芯片布线的应用材料突破使逻辑缩放到3nm及更远

• 在真空下将七个过程技术集成在一个系统中，在真空中互连抵抗
• 新材料工程方法提高芯片性能，降低功耗
• 最新的系统体现了应用公司为客户提供PPACt实施公司的战略

加利福尼亚州圣克拉拉。， 2021年6月16日(全球通讯社)— 应用材料，Inc。今天公布了一种新的方法来设计高级逻辑芯片的布线，可以扩展到3纳米节点甚至更高。

虽然缩小尺寸有利于晶体管的性能，但在互连布线中则相反:较小的电线有更大的电阻，这降低了性能并增加了功耗。如果没有材料工程上的突破，通过电阻互连将从7纳米节点增加到3纳米节点的10倍，从而抵消了晶体管缩放的好处。

应用材料开发了一种新的材料工程解决方案，名为Endura^®铜屏障种子IMS™。这是一个集成的材料解决方案，在高真空下将七种不同的工艺技术结合在一个系统中:ALD, PVD, CVD，铜回流，表面处理，界面工程和计量。该组合用选择性ALD取代了共形ALD，消除了通道口处的高电阻障碍。该解决方案还包括铜回流技术，使无空隙空隙填充在狭窄的特征。通过接触界面的电阻降低了高达50%，提高了芯片性能和功耗，并使逻辑扩展持续到3nm以上。流程序列的动画可以在此链接查看:https://bit.ly/3g8HMe1．

“一个智能手机芯片有数百亿的铜互连，布线已经消耗了芯片三分之一的电力，”他说 Prabu拉贾公司高级副总裁兼半导体产品集团总经理 应用材料．“在真空环境中整合多种工艺技术，使我们能够重新设计材料和结构，从而让消费者能够拥有更强大的设备和更长的电池寿命。这种独特的集成解决方案旨在加快我们客户的性能、电力和区域成本路线图。”

Endura Copper Barrier Seed IMS系统目前正在被全球领先的铸造逻辑客户使用。关于该系统和其他逻辑扩展创新的更多信息将在应用程序会议上讨论2021年逻辑 大师班今天举行。

对应用材料
应用材料该公司是材料工程解决方案的领导者，几乎用于生产世界上所有的新芯片和先进显示器。我们在原子级和工业级的材料改性方面的专业知识使客户能够将可能性转化为现实。在应用材料公司，我们的创新使更美好的未来成为可能。学习更多在www.944game.com．

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来源:Applied Materials, Inc。