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新的应用材料技术帮助领先的碳化硅芯片制造商加速向200mm晶圆的过渡,并提高芯片性能和功率效率

  • 作为世界上最好的电动汽车动力系统的关键,碳化硅芯片正在向更大的200毫米晶圆过渡,以提高产量,以满足不断增长的全球需求
  • 应用公司的新型200mm CMP系统精确地从晶圆中去除碳化硅材料,帮助最大化芯片性能、可靠性和成材率
  • 应用公司的新“热植入”碳化硅芯片技术注入离子,对晶体结构的损伤最小,从而最大限度地提高发电量和器件产量

加利福尼亚州圣克拉拉。 2021年9月8日(全球通讯社)— 应用材料公司。世界领先的碳化硅(SiC)芯片制造商今天宣布了新产品,帮助他们从150mm晶片生产过渡到200mm晶片生产,每片晶片的晶片产量大约翻倍,以帮助满足全球对高级电动汽车动力系统不断增长的需求。

碳化硅功率半导体需求量很大,因为它们有助于将电池功率有效地转换为扭矩,从而提高车辆的性能和行驶距离。与硅相比,碳化硅固有的硬度更高,带有自然缺陷,会导致电性能、功率效率、可靠性和产量的下降。先进的材料工程需要优化原始晶圆的生产和构建电路的最小损害的晶格。

“为了推动计算机革命,芯片制造商转向更大的晶圆尺寸,大幅提高芯片产量,以满足迅速增长的全球需求,”他说 Sundar需要现任中国国际aps集团副总裁兼总经理 应用材料.“今天,我们正处于另一场革命的早期阶段,这将受益于应用公司在工业规模的材料工程方面的专业知识。”

“交通运输业的电气化是一个上升的趋势,我们正在加速这一拐点,通过引领全球从硅向碳化硅的过渡 Wolfspeed技术”, 格雷格·劳Cree, Inc.的总裁兼首席执行官表示:“在更大的200mm晶圆上提供高性能碳化硅功率器件,使我们能够提高终端客户的价值,满足不断增长的需求。”

"应用的支持,以帮助确定速度的200mm过程 奥尔巴尼Mohawk Valley Fab的多设备安装加速了这种转变,”Lowe补充道。“此外,应用公司ICAPS团队正在开发的新技术,如热植入技术,扩大和深化了我们的技术合作,帮助加快了我们的电力技术路线图。”

新型200mm SiC CMP系统

SiC晶圆的表面质量对SiC器件的制造至关重要,因为晶圆表面的任何缺陷都会通过后续的层转移。为了生产具有最高质量表面的均匀晶圆,应用公司开发了Mirra®Durum™CMP*系统集成抛光,测量材料去除,清洁和干燥在一个单一的系统。与机械研磨的SiC晶圆相比,新系统的成品晶圆表面粗糙度降低了50倍,与批量CMP加工系统相比,粗糙度降低了3倍。

热植入提高SiC芯片性能和功率效率

在SiC芯片制造过程中,离子注入将掺杂剂放置在材料中,以帮助实现和引导高功率产生电路中的电流流动。SiC材料的密度和硬度使得注入、准确放置和激活掺杂剂非常具有挑战性,同时尽量减少对晶格的破坏,从而降低性能和功率效率。Applied公司已经通过其新的VIISta解决了这一挑战®用于150mm和200mm SiC晶片的900三维热离子植入系统。热植入技术注入离子时,对晶格结构的破坏最小,与室温下植入物相比,电阻率降低了40倍以上。

应用的ICAPS(物联网、通信、汽车、电源和传感器)业务正在为SiC电源芯片市场开发额外的产品,包括PVD*、CVD*、蚀刻和过程控制。关于Applied如何推动SiC和其他特种半导体技术的进步的更多细节将在公司的会议上讨论2021年ICAPS和包装 大师班今天被关押。

对应用材料
应用材料该公司是材料工程解决方案的领导者,几乎用于生产世界上所有的新芯片和先进显示器。我们在原子级和工业级的材料改性方面的专业知识使客户能够将可能性转化为现实。在应用材料公司,我们的创新使更美好的未来成为可能。学习更多在www.944game.com

*CMP =化学机械平化。物理气相沉积。化学气相沉积。

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主要标志

应用材料的碳化硅优化Mirra®Durum™CMP系统

为了帮助碳化硅芯片行业向更大的200mm晶圆过渡, 应用材料介绍了Mirra Durum™CMP系统。通过集抛光、材料去除、测量、清洗和干燥于一体的单一系统,生产出具有最高质量表面的均匀SiC晶圆。
应用材料的碳化硅优化VIISta®900 3D热离子植入系统

应用材料公司的新型VIISta®900 3D热离子植入系统将离子注入并扩散到200mm和150mm的碳化硅晶片中,与室温植入相比,其电阻率降低了40倍以上。

来源:Applied Materials, Inc。

2021年9月8日