投影图像的分辨率。
  • 微芯片内连接晶体管和其他电路元件的铝通道。
  • 由于材料的晶格结构破坏离子注入.格子可以用RTP.在里面前阿比化技术上,晶格在植入前被故意破坏。
  • 没有晶体结构的一种沉积的硅。
  • PV.,非晶硅是一个重要的薄膜技术。
  • 液晶在制造方面,a-Si是应用最广泛的背板类型。
  • 离子注入,用于分析离子种类并根据原子量选择所需离子的磁铁。
  • 长度单位;一百亿米。
  • 设计用于修复晶圆片晶体结构缺陷或引起相转变的高温加工步骤。
  • 自动视觉打印检测,相机自动扫描印刷基板以进行质量控制和缺陷检测。
  • 离子注入,导向离子束的开口,该开口定义了前进的光束的形状和尺寸。
  • 沉积在金属或多晶硅顶部的光吸收层(通常是氮化钛),以改善光刻技术表现。
  • 自动清洗功能,通过安装在梭子上的布垫和打印头的同时运动来清洗打印网的底部,从而取代了传统的由操作员操作的程序。
  • 一个类型的PSM这允许少量的光通过特定的区域,从而干扰来自掩膜透明部分的光,目的再次是提高晶圆片上的对比度。
  • 在光伏组件制造中,高压灭菌器用于通过使组件经受高温和高压来去除滞留的空气,并提高层压膜和玻璃基板之间的附着力。
  • 任何具有运载转移机器人的设备,可移动盒式磁带,豆荚或FOUPS.进出固定设备。
  • 被使用的技术晶片检查系统根据其物理和光学性质,缺陷被分为几类。
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B

  • 金属层,覆盖太阳能的整个后表面PV.细胞并充当导体。
  • 也用于指先进的单元设计,如ewt.电池的两端都位于晶圆片的背面,从而增加了电池的聚光面积,从而提高了转换效率。
  • 薄膜太阳能组件的底层,提供刚性和电绝缘。电流从模块中通过接线盒它通过后玻璃上的一个洞连接到电路上。
  • 在抽真空过程中通过加热加速真空系统或部件表面脱气的技术。用于减少达到特高压压力所需的时间。
  • 除了制造运行太阳能光伏发电系统的太阳能模块之外,组件还包括安装结构,电缆,逆变器,陆地和维护。
  • 设计用于防止在阻挡层上方和下方的层混合层的物理层。
  • 一种同时处理多个晶圆片的加工顺序,与单晶圆片(连续)加工不同。
  • 离子注入,即离子束中任何不受欢迎的物质或离子电荷。
  • 离子注入机的终端站中的扫描电流定义为光束中物种的数量,速度和电荷的乘积。
  • 通过在电气测试之前完成晶体管制造后的一系列处理步骤。也称为半导体制造的后端。术语后端也用于在晶片完成后指的是芯片制造的那些部分,即切割,包装和测试。
  • 一个光掩模覆盖着用光吸收膜,通常是铬定义的图案。光学上,这是最简单的光掩模类型,缺乏相移特征PSMAPSM.类型。另请参阅高级二进制掩码
  • 衡量存储器件的基板的给定区域中有多紧密的存储器单元。
  • 一般而言,希望较高的比特密度是理想的,因为它倾向于提高性能并降低成本的成本。
  • 通常是以每平方英寸的比特数来衡量的。
  • 通过信息写入/读取/读取/从内存单元格中的线路。
  • 光伏材料用于替代传统的建筑材料,如屋顶、天窗或立面。
  • 使用的参数沉积为了描述与晶片的顶表面相比,在电路特征底部存放过程的过程,或者.它定义为磁场上的膜厚度的比例除以给定特征底部的膜厚度。
  • 一种掺杂SiO而制成的非晶绝缘材料2用硼和磷来改善防潮性和回流特性。
  • 一个缺陷检查收集从缺陷反射的光的技术,从而创建缺陷对白色背景的缺陷看起来的图像。一般来说,Brightfield系统更敏感,但比黑暗场检查。亮场检查通常用于在晶体管制造过程中发现图案缺陷。
  • 人员穿着的全身服装整理房间将颗粒和污染物的释放减少到空气中。
  • 在薄膜光伏组件中,相对较大的导电带从单个太阳能电池中收集能量。
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C

  • 材料可以存储电荷的程度。
  • 用于临时存储电荷的电气部件。它由两个导电表面组成,由非导通隔开介电
  • 电子或者通过导体或半导体材料携带电荷的物质。
  • 通常以cm指定的措施2/ v·s,充电载体的快速速度(电子或)可以响应于应用的电场通过半导体。材料的电导率与迁移率成比例,乘以载体的浓度。在半导体器件中非常希望高迁移率,因为它通过更快的晶体管切换导致更高的设备性能。
  • 用于将晶片(通常25)输送到工具的金属或塑料打开容器。盒式磁带保护晶片免受直接处理可能引起的损坏。
  • 一种使用镉-碲化合物作为光转换活性层的薄膜太阳能电池。
  • 用于蚀刻的参数以描述精度腐蚀的过程。CDU定义为重复特征的大小与其标称值(CD)的几个点测量底物

计算流体动力学,使用数值方法和算法来解决和分析涉及流体流动的问题的流体力学分支,

  • 离子注入在美国,当光束中的一些离子撞击单晶硅原子晶格结构之间的晶片,并比其他离子穿透更深时,就会发生沟道。由于无法准确计算或控制种植体的深度,沟槽是不可取的。通过倾斜或旋转晶圆,在其表面覆盖氧化屏,或预非晶化硅,可以减少沟槽。
  • 通过原子颗粒丧失电子颗粒与电离原子。
  • 铜铟二硒化物:一种使用铜、铟、硒化合物的薄膜太阳能电池材料。第四种元素镓也可以加入到化合物(CIGS)中以达到更高的浓度效率
  • 在空气中的一个区域,其中空气被调节以去除可能防止半导体器件的正确功能的空气颗粒。
  • 一个金属氧化物半导体由成对的p-组成的器件通道和n沟道晶体管。
  • 还用于指用于构造具有CMOS晶体管的集成电路的制造过程系列。
  • 一种工艺,使用一种研磨剂,具有化学活性的浆料来物理地研磨已部分加工的晶圆片上的微观形貌,以便后续加工可以从平面开始。又称化学机械抛光。
  • 一个离子注入植入两个物种进入材料的相同区域中的技术,以改善掺杂区域的电特性,通常以提高晶体管性能。
  • 例如,可以共植入非掺杂剂原子,例如氟或氮气掺杂剂如硼生产超浅PMOS.晶体管渠道改善了掺杂剂激活以及从掺杂到未掺杂区域的急剧转变。
  • 所述封装的底面平行于所述印刷电路板的落地面
  • 一层LCD平板显示器,其分为红色,绿色和蓝色的透明区域,每个区域覆盖晶体管,该晶体管被切换到截止到全范围的颜色。
  • 使用计算机系统和软件帮助创建,修改或分析2D或3D设计。
  • 一种利用计算机控制整个生产过程的制造方法,允许各个步骤交换信息并发起行动。
  • 包含移动电荷载体的材料,例如电子或离子。
  • 晶片上的一种特征,它在第一个晶片之间形成了电通路互连层和晶体管。该地区通常充满钨。
  • 在雷克里等离子体与“脉冲”输出相反,在“脉冲”输出中,电源被调制,通常是在两个不同的振幅之间,频率在100-1000Hz范围内。
  • 一个互连采用铜作为导电材料的结构,与铝互连相比,提供了更好的设备速度和更低的功耗。
  • 一个兴奋剂沉积含有所需材料的保形材料层的过程掺杂剂物种,然后使用热处理将掺杂剂驱动到底层电路结构中的受控深度。CPD提供了掺杂复杂,3D结构的手段。掺杂传统上由离子注入轰击晶片,掺杂剂离子以高速移动。然而,这种视线轰炸过程不能提供3D结构的均匀掺杂。更重要的是,快速移动的离子可以损坏尖端芯片中的超薄半导体层。CPD旨在解决这两个问题。
  • 光刻,CD是要图案化的最小特征尺寸晶片.在其他半导体工艺中,CD是指在多个点上发现的特征的大小底物用来描述给定过程的准确性或其他特征。
  • 一个不希望的效果,其中电路元件中的信号,例如互连线路,影响另一个附近电路中的信号。在半导体中,耦合通常是一个结果寄生电容在两个电路之间。
  • 将材料的温度降低至-100°C或更低。
  • 一种次级真空泵,通过低温冷冻和吸收它们来捕获气体分子。低温泵能够产生非常高的真空,但必须定期再生,即允许返回环境温度以解吸和泵送捕获的气体物种。
  • 具有以有序的周期阵列排列的原子的材料。
  • 在晶体结构中使用纯硅衬底的太阳能电池技术的通用术语。
  • 一种通过曝光薄膜来沉积薄膜的方法底物到一个或多个挥发性前体,其在基板表面上反应和/或分解。
  • 晶片通过制造过程的特定部分处理晶片所需的时间量。
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D

  • 一类在计算机中使用的技术离子注入通过故意破坏硅晶体结构来控制半导体器件的电特性。
  • 特别地,损坏工程用于通过调节离子来控制掺杂剂漫射的深度剂量率,采用低温植入,和/或使用co-implant物种。
  • 在制造非常小的几何形状的晶体管,损伤工程被用来使性能提高的技术,如源排水扩展pre-silicide应变工程
  • 非反射性,非能量吸收,无机介电层沉积在金属或多晶硅的顶部以改善光刻技术表现。
  • 一个缺陷检查使用探测器收集散射光以使缺陷的技术显得明亮于黑暗的背景。通常用于在晶片期间找到颗粒互连制作。与brightfield检查。
  • 波长在300nm以下的紫外线光谱的一部分。
  • 一种将缺陷定位在有图案的晶圆片上的工艺。一个缺陷位置列表被创建并传递给DR-SEM.用于审查和分类。
  • 一个类型的扫描电子显微镜用于在晶圆制造过程中对缺陷类型进行分类,并确定这些缺陷是否会影响芯片成品率。
  • 用于将绝缘或导电材料薄层沉积到基板上的过程。
  • 概述集成电路设计和布局的几何形状和连通性限制的规则。
  • 在半导体制造中,在硅片上制造功能电路的面积。在每个晶圆上制造数百个相同的晶圆(可选择的复数是die和dice)。
  • 一个绝缘子
  • 也可更具体地用于指可被外加电场极化的绝缘体。在半导体加工中常用的两种介质是二氧化硅(SiO)2)和氮化硅(Si3.N4)。
  • 批量加工离子注入机上的大锥形轮用于保持晶片离子注入.在磁盘的每个“辐条”的末端安装一个晶圆片。当圆盘旋转时,每个晶圆依次通过离子束,离子束被径向扫描以提供均匀的剂量跨越每个晶圆。
  • 以受控量添加到材料中的杂质,以便改变一些内在特性,例如电阻率或熔点。向半导体添加掺杂剂产生主要负阴性的材料(n型)还是积极的(p型)的载流子,这取决于搀杂剂的种类。
  • 粘稠的液体或悬浮液掺杂剂材料。
  • 杂质的引入,或掺杂剂.进入材料的晶格以改变其电性能。创建n型区域,砷(AS),arsine(灰烬3.),膦(pH3.)和常用锑(SB)。对于p型区域,典型掺杂剂是硼(b),硼二氟化硼(bf2)和三氟化硼(BF3.)。
  • 总金额掺杂剂以离子/厘米2需要给予植入晶圆所需的电性能。
  • 一种精密电流测量装置,用于计算植入晶片中的离子总数。该功能有时与均匀监测相结合。
  • 一类设计用于在特定光刻的分辨率限制下可以在晶片上产生的电路特征密度的叠加技术步进
  • 用于太阳能的一种技术PV.在多个精确对齐的丝印操作中建立接触线或其他结构的制造。
  • 双打印的示例应用包括制造较窄,更高的接触线和选择性发射极细胞类型。
  • 一种利用感应耦合产生氮等离子体并将氮加入超薄栅氧化层的顶面层以增加栅介质的介电常数的方法。
  • 一个类型的ICP等离子体源主要用于分离等离子体密度和离子能量的蚀刻应用,导致高蚀刻速率和对基板的最小血浆损坏。
  • 一种易失性计算机存储器,其中每一位都存储在一个单独的电容器中。由于电容器随着时间的推移会自行放电,每个位元的状态必须大约每秒刷新15次,因此才有了“动态”这个术语。与“静态”闪存
  • DRAM提供了任何类型的内存的最快编程,使其非常适合直接连接微处理器,以用作主存储器。
  • 一个大马士革同时用铜形成和填充两个特征的过程覆盖A.通过可以填充单个铜沉积步骤。
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E

  • 包含树脂组分的复合材料,使得粘附和导电颗粒悬浮在其实现导电性。当树脂组分固化时,导电颗粒彼此接触,使导电性能够。
  • 在太阳能光伏技术中,入射太阳能转化为电能的比例。
  • 由导体中的离子运动引起的材料的运动,从导电电子和漫射金属原子之间的动量转移产生。
  • 将金属从化学溶液中取出并沉积在带电表面的一种沉积过程。也被称为电化学电镀、电镀或电沉积。
  • 用于接触电路的非金属部分的电导体半导体)。
  • 通过电解执行,这是通过通过电流使液体分离成其不同化学零件的过程。
  • 由发射相同频率的电磁波的多个源产生的效应。
  • 带负电荷的稳定的亚原子粒子,作为电的载体。
  • 离子注入,在晶片附近的端站中的电子源,用于中和可能损坏敏感电路特征的带正电荷的植入离子的不希望的电荷累积。
  • 通过电子(或质子相同的电荷尺寸)所获得的能量通过一伏的电压差。在离子注入,EV被用作粒子的动量的量度。具有较高动量的粒子将进一步穿透到半导体晶格中,而不是较少的动量。
  • 一个静态电压场,其中没有电流流动。在离子注入,它是指使用电压弯曲或聚焦离子束。
  • 金属基板相对于其上的晶片保持高电压,因此静电力将晶片夹在上面。
  • 一种先进的回来联系光伏电池。在发射极通过电池结构中,连续发射器通过小于100μm(微米)的数千个激光钻孔,直径为电池的电流。通过消除前触点,EWT增强了光吸收并提高了电池效率。
  • 此外,EOR缺陷被称为端部位错环,是指在硅晶体晶格中的缺陷,该缺陷发现于晶体之间界面的正下方非晶化和晶体管的晶体区域通道离子注入
  • 可以使用EOR缺陷使用低温植入
  • 一个梁线某些varian中使用的元素离子注入机这同时会使离子束减速到最后的能量,并过滤离子束以去除不需要的高能元件,这些元件会“玷污”晶体管通道,导致漏电流增加并降低性能。
  • 用于比较门的性能的数字介电通过指示硅氧化物薄膜需要多厚才能产生与所使用的介质材料相同的效果。
  • 一种数字用于比较高k电介质MOS门具有SiO2的MOS门性能的性能。我t shows thickness of SiO2 gate oxide needed to obtain the same gate capacitance as one with thicker SiO2 dielectric with higher dielectric constant k [e.g., EOT of 1 nm would result from using a 10 nm thick dielectric featuring k=39 (k of SiO2 is 3.9)].
  • 沉积或生长的方法,沉积的薄膜的单晶膜具有与基材的晶格结构和定向相同的晶格结构和取向。这使得能够为构建半导体器件的高纯度起点。
  • 一个APC.监控处理工具的技术,以提供可视化和统计的报告工具,以识别瓶颈和提高工厂绩效。
  • 通过化学反应或物理轰击在特定区域中除去材料的方法。该方法可以使用液相(湿)蚀刻剂或真空(干燥)在真空(干燥)进行,以产生血浆​​产生气相反应物。
  • 在此期间拆除材料的速率腐蚀处理通常以å/ s或nm / s表示。
  • 用于限制的薄膜层腐蚀深度并保护底层材料。选择ESL以抵抗被使用的蚀刻化学物质。
  • 一个光刻技术采用13.5nm EUV照明。它代表着一种重大的背离DUV因为所有的光学元件必须以反射方式工作,整个光学系统必须保持在真空中。
  • 从指定的参数偏差。
  • 离子注入,提取电极用于从源提取带正电荷的离子。离开源的离子沿下游结合形成用于植入的束掺杂剂进入硅晶片。
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F

  • 半导体制造工厂的通用名称,用于制造集成电路的工厂。
  • 也称为嵌入式晶片级球网格阵列。一种芯片封装方案,其中不在硅晶片上产生包装,而是在由模塑材料(例如环氧树脂)制成的人造晶片上。芯片之间的距离通常大于硅晶片。围绕芯片产生互连,并且电连接由芯片焊盘进行到互连。可以在任意距离(扇出设计)上在包装上创建任何数量的额外互连,使得该方案非常适用于空间敏感的应用,其中芯片区域不足以将所需数量的互连放置在合适的距离中.
  • 一个APC.使用过程状态模型推断出故障状况的发生和位置的技术,并诊断故障原因。
  • 集成电路制造的第一部分包括晶体管制造。Feol通常涵盖一切(但不包括)沉积联系人和金属互连层。术语前端有时用于将整个过程引用到完成的晶片。
  • 一种依靠电场来控制半导体材料中载流子流动的晶体管。
  • 安装在半导体处理系统前端的超洁净外壳,用于将晶圆传送到洁净室环境和系统内部。
  • 用于使用的术语沉积应用于描述晶片的顶表面,如不同于电路特征的表面,例如低于顶表面的沟槽和通孔。
  • Finfet是一种类型场效应晶体管在哪个导电通道通过薄的硅“翅片”在三面上围绕,形成晶体管的栅极。尽管技术上,该术语仅指具有两个门的设计,但术语通常用于描述任何多栅极晶体管架构,无论门的数量如何。
  • FinFET的主要设计目标是降低电流泄漏,而晶体管处于“关闭”状态。
  • 一种不需要电力就能保存数据的非易失性存储技术,不像动态随机存取记忆体.名称“Flash”来自内存被删除和编程在大块中,一次从数百到数千位进行编程。这种无法解决单个位使其无法直接连接到微处理器,但闪光的机械稳健性和低成本使其成为移动设备中的大容量存储器的理想选择。
  • 任何消费者显示设备,例如液晶或者amoled.与平坦表面相比,与阴极射线管的弯曲前部相反。
  • 是将半导体器件(例如IC芯片和微机电系统)(MEMS)互连的方法,以将已经沉积在芯片垫上的焊料凸块的外部电路。
  • 空间中的物理性质的流动,通常也具有时间变化。
  • 在LED技术中,为了产生指定的光输出,LED两端所需要的电压。低于这个电压,LED就不会发光。
  • 具有固定盒式磁带的容器,具有前开口界面,用于自动化材料处理系统(抗苗勒氏管激素)。由于FOUP的内部与环境Fab环境中分离,因此可以减少晶片上的粒子计数。
  • 一种由掺杂SiO制成的非晶态绝缘材料(k= 3.5)2用氟常用于铜层之间的互连。又称氟硅酸盐玻璃。
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G

  • generation的缩写,用于FPD.制造来描述玻璃的大小底物
  • 每一代都比上一代大大约80%。
一代 典型的尺寸(毫米) 面积(平方米) 介绍

创2

400 x 500.

0.2

1993

创3

620 x 750.

0.5

1995

创4

730 x 920

0.7

2000

创5

1,000 x 1,200.
1,200 x 1,300

1.2
1.6

2002

创5.5

1300 x 1500

2.0

2004

创6

1500 x 1850

2.8

2003

创7

1870 x 2200

4.1

2004

创7.5

1950 x 2250

4.4

2005

创8

2160 x 2460

5.3

2006

Gen 8.5.

2200 x 2500

5.7

2007

Gen 10.

2,880 x 3,130

9.0

2008

g
  • 一种手段,包括洗手和手套,头部覆盖物,面具,鞋覆盖物和其他专业服装进入洁净室之前的手套。
  • 在洁净室外面的支持区域或服务区,服务人员无需进入洁净室即可进行日常维护。
  • 一个缺陷检查利用探测器收集中、高角度散射光,使缺陷在黑暗背景下显得明亮的技术。通常用于发现光学分辨率以外的小图案缺陷。与brightfield检查。
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H

  • 一个面具这比光刻胶更耐腐蚀,当腐蚀程度较高时使用选择性比用光刻胶所能达到的要求要高。
  • 具有高浓度的自由电子等离子体,因此高浓度的离子。
  • 一种等离子体增强型化学汽相淀积在高真空和高等离子体激励电压下进行,以提高填充小高纵横比结构的能力。
  • 一班引领这就产生了足够的光用于照明应用。应用包括LCD显示器的背光、房间照明和汽车外部照明。LED的亮度必须达到“高亮度”的确切程度还没有很好的定义。最简单的定义是太亮而无法直接看到。
  • 将人与机器、系统或设备连接起来的用户界面或仪表板,最常用于工业流程的上下文,以可视化地显示数据、跟踪生产时间、趋势和标签、监控机器输入和输出以及装载更多。
  • 在半导体中,空穴是指晶体晶格中电子的缺失。它可以被认为是电子的对立面,带着与电子大小完全相同的正电荷。如果在电场中,一个电子移动到这个空穴中,空穴实际上向相反的方向移动。
  • 智能工厂系统与半导体制造中使用的设备通信。在半导体中,秒/宝石使用协议。
  • 一个容易发生故障的区域
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  • 一种等离子体源,其中通过电磁感应产生的电流供应的等离子体源,即,通过从真空外壳外部施加的时变磁场来产生的电流。
  • 一种半导体材料,用于形成通道高性能薄膜晶体管对于活动层液晶s。相比非晶硅,传统的通道材料,IGZO的较高电子迁移率允许晶体管更快地切换,从而实现具有更快的刷新率的更高分辨率显示。
  • 一个光刻技术通过诸如水的液体介质取代最终透镜和晶片表面之间的通常气隙的分辨率增强技术。
  • 离子注入,离子束与晶片表面之间的入射角。

在半导体制造过程流程中的每个步骤之后,检查晶片以检测各种类型(例如,划痕,颗粒,损坏特征)的缺陷。

  • 用于将器件或芯片的电活性区域相互隔离的非导电材料。常用的绝缘体有二氧化硅、氮化硅、BPSG, 和
  • 一种电子器件,由许多元件在一个硅衬底上组装而成。
  • 集成电路中的接线,用于将晶体管彼此连接并连接到外部连接。
  • IC金属层之间使用的薄膜用于绝缘。
  • 用于相邻金属线之间的绝缘膜。
  • 一层硅或其他合适的材料,作为一个电接口,在一个插座或连接到另一个插座之间布线,将一个连接扩展到更宽的间距,或将一个连接重新布线到另一个不同的连接。
  • 例如,通过太阳能电池板转换DC电力的装置,以与电网兼容的交流电源。
  • 由一个或多个电子的损耗或谷物形成的电带电荷原子或原子组
  • 离子的一种处理技术掺杂剂化学物质(硼,砷等)在强烈的电场中加速,以穿透晶片的表面,从而改变了材料的电气特性。
  • 设计用于以所需浓度在基板上均匀地喷射所选择的掺杂原子的工具。该技术被称为离子注入
  • 离子注入,一个组件,通过负偏向从放电排出正离子的组件提取电极.然后可以在a中加速所得到的离子梁线朝向目标晶圆。
  • 从电中性原子或分子中加入或去除更多电子的过程。一旦颗粒被电离,可以使用磁性或静电场加速,转向和以其他方式操纵,如梁线
  • 普通的TCO材料。
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J

  • 两个不同的半导体区域之间的界面掺杂剂类型。通常指的是p-n结,其电导率类型从p型n型
  • 在太阳能组件中,一种设计用于为组件输出提供连接点的环境外壳。
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K

  • 也称为介电常数,通常用希腊字母kappa (κ)表示。一种材料集中电通量的程度的表示。
  • 在电子器件中,它是指相对于二氧化硅的材料的电容。
  • 高k值可以产生晶体管在不增加不期望的泄漏的情况下变小。
  • 低k值在绝缘材料中是可取的,例如用于分离的绝缘材料互连因为它减少了以热量的形式浪费能量的电荷堆积,降低了设备的总功率消耗。此外,低k值允许更快的信号传播,从而更快的切换速度。
  • 在切割过程中材料损耗的量。在硅片生产中,切缝损耗是硅片生产过程中硅的消耗量,它对硅片的成本、边缘质量和表面光洁度起着至关重要的作用。
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l

  • 在化学中,一个术语适用于不断接受或可能发生变化的东西。例如,如果在采用较低的能量构象的情况下存在于短寿命的特定构象中,则据说前分子结构具有“高宽度”。在半导体中,它可以参考一个al前体化学物质用晶片表面上的材料易于反应。
  • 一种利用激光烧蚀薄膜PV电池表面以确定互连模式的技术。
  • 结晶固体中原子的有序排列。
  • 当电流流过时发光的半导体装置。LED由p-n组成当一对电荷载流子重新组合时,一个光子发光。
  • 一个参数主要用于光掩模刻蚀测量蚀刻过程的精度。线性度被定义为偏离目标的范围CD跨越指定的功能尺寸范围。
  • 一种使用一系列背光的平板显示器薄膜晶体管叫A.背板来控制每个像素。
  • LCD通过单独控制每个晶体管来允许或阻挡来自背光的光。然后,白光通过一系列滤色器以组装最终的全彩色图像。
  • 当像素晶体管截止时,液晶材料旋转偏振光通过90°,允许其通过第二偏振器。
  • 当晶体管通电时,液晶分子以这样的方式对准,使得光不再旋转,因此光被第二偏振器阻挡。
  • 任何提升分辨率,保真度或其他方面的技术光刻技术的过程。
  • 把图案或图象从一种媒介转移到另一种媒介,例如从一种媒介转移到另一种媒介光掩模对晶圆片使用步进
  • 用于在大气压力之间转移晶片或晶片的腔室FI.和用于加工的真空环境。
  • 在同一时间处理的一批具有相同特性的晶圆片。很多东西通常都保存在一起FOUPS.
  • 一个芯片在单芯上有3,000到100,000个晶体管。第一个LSI芯片在20世纪70年代中期生产。
  • 用于创建的过程多晶硅胶片采用两步处理。第一步在400-450°下沉积前驱体膜PECVD.工艺,低于600-1000°LPCVD.通常用于半导体制造的工艺。第二步使用an退火将前体转换为多晶硅的过程。
  • LTPS薄膜通常用于amoled.和超高分辨率TFT-LCD.显示。
  • 在LED技术中,用来衡量LED将能量转换为电磁辐射效率的一种指标。通常用流明每瓦特(lm/W)来表示。
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  • 材料(通常是铁磁性)的性质,以改变外部施加磁场中的电阻的值。这种效果用作磁随机存取存储器结构中的数据存储机制。
  • 一种有图案的材料层,用于防止其直接下方的材料腐蚀。也是Photomask.
  • 在瓦里安植入器中,质量分析磁铁被放置在来源和处理室以偏转和过滤离子,因此仅选定的离子进入处理室。这确保只有所需的掺杂剂晶片。
  • 一种计算机控制系统,用于管理在生产环境中工作物料的运输和储存。
  • 一班离子注入机专为最大剂量均匀性。光束电流范围为1μA至5mA,在5-600keV的能量下。中等电流植入机通常具有植入的能力掺杂剂植入角度从晶圆表面向下30°,使掺杂剂部分注入晶圆表面现有结构下方。
  • 使用改进的半导体器件制造技术制造的非常小的机械或机电器件,如传感器和执行器。
  • 一种用于管理和监控制造环境中在制品的软件控制系统。
  • 化学汽相淀积或者PVD.沉积用于互连芯片上的装置的高导电金属层。通常使用的金属包括铝,钨和铜等。
  • 测量科学以确定尺寸,数量或容量;使用传感器和测量设备的技术和程序来确定晶片处理中的物理和电气性能。
  • 一种具有非常小(0.5-2μm)硅晶体的薄膜硅的形式,与非晶硅混合。它通常沉积在薄层(通常为1-3μm)中串联(堆积)薄膜太阳能电池。
  • 根据它们的密度(例如密集,半致密)相对于开放区域特征,以不同的速率蚀刻相同的特征的现象。
  • (μm或微米)长度单位;百万分之一米。
  • 在单个封装中包含算术、逻辑和控制电路的集成电路。
  • 一种外壳或由外壳所创造的环境,以保持晶圆不受污染,例如FOUP
  • MOCVD是一种类型外延用于沉积化合物半导体薄膜的工艺,尤指用于制造高亮度LED在MOCVD工艺中,含有所需金属和其他元素的有机化合物在基板表面发生化学反应。
  • 太阳能模块是最终封装的PV发生器。在C-SI技术中,模块通常包含几十个太阳能电池一起有线。
  • MOL使用一系列接触结构连接晶体管和芯片的互连部件。
  • 多样化的设备技术,如RF.设备,电源管理子系统,传感器,执行器和微机电系统,将模拟功能集成到CMOS.基于技术。
  • 通过生长一层二氧化硅而获得的结构(SiO2),然后沉积一层金属或多晶硅(后者是常用的)。常用于描述用这种方法制造的晶体管。
  • 在太阳能光伏发电技术中,一种用单晶硅颗粒浇铸成晶锭的硅片。然后这些金属锭被切成晶圆,用于微芯片和光伏电池的制造。
  • 发现了一种类型的缺陷平板显示器显示区域亮度不均匀。也称为“云层”。
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N

  • 具有带负电导率的半导体材料(多余的电子)。
  • 一种用于计算机的逻辑运算符闪存仅当其输入中的至少一个没有信号时,才产生输出信号,因此“不为”(AN和Operator的倒数)。
  • 半导体,太阳能和显示行业的解决方案集中于小于100nm的尺寸。
  • 长度单位;十亿分之一米。
  • 一种瓦里安栽植者使用的装置,在设置过程中测量离子束电流,作为中和器产生的陷阱梁线
  • 在离子束中运动的具有相同能量但不再带电荷的粒子。中性粒子不能被外部场操纵,将以固定的速度继续运动,直到与真空室壁或其他粒子相撞。
  • 转化成氮化物
  • 一个金属氧化物半导体在静电形成的n-中,有源载体是在n型源和漏区之间流动的电子的晶体管。通道在p型硅衬底中。
  • 一种用于计算机的逻辑运算符闪存产生的输出结果是逆或。
  • 促进随后沉积的薄膜生长的一层薄膜。
  • 由…报告的可疑缺陷缺陷检查可以忽略的系统,因为它对已完成的设备的功能没有影响。抑制有害缺陷或“误报”缺陷是先进缺陷检查系统的关键能力。
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O

  • Oxide-nitride-oxynitride;多层金属氧化物半导体栅介质。
  • 作为薄膜有机半导体中的电子空穴相互作用而发出光子的发光器件。
  • 离子注入,晶圆的晶格结构与光束的方位角。在不同的取向角、不同的掺杂剂渗透深度和通灵将获得。
  • 离子注入,扫过离子束经过晶片边缘的实践,以实现均匀剂量在晶圆周边。
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P

  • 具有正电导电性(缺乏电子)的半导体材料。
  • 一种新兴的高密度封装技术,将芯片放置在面板上而不是晶圆上,这样可以容纳更少的芯片。
  • 所有电路元件的固有电容如互连晶体管这导致其行为偏离“理想”电路元件。
  • 在半导体中,特别是指紧密间隔导体之间的不良电容,可导致以下影响:相声
  • 通过降低介电常数,或者可以降低寄生电容,或者增殖系数粘度值绝缘体与相邻电路元件分开。
  • 垂直条形图,其中值以左向右的相对频率的顺序绘制。用于分析首先需要注意的问题。
  • 半导体器件中的一层,在电路元件上形成一个密封的密封层。这层密封层可以作为制造的最后一步,也可以在晶圆在加工工具之间传递时保护化学活性材料不发生反应。等离子体氮化和二氧化硅是主要用于钝化的材料。
  • 在半导体制造中,在晶片上产生所需电路几何形状。通常用于指的组合光刻技术和相关过程,如图案胶片沉积和腐蚀
  • 一种透明的聚合物片,置于框架上,以保护掩膜的图案区域不受空气污染。在曝光期间,任何污染都保持在焦平面之外,因此不会“打印”在晶圆上。
  • 通过在电池后部添加电介质钝化层来改变传统的传统细胞,其可以通过添加电介质钝化层来实现更高的能量转换效率。介电钝化层通过减小电子重组而导致效率的增加,增加太阳能电池捕获光和反射通常产生太阳能电池的热量的特定波长的能力。
  • 一个光掩模利用相位差产生的干涉来提高光刻图像的分辨率。
  • 一种掺杂SiO而制成的非晶绝缘材料2加磷可提高防潮性和回流特性。又称磷硅酸盐玻璃。
  • 熔融二氧化硅(石英)板,通常为152mm正方形,覆盖有不透明,透明和相移区域的图案,该区域将被突出到晶片上光刻技术定义集成电路的一层布局的过程。
  • 由曝光的光敏有机聚合物光刻技术工艺,然后开发以产生识别待蚀刻的潜在膜的区域的图案。
  • 例如,相邻特征中心之间的距离互连行或接触洞。
  • 任何一种模式技术,从单一的特征中创建成对的特征光刻技术图像与A.球场原始图像的一半,从而产生比单独的光刻过程更小的图案能够。有时会误导地被称为渐近。
  • FPD.技术,测量分辨率,其描述显示屏上各个像素之间的距离。通常以每英寸或ppi的像素表示。
  • 使用低选择性蚀刻或通过,不均匀晶片表面的过程相对平坦的过程CMP
  • 物质的第四种状态——不是固体、液体或气体。在等离子体中,电子从原子中挣脱出来,可以独立运动。单个原子是带电的,即使正电荷和负电荷的总数相等,保持整体电中性。
  • 绝缘层沉积在完整的晶体管的末端Feol.第一个金属的加工过程互连层形成。
  • P -通道在N型硅衬底中的静电形成的P沟道中,主动载体是在P型源极和漏区之间流动的孔的孔。
  • 一个RTP用于减少漏电流的步骤,而不会在氧化物氮气的产生中发生电流损失门堆栈
  • 在DRAM制造中,通常用于栅电极的一种薄膜堆,由硅化钨组成多晶硅
  • 多晶硅(或半晶硅、多晶硅、多晶硅或简称“多晶硅”)是一种由多个小硅晶体组成的材料。广泛用于高掺杂状态的导体/栅材料。聚薄膜通常是通过硅烷热解沉积的LPCVD.的过程。
  • 使用的技术离子注入用来减少通灵故意amorphizing前一个地区掺杂剂植入,从而能够实现更均匀的掺杂剂曲线。在一个非晶区域内没有定义没有信道。通常用诸如氩气的惰性元素进行预混合植入物。
  • 金属沉积前最后一次植入。
  • 在集成电路或其他设备的制造过程中执行的一种操作或一组顺序操作。
  • 在集成电路或其他器件的制造过程中进行单一过程的封闭区域。
  • 优化每个流程步骤以正确地与顺序流程流中的前一步和后续步骤一起工作。
  • 用于测量表面轮廓的一种测量仪器,以量化其粗糙度和关键尺寸,如台阶、曲率、平直度、纹理和高度。
  • 一个类型的触摸屏由电极的电网组成,该电极可以检测由导电物体的存在诸如手指或导电触控笔的静电场的畸变。
  • PCT面板通常用于所需的应用程序,以便同时需要精确跟踪多个接触点,例如智能手机和平板电脑。
  • 光被转换为电力的过程。太阳能光伏是来自太阳辐射的电力。
  • 一种用于制造薄膜光伏组件的树脂。PV电路是在一片玻璃上形成的,再覆盖一层PVB,然后后面的玻璃.然后将这个组装层压封装电路,保护它不受环境影响。
  • 由导电材料(铝、氮化钛等)的原子组成的一种加工技术溅射来自A.目标由纯材料制成,然后沉积在基板上,在集成电路或FPD.
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  • 一类设计用于四重电路特征密度的图案化技术,该技术可以在特定光刻的分辨率限制下在晶片上产生的电路特征密度步进
  • 由四个交替符号产生的磁或静电场,排列在圆圈中;用于聚焦一束带电粒子。
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R

  • 一个APC.允许修改机器之间的处理参数的技术“运行”以最小化可变性。
  • 一个原子或一组原子,至少有一个未配对的电子,因此是不稳定的和高度活性的。
  • 一种依赖于单色光的非弹性(拉曼)散射的化学分析的光谱分析。以非接触方式实现实际反应监测和表征化合物。
  • 一个退火其中晶片在短时间内加热到指定温度的过程。
  • 在半导体器件制造期间重复使用RTP,以用于此目的激活植入掺杂剂或改变材料的状态(或阶段)以增强所需的属性(例如,导电性)。退火可以使用三种技术进行 - 浸泡,尖峰和毫秒。技术的选择取决于若干因素,包括装置的容差,以承受制造序列中特定点的一定温度/时间曝光。广泛地说,设备可以承受更长的曝光(30-90秒),也称为浸泡退火,在制造周期的早期高温下。随着循环的进展,如果需要高温,必须降低温度或显着缩短。尖峰退火落在后一种类别中并用于来源-流走种植体的激活和扩散以及高k/金属制造。
  • 向内倾斜的东西指侧壁是凹的特征。
  • 用于特定工艺步骤的记忆参数,例如气体流动温度和压力。通常,相同的配方用于所有晶片中的所有晶片很多
  • 芯片上的额外金属层,可以使输入/输出焊盘集成电路可在其他位置提供,更容易制作芯片到芯片键合。
  • 要求增加风能、太阳能、生物质能和地热能等可再生能源产量的法规。这一概念的另一个常见名称是可再生电力标准(RES)。
  • 导体阻挡电流通过的程度的量度。
  • 离子注入,一个小孔径,通常在分析仪后直接发现,其消除了梁仅与特定电荷的一种类型的分子或原子。
  • 透明板一种扁平的透明板,用于步进包含要在晶圆上复制的晶圆图案的图像。常与光掩模
  • 苹果公司的商标用于描述像素密度足够高的任何显示器,人眼不能区分各个像素。
  • 注意,这个术语与像素密度,因为它包括观看距离。对于符合视网膜显示的移动电话屏幕,它应该具有超过300ppi的像素密度,但电视仅需要大约50ppi。
  • 在半导体制造中,电磁或静电场在2MHz-200MHz或1-3GHz范围内的振荡速率。在某些类型的晶片加工腔中,等离子体是通过对ESC、顶板感应结构或顶板电容结构施加强射频场来启动的;振荡电场通过剥离气体分子的电子而使它们电离,从而产生等离子体。
  • 一个类型的PVD.与传统PVD反应器相比,该工艺使用了电感耦合等离子体来降低离子能量,从而形成了一种更温和的沉积机制,可以生成非常薄的亚纳米薄膜,并几乎消除了对底层电路特性的损害。
  • 离子注入,已经限制在矩形横截面中的电子束允许晶片的整个表面沿着单个轴转向梁覆盖。与光束相反,必须来回扫描以覆盖晶片。
  • 一种蚀刻技术,使用化学反应等离子体去除沉积在晶圆片上的材料。来自等离子体的高能离子与晶圆表面的材料发生反应。
  • 用于初始抽空真空系统的机械泵。这个过程称为“粗加工”。
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年代

  • 应用材料发明的术语,用来描述化学汽相淀积使用的过程略低于大气压Teos./臭氧化学。
  • 自对齐的收缩硅化物.水杨酸盐处理技术旨在开发一种原理,即沉积在有图案的硅基板上的难熔金属在特定的处理条件下会选择性地与暴露的硅发生反应,而不会与相邻的材料(如氧化硅材料)发生反应。因此,不需要模式步骤。
  • 一种利用牺牲侧壁间隔膜来实现比一般光刻技术高四倍的分辨率的绘图技术步进
  • 离子注入,离子束相对于晶片的移动以覆盖整个晶片表面。
  • 组成部分离子注入机这将在晶片上移动离子束,或者通过离子束移动晶片。这可以用磁场,静电场或机械运动来实现。
  • 用电子束而不是光照射样品的显微镜。光束在样品表面来回扫描。
  • 晶体硅太阳能PV.制造业,一种由编织材料制成的片状材料,支撑有开口区域的模板,银浆或其他材料通过开口区域在晶圆片上形成图案。它类似于光掩模在半导体制造中。
  • 离子注入,一个薄,牺牲的sio层2它可以阻止游离离子在离子束中夹带并随后被移除。此外,屏幕氧化物轻微散射主离子束从而防止通灵
  • 任何不能直接排出到大气的真空泵,即必须与A串联合作粗泵.半导体中常用的二次泵是低温泵涡轮泵
  • 一种软件协议,用于标准化半导体制造设备和主机控制系统之间的通信。该协议旨在通过建立一套通用的指令集来简化工厂自动化,该指令集将为一个系统中的所有设备所理解工厂
  • 一个成核层其中成核材料与随后沉积的薄膜相同。
  • 仅在不影响邻近材料的情况下发生在所需的情况下,如选择性沉积或选择性去除。
  • 提高晶体硅转换效率的一种技术PV.太阳能电池。选择性发射体是精确地放置在前面金属接触线下方的重掺杂区域,以减少电接触电阻,并允许电流更自由地流动。掺杂区域通常是通过沉积制备的掺杂剂酱然后将接触线打印在上面。
  • 在蚀刻处理期间,在两种材料中观察到的蚀刻速率的比率。通常用于指用于移除的材料的相对蚀刻速率和面具,以及蚀刻模式保真度的重要指标。
  • 导电性在金属(导体)和绝缘体(非导体)之间的中间的材料,并且可以通过添加来物理或化学改造以增加或降低其电导率掺杂剂
  • 硅烷是一种容易分解成硅和氢的气体,常用于沉积含硅化合物。它还与氨反应生成氮化硅,或与氧反应生成二氧化硅。
  • 退火(烧结)过程导致形成金属 - 硅合金(硅化物)以充当接触。例如,由于硅化,TIS沉积在Si上形成TISI2。
  • 硅与一种更具正电性的元素的化合物。镍、钽、钛和钴硅化膜用于制造晶体管连接的欧姆(低电阻率)接触。硅化钼常被用作吸光层光掩模.钨硅化物(矽化物)用于DRAM栅电极。
  • 最普遍的介电半导体制造中使用的材料由于其多功能性和稳定性。也称为“氧化物”,可以通过热氧化或沉积在硅晶片上生长方向PECVD.或者HDP-CVD.流程。
  • 用等离子体增强或LPCVD沉积的硅/氮薄膜介质。有时被松散地称为罪恶。
  • 由单个p-n结构成的PV电池。这包括非晶硅薄膜和大多数晶体硅细胞类型。
  • 高功率磁控源PVD.向等离子体提供足够能量的过程溅射金属原子被电离了。然后,金属离子可以利用电场加速向晶圆方向移动,形成更有方向性的沉积模式,从而在小的几何结构中实现更高的台阶覆盖。
  • 在半导体技术中,研磨性固体在液体中的悬浮体CMP流程。在PV中,用作A的磨料介质线锯对于wa
  • 源掩码优化(SMO)是一种分辨率增强技术光刻技术由于差距,衍射或过程效果来补偿图像误差。
  • 在半导体制造中使用层叠硅绝缘体 - 硅衬底。SOI基板提供减少寄生电容与集成电路中的相邻器件相比,与内置于散装晶片中的器件相比,使得能耗降低,因此更高的设备性能。
  • 一种将阳光的能量直接转换为电力光伏影响。多个电池连接在一起形成模块
  • 公用尺度光伏电站。
  • 轻轻一亮 -掺杂区域从来源或者流走进入晶体管通道设计用于在晶体管设备运行期间分散电场。如果没有扩展,非常小的晶体管中的电场可能足以损坏栅极电介质并导致设备故障。
  • 离子注入用于创建源 - 排水扩展的过程是一个例子损害工程
  • 将统计技术应用于过程的监视和控制,以改进生产质量控制的一种方法。
  • 一种固定的冷却金属板,位于植入盘顶部,在植入过程中捕获离子束过度通风
  • 当不同的食谱在a之内使用很多为了提高某一特定工艺步骤的性能的实验目的,该批次被称为分割批次。
  • 一种将原子从固体中喷射出来的沉积薄膜的方法目标由于高能粒子轰击目标而产生的物质。
  • PV.晶圆制造,使用专业化将硅锭切成矩形块的过程线锯.这些正方形的块,或砖块,然后被切成单独的晶圆wa的过程。
  • 一种计算机存储器,其中每个位存储在具有两个稳定状态的通常6或8个晶体管的网络中。
  • SRAM细胞复杂并消耗芯片上的更多区域动态随机存取记忆体细胞,但具有更快,更高劣的功能。
  • 微处理器和其他逻辑芯片通常在芯片上使用SRAM单元作为高速缓存存储器,用于存储最频繁访问的指令和数据。
  • 用于使用的机器waCMP流程使用泥浆为了回收诸如磨料和冷却的材料以供随后的再循环。
  • 分别的特征侧面的厚度与薄膜厚度的比例分别在底部(例如,在通孔)或特征(例如,FINFET的翅片中)的厚度。
  • 用于传送十字线的设备(Photomask)图案到晶片上。相同的模式被转移到每个模式死亡在晶圆上。
  • 一种将每个晶体管或存储单元与其相邻单元隔离以防止电流泄漏的技术。该技术采用蚀刻在硅上的沟槽图案,填充一种绝缘材料,如二氧化硅。
  • 半导体制造中使用的过程将压力引入晶体管和存储器单元通过扭曲晶体而引入晶体管和存储器单元格子.在逻辑上,这使电更容易通过晶体管,提高晶体管的性能。在存储器中,应变也可以减少泄漏电流,从而允许更高的单元密度。
  • 一种使用的切割丝线锯为了提高切割速度而形成或卷曲成锯齿状或类似形状的东西。
  • 操纵薄膜的材料。硅最常用于半导体和碳硅光伏电池。玻璃通常用于液晶显示器和薄膜光伏应用。
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T

  • 一种太阳能光伏电池类型,使用多种光转换材料来提高转换效率。例如,串联结薄膜硅电池使用非晶硅和微晶层。
  • PVD.,目标是要沉积的材料的来源。由于轰击能量粒子,原子从目标喷射。
  • 用于平板显示器、触摸面板和光伏等光电器件的掺杂金属氧化物薄膜。在液晶显示器中,TCO层形成电极,产生电场使液晶极化。在触摸面板中,TCO层用于传感电极。在PV.,TCO形成细胞的顶部电极。
  • 透射电子显微镜一种能使电子束穿过超薄标本的透射电子显微镜它的工作原理与光学显微镜相同,但分辨率要高得多。
  • 氧化沉积的液体源,正硅酸四乙酯是与
    公式si(OC2H54
  • 终端效应是一种现象电化学沉积因此,沉积的薄膜往往在晶圆的边缘比中心更厚。由于晶圆片的电阻,负端与晶圆片边缘中心接触时产生电压降。这种阻力的主要组成部分是种子层它沉积在晶圆上PVD.在电镀过程之前。种子层在每个技​​术节点处变薄,这增加了晶片的电阻率并加剧了终端效应。可以通过使用可以调节晶片上的施加电压的先进电流密度控制系统来补偿效果,从而在晶片上均匀沉积。
  • 一个类型的液晶使用a的显示薄膜晶体管位于每个像素以直接驱动液晶的偏振,从而控制该像素是否打开和关闭。
  • 从纳米的馏分到几微米的一层材料范围厚。
  • 一个场效应晶体管用薄膜技术制造,主要用于有源矩阵液晶显示器的制造。
  • 晶圆的数量工具每小时可加工。
  • 一种用来指半导体加工设备的术语。
  • 在半导体技术中,由于在晶圆片表面制造特性而产生的非平面性。这可能会对后续层的图案产生重大影响,因为有限的景深步进光学系统可能导致部分图案不符合规格。也用于描述不同材料去除率引起的不均匀性CMP
  • 一种计算机界面,可在典型的矩形区域上检测触控笔或手指的存在。
  • 通常与显示器集成以产生触摸屏
  • 一种类型的显示器,例如TFT-LCD.或者amoled.包含一个触摸屏使用户能够通过鼠标或轨迹球直接与所显示的图像进行交互。
  • 一个工具它集成了在半导体制造中处理光刻胶(沉积、软烘焙、曝光、显影、硬烘焙)所需的几个步骤。
  • 一种半导体器件,用于转换和放大作为集成电路基本元件的电子信号。
  • 蚀刻在晶圆上的槽,用作器件结构的一部分。
  • 一种内置在在衬底上。这种技术允许在不增加晶圆上形成电容所需的面积的情况下增加电容。
  • 一个类型的二次真空泵用于创造高真空。高速涡轮机叶片,与固定刀片交替,将气体分子压缩到泵的底部,以通过粗泵去除。
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U

  • 数字视频格式,分辨率为3840 x 2160像素。
  • 又称2160P和4K,UHD具有四倍的像素,作为传统的HD 1080P视频。
  • 集中于减小厚度的半导体制造区域连接这种形式的来源流走先进的晶体管区域,以提高性能,同时保持可接受的漏电流和击穿电压。
  • 倒装芯片封装中的沉积工艺,其将管芯与焊料凸块连接到基板。
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V

  • 低于大气环境的压力,通常通过特定压力范围提及:
  • 粗真空,从大气到1 x 10-3
  • 高真空,从1 x 10-3托尔到1 × 10-9
  • 超高真空(UHV) - 低于1 x 10-9
  • 离子注入,一种用于将固态离子源材料转化为气态以生产离子束的装置。
  • 通过介电层的垂直途径,使电气连接在一起互连层。
  • 一个芯片在单芯上有10,000到1,000,000个晶体管。该术语通常延伸以描述具有大于10,000的任何数量晶体管的芯片。其他术语如超大规模集成(ULSI)被创造,但不再是广泛使用。
  • 也称为3D NAND阵列。
  • 一班闪存在单个基板上垂直分层的多个二维阵列的架构(而不是堆叠使用晶圆级封装)。
  • VNAND是一种增加的方法位密度不一定降低每个单独细胞的大小。
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W

  • 薄,圆形或几乎方形的单一或多晶硅构建了半导体和PV电池的硅。
  • 包装技术集成电路虽然仍然是晶圆的一部分,而不是将晶片切成单个电路(骰子)然后包装那些。
  • 将硅锭或硅砖分成硅片的过程。
  • 安装在内部的金属或石墨制成的保护衬垫波导.不需要的离子物种放弃了这些衬垫的能量。
  • 卷到卷涂层技术的另一个名称,其中薄膜材料沉积在柔性材料的卷上。
  • 在工艺步骤之间使用液体化学从基材中去除不需要的物质或污染物的工艺。
  • 能够均匀地分布在固体表面,而不是形成离散的液滴。
  • 在硅片制造过程中,一种利用移动的金属丝来完成三个关键步骤的机器。
  1. 切割-去除单晶硅锭的锥形端部
  2. 平方 - 将圆柱形裁剪锭转向矩形块或砖块。在多晶硅晶片制造中,该步骤用于将大型铸锭切成砖块
  3. 散翅 - 将砖块切成单个晶片
  • 所有栅栏之间的连接晶体管在一行内存阵列段中。
WP.
  • 瓦峰,太阳能工业单位,用于在理想的辐照条件下提供的太阳能电池的功率。
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Y

  • 产品(如晶圆片或模具)在生产过程中符合规格的百分比。
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